- Артикул:00-01101996
- Автор: Черняев В.Н.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Энергия (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 376
- Год: 1977
- Вес: 603 г
Развернуть ▼
В книге рассматриваются физико-химические основы типовых процессов производства интегральных микросхем: термовакуумного испарения, катодного распыления, химических и электрохимических методов получения слоев, диффузии, эпитаксии, ионного внедрения и фотолитографии. Описываются технологии изготовления интегральных гибридных пленочных и интегральных полупроводниковых микросхем, а также применяемое оборудование.
Книга также может быть полезна инженерам, специализирующимся в области производства радиоэлектронной аппаратуры.
Содержание
Оглавление
Предисловие
Часть первая Методы описания технологических процессов производства интегральных микросхем
Глава первая. Параметры, описывающие технологический процесс
1-1. Интегральные микросхемы и их классификация
1-2. Технологические схемы процессов
1-3. Элемент технологического процесса
1-4. Факторы, влияющие на технологический процесс, и методы их анализа
1-5. Моделирование типовых технологических процессов
Глава вторая. Методы анализа технологических процессов производства интегральных микросхем
2-1. Технологический процесс как большая система
2-2. Элементы дисперсионного анализа технологических процессов
2-3. Элементы регрессионного и корреляционного анализа
2-4. О применении планирования эксперимента в технологии интегральных микросхем
2-5. Задача оптимизации технологических процессов
Часть вторая Физико-химические основы технологии интегральных микросхем
Глава третья. Основы теории осаждения слоев методами вакуумного испарения и конденсации
3-1. Слои и пленки для интегральных микросхем
3-2. Некоторые понятия термодинамики
3-3. Термодинамика и кинетика процессов испарения
3-4. Термодинамика и кинетика испарения сплавов
3-5. Состав осаждаемой пленки при испарении сплава
3-6. Метод ионно-плазменного (катодного) распыления
Глава четвертая. Химические методы осаждения слоев
4-1. Термодинамика химических процессов осаждения слоев
4-2. Кинетика химических процессов осаждения слоев
4-3. Газодинамические закономерности в процессах осаждения слоев
4-4. Расчет кинетических характеристик при осаждении слоев химическим методом
4-5. Электролитическое осаждение металлических слоев
Глава пятая. Явления адсорбции при осаждении слоев
5-1. Энергия взаимодействия атомных частиц с поверхностью твердого тела
5-2. Термодинамика поверхностных реакций
Глава шестая. Процессы зарождения и роста слоев
6-1. Гомогенное зародышеобразование
6-2. Гетерогенное зародышеобразование
6-3. Влияние технологических факторов на структуру пленок
6-4. Рост пленок
6-5. Эпитаксиальный рост пленок
Глава седьмая. Диффузионные процессы в технологии интегральных микросхем
7-1. Основные законы диффузии
7-2. Решение уравнений диффузии
7-3. Зависимость коэффициента диффузии от параметров состояния
7-4. Влияние процесса окисления на перераспределение примесей
7-5. Технология диффузионных процессов
7-6. Пример моделирования диффузионного процесса
Глава восьмая. Эпитаксиальные процессы создания структур в технологии интегральных микросхем
8-1. Элементы теории эпитаксиального роста
8-2. Сравнительная характеристика диффузионного и эпитаксиального процессов создания структур
8-3. Технология эпитаксиального наращивания слоев кремния
8-4. Гетероэпитаксиальные слои
Глава девятая. Процессы ионного внедрения в технологии интегральных микросхем
9-1. Общие понятия о методе ионного внедрения
9-2. Распределение пробегов ионов в аморфных подложках
9-3. Распределение пробегов ионов в монокристаллических подложках
9-4. Технология изготовления элементов интегральных микросхем методом ионного внедрения
Глава десятая. Фотолитографические процессы в технологии интегральных микросхем
10-1. Общие понятия о фотолитографии
10-2. Физико-химические основы фотолитографических процессов
10-3. Фоторезисты, требования к ним и основные фотохимические реакции
10-4. Основные операции фотолитографического процесса
10-5. Фотошаблоны и технология их производства
10-6. Автоматические методы изготовления фотошаблонов с применением ЭВМ
10-7. Технологические процессы фотолитографии в производстве тонкопленочных интегральных микросхем
10-8. Элионная технология в фотолитографических процессах
Глава одиннадцатая. Подложки для интегральных микросхем и основные методы их подготовки
11-1. Общие требования к подложкам интегральным микросхем
11-2. Пассивные подложки для гибридных интегральных микросхем
11-3. Многослойные подложки
11-4. Монокристаллические подложки для полупроводниковых интегральных микросхем
Часть третья Технология элементов гибридных интегральных микросхем
Глава двенадцатая. Основные методы и аппараты для осаждения тонких пленок
12-1. Основные узлы аппаратов для осаждения пленок
12-2. Базовые модели установок для получения пленок термовакуумным испарением
12-3. Установки для получения тонких пленок ионно-плазменным распылением
12-4. Методы получения пленок реактивным распылением
12-5. Установки для осаждения пленок химическими методами из газовой фазы
Глава тринадцатая. Технология тонкопленочных резисторов
13-1. Конструкции и материалы тонкопленочных резисторов
13-2. Технология металлических резисторов
13-3. Технология керметных тонкопленочных резисторов
13-4. Влияние технологических факторов на свойства тонкопленочных резисторов
13-5. Пример анализа точности изготовления тонкопленочных резисторов
Глава четырнадцатая. Технология тонкопленочных конденсаторов
14-1. Тонкопленочные конденсаторы и их конструкции
14-2. Материалы для тонкопленочных конденсаторов
14-3. Технология тонкопленочных конденсаторов
14-4. Пример типового технологического процесса получения RC интегральных микросхем
15 Глава пятнадцатая. Технология толстопленочных интегральных микросхем
15-1. Конструктивно-технологические особенности толстопленочных интегральных микросхем
15-2. Материалы для гибридных толстопленочных инте- • тральных микросхем
15-3. Технология изготовления рисунка толстопленочных интегральных микросхем
15-4. Технология вжигания паст в производстве толстопленочных интегральных микросхем
Часть четвертая Технология полупроводниковых интегральных микросхем
Глава шестнадцатая. Процессы электрической изоляции и маскирования в технологии интегральных микросхем
16-1. Методы создания внутрисхемной электрической изоляции полупроводниковых интегральных микросхем
16-2. Методы изоляции с применением диффузии
16-3. Методы диэлектрической изоляции
16-4. Процессы создания защитных пленок
Глава семнадцатая. Технология полупроводниковых биполярных и МДП интегральных микросхем
17-1. Конструктивно-технологические особенности полупроводниковых биполярных и МДП интегральных микросхем
17-2. Основные этапы технологии биполярных интегральных микросхем
17-3. Технология МДП интегральных микросхем
Глава восемнадцатая. Новые технологические направления в производстве полупроводниковых интегральных микросхем
18-1. Полупроводниковые интегральные микросхемы на пассивных подложках
18-2. Технология комплементарных МДП структур
18-3. МДП интегральные микросхемы с многослойным диэлектриком
18-4. Технология изготовления МДП интегральных микросхем двойной диффузией
18-5. МДП интегральные микросхемы с кремниевым затвором
Часть пятая Сборка интегральных микросхем
Глава девятнадцатая. Технология сборки, монтажа, контактирования и герметизации интегральных микросхем
19-1. Принципиальная технологическая схема сборки интегральных микросхем
19-2. Монтаж активных элементов методами совмещения
19-3. Технология создания контактов в интегральных микросхемах методами пайки
19-4. Технология создания контактов методами сварки
19-5. Неисправности в процессах создания контактов и их устранение
19-6. Герметизация интегральных микросхем
19-7. Герметизация интегральных микросхем в металлических корпусах
19-8. Герметизация интегральных микросхем в пластмассовых корпусах
19-9. Герметизация интегральных микросхем в керамических корпусах
Список литературы
Предметный указатель
Рекомендуем
