- Артикул:00-01045757
- Автор: Таиров Ю.М., Цветков В.Ф.
- Обложка: Твердый переплет
- Издательство: Высшая школа (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 271
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1983
- Вес: 473 г
- Серия: Учебник для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
В книге изложены теоретические основы технологии получения полупроводниковых и диэлектрических материалов:
процессов тепломассопередачи, химических процессов, процессов переработки сырьевых материалов, процессов кристаллизации и стеклования; рассмотрены основы моделирования технологических процессов, технологические схемы получения важнейших полупроводниковых и диэлектрических материалов, используемых в электронной технике.
Оглавление
Предисловие
Введение
Глава 1. Основы тепломассопередачи и химических процессов в технологии полупроводников и диэлектриков
§ 1.1. Процессы теплопередачи
Передача теплоты за счет теплопроводности
Передача теплоты за счет теплового излучения
Передача теплоты за счет конвекции
Сложная теплопередача
§ 1.2. Процессы массопередачи
Равновесные соотношения и основные статические параметры процессов массопередачи
Гидродинамические основы процессов массопередачи
Основы кинетики процессов массопередачи
§ 1.3. Химические процессы
Классификация химических реакций
Равновесие в химико-технологических процессах
Кинетика гетерогенных химико-технологических процессов
§ 1.4. Моделирование технологических процессов
Математическое моделирование
Физическое моделирование
Глава 2. Физико-химические основы процессов переработки сырьевых металлов
§ 2.1 Процессы измельчения и рассеивания твердых тел
§ 2.2. Основы процессов разделения и очистки
Общая характеристика чистоты вещества
Общая характеристика процессов разделения и очистки
Сорбционные процессы
Процессы жидкостной экстрации
Кристаллизационные процессы
Процессы перегонки через газовую фазу
Другие процессы разделения и очистки веществ
Глава 3. Физико-химические основы процессов затвердевания
§ 3.1. Образование кристаллических зародышей и стеклование
§ 3.2. Механизм и кинетика роста кристаллов
Глава 4. Основы технологии получения монокристаллов полупроводниковых и диэлектрических материалов
§ 4.1. Получение кристаллов из твердой фазы
§ 4.2. Получение кристаллов из жидкой фазы
§ 4.3. Получение кристаллов из газовой фазы
§ 4.4. Получение профильных монокристаллов
Глава 5. Физико-химические основы процессов легирования монокристаллов полупроводниковых и диэлектрических материалов
§ 5.1. Легирование кристаллов в твердой фазе
§ 5.2. Легирование кристаллов в процессе выращивания из жидкой фазы
Кристаллизация расплава, содержащего легирующую примесь
Распределение примесей в выращиваемых кристаллах
Методы получения однородно легированных монокристаллов
§ 5.3. Легирование кристаллов в процессе выращивания из газовой фазы
Глава 6. Основы технологии получения стекла и стеклокристаллических материалов
§ 6.1. Строение и свойства стекла. Классификация стекол
§ 6.2. Получение силикатных стекол
Сырьевые материалы для производства стекла
Варка стекла и выработка изделий
Отжиг и закалка изделий из стекла
§ 6.3. Получение стеклокристаллических материалов (ситаллов)
Глава 7. Основы технологии получения керамических материалов
§ 7.1. Строение и состав керамических материалов
§ 7.2. Закономерности процесса формования заготовок керамических изделий
§ 7.3. Закономерности термической обработки заготовок
Литература
Предметный указатель
Рекомендуем
