Развернуть ▼
На основе теоретико-вероятностных положений рассмотрены причины нестабильности параметров силовых полупроводниковых приборов и приведена статистическая модель прибора, характеризующая показатели его работы в статических и динамических режимах. Дан анализ процесса коммутации с учетом разброса параметров элементов силовых цепей.
Для научных работников и инженеров, занимающихся разработкой силовых полупроводниковых преобразователей электроэнергии.
СодержаниеПредисловие
Глава первая. Статистическая модель силового полупроводникового прибора
1.1. Причины технологической и эксплуатационной нестабильности параметров приборов
1.2. Некоторые сведения из теории вероятностен
1.3. Вольт-амперная характеристика силового полупроводникового прибора
1.4. Разброс динамических характеристик приборов
1.5. Характеристики управления тиристоров и параметры импульсных трансформаторов
1.6. Параметры приборов и режимы нагрузки преобразовательных устройств
Глава вторая. Характеристики полупроводниковых преобразователей с учетом разброса параметров элементов силовых цепей
2.1. Технологический разброс параметров силовых трансформа торов, реакторов и конденсаторов
2.2. Внешние и регулировочные характеристики преобразователей с естественной коммутацией
2.3. Параметрическая стабильность узлов искусственной коммутации полупроводниковых преобразователей
2.4. Оценка стабильности выходных напряжений полупроводниковых преобразователей
2.5. Составляющие потерь мощности в преобразователях
2.6. Неравномерность токовых нагрузок вентилей преобразователей
Список литературы