- Артикул:00-01044165
- Автор: И.А. Малышева
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Энергия (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 448
- Формат: 84x108 1/32
- Год: 1980
- Вес: 693 г
- Серия: Учебник для СПО (все книги серии)
Развернуть ▼
В книге дана общая характеристика производства микроэлектронных устройств, сформулированы общие требования к производству. Описаны основные технологические методы л процессы, такие как механическая обработка, очистка поверхности подложек, фотолитография, метод свободной маски, рентгеновская и электронная литография, методы получения пленок, эпитаксия, диффузия, ионное легирование. Разобраны типовые технологические процессы изготовления биполярных и МДП-микросхем, тонкопленочных и толстопленочных микросхем. Рассмотрены процессы сборки, герметизации, вопросы обеспечения качества и эффективности, а также тенденции дальнейшего развития микроэлектроники.
Книга предназначена в качестве учебника для студентов техникумов, обучающихся по специальности «Производство микроэлектронных устройств».
Оглавление
Предисловие
Введение
Глава первая. Общая характеристика производства микросхем
1-1. Основные понятия
1-2. Классификация и общая характеристика микросхем
1-3. Разработка технологии и техническая документация на микросхему
1-4. Основные процессы технологии производства ИМ
Контрольные вопросы и задания
Глава вторая. Общие требования к производству микросхем
2-1. Общие требования к технологическому процессу
2-2. Требования к чистоте воздушной среды и климатическим параметрам
2-3. Требования к технологическим газам и воде
2-4. Основные положения электронно-вакуумной гигиены
2-5. Основные особенности производства микросхем
Контрольные вопросы и задания
Глава третья. Изготовление полупроводниковых пластин и диэлектрических подложек для микросхем
3-1. Общие сведения о механической обработке полупроводников и диэлектриков для ИМ
3-2. Абразивная резка
3-3. Шлифовка и полировка заготовок для структур ИМ
3-4. Контроль пластин и подложек после механической обработки
Контрольные вопросы и задания
Глава четвертая. Химическая обработка и очистка поверхности полупроводниковых пластин и подложек
4-1. Общие сведения
4-2. Способы жидкостной обработки пластин и подложек
4-3. Интенсификация процессов очистки
4-4. Типовые процессы очистки пластин и подложек
4-5. Сухая очистка пластин и подложек
4-6. Контроль качества очистки поверхности пластин и подложек
Контрольные вопросы и задания
Глава пятая. Контактная фотолитография
5-1. Применение и сущность процесса фотолитографии
5-2. Формирование фоторезистивного слоя
5-3. Формирование фоторезистивной маски
5-4. Получение конфигурации элементов
5-5. Технология производства фотошаблонов
5-6. Виды брака и обеспечение качества фотолитографии
Контрольные вопросы и задания
Глава шестая. Получение конфигурации пленочных элементов ИМ с помощью свободных масок
6-1. Метод свободной маски
6-2. Технология производства свободных масок для тонкопленочных ИМ
6-3. Метод трафаретной печати
Контрольные вопросы и задания
Глава седьмая. Новые методы литографии
7-1. Бесконтактная фотолитография
7-2. Рентгеновская литография
7-3. Электронная литография
Контрольные вопросы и задания
Глава восьмая. Методы получения тонких пленок
8-1. Метод термовакуумного напыления
8-2. Распыление ионной бомбардировкой
8-3. Термическое оксидирование
8-4. Осаждение пленок из парогазовой фазы
8-5. Анодное электролитическое оксидирование
8-6. Осаждение металлов из электролитов и растворов
Контрольные вопросы и задания
Глава девятая. Эпитаксиальное выращивание полупроводниковых слоев
9-1. Основы процессов эпитаксии
9-2. Методы эпитаксиального роста из парогазовой фазы
9-3. Другие методы эпитаксии
9-4. Гетероэпитаксия
9-5. Локальная эпитаксия
9-6. Легирование эпитаксиальных слоев
9-7. Дефекты эпитаксиальных слоев
9-8. Контроль эпитаксиальных слоев
Контрольные вопросы и задания
Глава десятая. Высокотемпературная диффузия
10-1. Основы метода высокотемпературной диффузии
10-2. Особенности диффузии в планарной технологии
10-3. Способы проведения диффузии
10-4. Дефекты и контроль диффузионных структур
Контрольные вопросы и задания
Глава одиннадцатая. Ионное легирование и другие методы получения полупроводниковых элементов
11-1. Основы метода ионного легирования
11-2. Распределение концентрации примесей в ионолегированных слоях
11-3. Техника выполнения процесса ионного легирования
11-4. Преимущества и недостатки ионного легирования
11-5. Другие методы получения полупроводниковых элементов
Контрольные вопросы и задания
Глава двенадцатая. Металлизация кремниевых структур
12-1. Общие сведения
12-2. Однослойная алюминиевая металлизация
12-3. Многослойная металлизация
12-4. Многоуровневая металлизация
12-5. Металлизация навесных активных элементов
12-6. Дефекты и контроль качества металлизации
Контрольные вопросы и задания
Глава тринадцатая. Технологические процессы изготовления структур биполярных микросхем
13-1. Конструктивно-технологические особенности биполярных микросхем
13-2. Технология изготовления структур биполярных ИМ с изоляцией р-n переходом
13-3. Технология изготовления структур биполярных ИМ с диэлектрической изоляцией
13-4. Технология изготовления структур биполярных ИМ с комбинированной изоляцией
13-5. Технология изготовления структур совмещенных ИМ
Контрольные вопросы и задания
Глава четырнадцатая. Технологические процессы изготовления структур МДП-ИМ
14-1. Конструктивно-технологические особенности МДП-ИМ
14-2. Технология изготовления структур тонкооксидных р-канальных МДП-ИМ
14-3. Технология изготовления структур МТОП-ИМ
14-4. Технология изготовления структур МДП-ИМ с фиксированными затворами
14-5. Технология изготовления структур КМДП-ИМ
14-6. Пути улучшения качества МДП-ИМ
14-7. Защита полупроводниковых структур
14-8. Контроль диэлектрических пленок
Контрольные вопросы и задания
Глава пятнадцатая. Технология изготовления структур тонкопленочных микросхем
15-1. Общие сведения
15-2. Типовые схемы и основные этапы изготовления структур тонкопленочных микросхем
15-3. Технология изготовления структур тонкопленочных микросхем с применением свободных масок
15-4. Технология изготовления структур тонкопленочных микросхем с применением фотолитографии
15-5. Технология изготовления структур танталовых тонкопленочных микросхем
15-6. Технология изготовления структур тонкопленочных микросхем с помощью лучевой обработки
15-7. Подгонка номиналов и защита пленочных элементов
15-8. Контроль в производстве структур тонкопленочных микросхем
Контрольные вопросы и задания
Глава шестнадцатая. Технология изготовления структур толстопленочных ГИМ
16-1. Общие сведения
16-2. Основные этапы технологии изготовления пассивной части структур толстопленочных ГИМ
16-3. Контроль при изготовлении толстопленочных микросхем
Контрольные вопросы и задания
Глава семнадцатая. Сборка микросхем
17-1. Разделение пластин и подложек с готовыми структурами
17-2. Основные методы сборки
17-3. Монтаж кристаллов и плат
17-4. Проволочный монтаж
17-5. Беспроволочный монтаж
17-6. Контроль в процессе сборки
Контрольные вопросы и задания
Глава восемнадцатая. Герметизация микросхем
18-1. Корпуса микросхем
18-2. Методы герметизации в корпуса
18-3. Герметизация в корпуса различного типа
18-4. Бескорпусная герметизация
18-5. Контроль качества герметизации
18-6. Заключительные операции изготовления микросхем
Контрольные вопросы и задания
Глава девятнадцатая. Обеспечение эффективности производства и качества микросхем
19-1. Основные направления и задачи микроэлектроники в текущей пятилетке
19-2. Обеспечение эффективности и качества на современном этапе развития микроэлектроники
19-3. Неразрушающий контроль и совершенствование технологии
Контрольные вопросы и задания Заключение
Контрольные вопросы к задания
Список литературы
Предметный указатель
Рекомендуем
