- Артикул:00-01038280
- Автор: Агранович В.М.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Наука (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 384
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1968
- Вес: 613 г
- Серия: Учебник для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
Монография посвящена систематическому изложению теории оптических свойств кристаллов в экситонной области спектра. Хотя в ней большое внимание уделено теории экситонов малого радиуса, результаты рассмотрения целого ряда вопросов, затронутых в книге, таких, например, как теория эффектов запаздывания, формы экситонных полос поглощения света, феноменологическая теория переноса энергии экситонами, феноменологическая теория поверхностных экситонов, теория тензора диэлектрической проницаемости, нелинейных поляризуемостей в экситонной области спектра и некоторые другие, носят более общий характер и могут быть использованы применительно к экситонам произвольной структуры.
Наряду с вопросами, отмеченными выше, в монографии для экситонов малого радиуса рассмотрены методы расчета энергетических зон, локальные возбужденные состояния электронов в кристаллах, содержащих вакансии или примесные молекулы, микроскопическая теория поверхностных экситонов, рассеяние экситонов на фононах, а также на статических дефектах решетки, диффузия и захват экситонов примесными молекулами.
Кроме того, изложена теория дисперсии естественной оптической активности кристаллов в экситонной области спектра, а также рассмотрены коллективные свойства экситонов (например, обсуждена возможность их сверхтекучести), которые становятся существенными при достаточно высоких концентрациях экситонов. Большинство результатов, приведенных в книге, ранее практически не было отражено в монографической литературе.
Книга рассчитана на студентов старших курсов, аспирантов и научных работников, занимающихся теоретической физикой, а также оптикой, кристаллооптикой, изучением электрических свойств твердых тел, биофизикой и т. д.
Оглавление
Предисловие
Введение
Глава I. Экситонные состояния в приближении Гайтлера-Лондона
§ 1. Экситоны в кристалле с неподвижными молекулами. Расщепление молекулярных термов в кристалле
§ 2. Кулоновские и механические экситоны
§ 3. Применение теории групп для определения поляризации и правил отбора при экситонном поглощении света. Вырождение экситонных термов
§ 4. Теория триплетных экситонов
Глава II. Теория экситонов малого радиуса в представлении вторичного квантования
§ 1. Оператор энергии кристалла с неподвижными молекулами в представлении вторичного квантования
§ 2. Экситонные состояния при учете только одного возбужденного уровня молекулы. Переход к приближению Гайтлера-Лондона
§ 3. Экситонные состояния (при учете только одного возбужденного уровня молекулы) без использования приближения Гайтлера-Лондона
§ 4. Экситонные состояния при учете нескольких молекулярных уровней (смешивание молекулярных конфигураций)
§ 5. Теория возмущений. Сравнение с результатами, полученными в приближении Гайтлера-Лондона
§ 6. Правила сумм для сил осцилляторов экситонных переходов и гипохромный эффект
§ 7. Экситонфотонное взаимодействие. «Локализованные» экситоны
§ 8. Электронно-колебательные (вибронные) возбуждения в молекулярных кристаллах
§ 9. Расчет экситонных зон в антрацене
Глава III Теория экситонных состояний при учете запаздывающего взаимодействия между зарядами
§ 1. Оператор энергии кристалла при учете запаздывающего взаимодействия
§ 2. Дисперсия элементарных возбуждений и коэффициент преломления электромагнитных волн в кристалле. Операторы напряженности электрического и магнитного поля
§ 3. О радиационной ширине экситонных состояний
§ 4. Тензор диэлектрической проницаемости и феноменологическое рассмотрение длинноволновых экситонов в кристаллах
§ 5. Радиационная ширина и спектр экситонных состояний в одномерных и двумерных молекулярных кристаллах
Глава IV Тензор диэлектрической проницаемости кристаллов в экситонной области спектра и форма экситонных полос поглощения
§ 1. Методы расчета тензора диэлектрической проницаемости
§ 2. Вычисление тензора диэлектрической проницаемости для экситонной области спектра
§ 3. Комплексный поперечный тензор диэлектрической проницаемости и дисперсия электромагнитных волн в кристалле
§ 4. Теория формы линий экситонного поглощения и правило Урбаха
Глава V Теория нелинейных оптических эффектов в кристаллах для экситонной области спектра
§ 1. Методы теоретического изучения нелинейных оптических эффектов
§ 2. Оператор энергии кубического энгармонизма в молекулярных кристаллах
§ 3. Вероятности нелинейных оптических процессов третьего порядка. Правила отбора. Роль конечности размеров кристалла
§ 4. Расчет тензора нелинейной поляризуемости кристалла для экситонной области спектра
Глава VI Теория локальных электронных состояний в молекулярных кристаллах
§ 1. Введение
§ 2. Основные соотношения. Смешивание молекулярных конфигураций в примесной молекуле
§ 3. Локальные состояния в окрестности вакансий и молекул примеси. Роль резонансного взаимодействия между примесью и молекулами основного вещества
§ 4. Поляризация примесного поглощения в молекулярных кристаллах
§ 5. Экситонные состояния в смешанных молекулярных кристаллах
Глава VII Естественная оптическая активность и круговой дихроизм
§ 1. Оператор энергии кристалла при учете запаздывающего взаимодействия
§ 2. Дисперсия элементарных возбуждений и коэффициент преломления электромагнитных волн в кристалле. Операторы напряженности электрического и магнитного ноля
§ 3. О радиационной ширине экситонных состояний
§ 4. Тензор диэлектрической проницаемости и феноменологическое рассмотрение длинноволновых экситонов в кристаллах
§ 5. Радиационная ширина и спектр экситонных состояний в одномерных и двумерных молекулярных кристаллах
Глава IV Тензор диэлектрической проницаемости кристаллов в экситонной области спектра и форма экситонных полос поглощения
§ 1. Методы расчета тензора диэлектрической проницаемости
§ 2. Вычисление тензора диэлектрической проницаемости для экситонной области спектра
§ 3. Комплексный поперечный тензор диэлектрической проницаемости и дисперсия электромагнитных волн в кристалле
§ 4. Теория формы линий экентонного поглощения и правило Урбаха
Глава V Теория нелинейных оптических эффектов в кристаллах для экситонной области спектра
§ 1. Методы теоретического изучения нелинейных оптических эффектов
§ 2. Оператор энергии кубического энгармонизма в молекулярных кристаллах
§ 3. Вероятности нелинейных оптических процессов третьего порядка.
Правила отбора. Роль конечности размеров кристалла
§ 4. Расчет тензора нелинейной поляризуемости кристалла для экситонной области спектра
Глава VI Теория локальных электронных состояний в молекулярных кристаллах
§ 1. Введение
§ 2. Основные соотношения. Смешивание молекулярных конфигураций в примесной молекуле
§ 3. Локальные состояния в окрестности вакансий и молекул примеси. Роль резонансного взаимодействия между примесью и молекулами основного вещества
§ 4. Поляризация примесного поглощения в молекулярных кристаллах
5. Экситонные состояния в смешанных молекулярных кристаллах
§ 1. Введение
§ 2. Тензор (w; s) в молекулярных кристаллах
§ 3. Некоторые соотношения для дипольно-разрешенных экситонных состояний в гиротропных кристаллах. Форма зон при малых К и свойства волновых функций
§ 4. Тензор (w; s) в кристаллах, состоящих из негиротропных молекул
§ 5. Тензор (w; s) в кристаллах, состоящих из гиротропных молекул
§ 6. Дисперсия оптической активности молекулярных кристаллов и круговой дихроизм
§ 7. Экспериментальные исследования дисперсии оптической активности кристаллов
Глава VIII Теория поверхностных экситонов
§ 1. Введение
§ 2. Феноменологическая теория поверхностных экситонов без учета запаздывания
§ 3. Феноменологическая теория поверхностных экситонов при учете запаздывания
§ 4. Микроскопическая теория поверхностных экситонов в молекулярных кристаллах без учета запаздывающего взаимодействия
§ 5. Микроскопическая теория поверхностных экситонов в молекулярных кристаллах при учете запаздывающего взаимодействия
Глава IX Миграция энергии электронного возбуждения в кристаллах
§ 1. Механизмы переноса
§ 2. Длина свободного пробега и коэффициент диффузии локализованных экситонов в молекулярных кристаллах
§ 3. Длина свободного пробега и коэффициент диффузии свободных экситонов в молекулярных кристаллах
§ 4. Рассеяние свободных экситонов на примесях и дефектах кристаллической структуры
§ 5. Захват экситонов в молекулярном кристалле примесными молекулами
§ 6. Феноменологические уравнения диффузии экситонов
§ 7. Макроскопические характеристики экситонной люминесценции в условиях сильной реабсорбции
§ 8. Экспериментальные исследования кинетических параметров, определяющих перенос энергии электронного возбуждения в молекулярных кристаллах, и сравнение результатов этих исследований с теорией
Глава X Статистика и коллективные свойства френкелевских экситонов
§ 1. Метод приближенного вторичного квантования
§ 2. Представление операторов Паули через операторы Бозе
§ 3. Коллективные свойства идеального газа паулионов
§ 4. Коллективные свойства френкелевских экситонов при учете динамического взаимодействия между ними
§ 5. Фермиевский характер френкелевских экситонов в одномерных молекулярных кристаллах
Приложение. Диагонализация гамильтониана, квадратичного относительно бозе-амплитуд
Литература
Рекомендуем
