- Артикул:00-01037997
- Автор: Хорин И.А.
- ISBN: 978-5-4486-0210-8
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Ай Пи Ар Медиа (все книги издательства)
- Город: Саратов
- Страниц: 280
- Формат: 60x90/16 (~145х215 мм)
- Год: 2018
- Вес: 427 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
В учебном пособии рассмотрены ключевые технологии электронной компонентной базы, такие как получение полупроводниковых пластин, легирование, литография, травление, осаждение пленок, быстрые термические отжиги, сборка микросхем. Дан анализ современного состояния и тенденций развития электроники. Особое внимание уделяется получению наноструктур при оптической литографии, технологии «Кремний на изоляторе» и формированию систем многоуровневой металлизации ИС.
Содержание
Введение
Глава 1. Электроника и тенденции ее развития
Глава 2. Чистые промышленные помещения
Глава 3. Кремний — основной материал микроэлектроники
Глава 4. Выращивание объемных п/п монокристаллов
4.1. Получение кристаллов из жидкой фазы
4.1.1. Выращивание кристаллов из расплава
Методы нормальной направленной кристаллизации
Методы вытягивания кристаллов из расплава
Выращивание кристаллов методами зонной плавки
4.1.2. Выращивание монокристаллов из раствора
4.2. Выращивание кристаллов из газообразной фазы
4.2.1. Метод сублимации-конденсации
4.2.2. Метод химических реакций
4.2.3. Метод химического транспорта
Глава 5. Получение чистых п/п материалов
5.1. Кристаллизационные методы очистки
5.2. Методы и принципиальные возможности очистки кристаллизацией
5.3. Модификация метода очистки зонной плавкой
Глава 6. Легирование п/п материалов
6.1. Легирование уже выращенных кристаллов
6.2. Легирование объемных кристаллов в процессе выращивания из жидкой фазы
6.2.1. Первая группа методов выравнивания состава кристаллов
Механическая подпитка расплава твердой фазой
Механическая подпитка расплава жидкой фазой
Механическая подпитка расплава газовой фазой
6.2.2. Вторая группа методов выравнивания состава кристаллов (изменение условий выращивания)
Глава 7. Монокристаллические пленки
7.1. Эпитаксия
7.2. Особенности гетероэпитаксии
7.3. Причины образования структурных дефектов
7.4. Методы эпитаксии
7.4.1. Жидкостная эпитаксия
7.4.2. Эпитаксия из газообразной фазы
Метод химических реакций
Метод газотранспортных реакций
7.4.3. Молекулярно-лучевая эпитаксия
Глава 8. Окончательная обработка кремния
Глава 9. Технохимические процессы подготовки п/п подложек
9.1. Отмывка п/п подложек
9.2. Химическая обработка п/п подложек
9.3. Химико-динамическая обработка п/п подложек
9.4. Электрохимическая обработка п/п подложек
9.5. Парогазовая обработка кремниевых подложек
9.6. Ионно-плазменная обработка п/п подложек
9.7. Плазмохимическая обработка п/п подложек
9.8. Другие методы вакуумной очистки поверхности
Глава 10. Литографические процессы
10.1. Фоторезисты и их свойства
10.2. Нанесение фотослоя
10.3. Сушка фоторезиста
10.4. Совмещение и экспонирование
10.5. Проявление
10.6. Травление
10.7. Изготовление фотошаблонов
10.8. Субтрактивные и аддитивные методы переноса рисунка
10.9. Побочные эффекты
10.10. Селективность и контроль размеров элементов
Глава 11. Методы оптической литографии
Глава 12. Получение наноструктур при оптической литографии
12.1. Фазосдвигающие маски
12.2. Многослойные резисты
12.3. Внеосевое освещение
12.4. Иммерсионная литография
12.5. Суб-40 нм структуры
Глава 13. Другие виды литографии
13.1. Рентгеновская литография
13.1.1. Общее описание рентгеновской литографии
13.1.2. Принципиальная схема установки для рентгеновской литографии
13.1.3. Резисты для рентгеновской литографии
13.1.4. Шаблоны для рентгеновской литографии
13.2. Литография с экстремальным ультрафиолетом
13.3. Электронно-лучевая литография
13.3.1. Проекционная электронно-лучевая литография
13.3.2. Сканирующая электронно-лучевая литография
13.4. Ионно-лучевая литография (ИЛЛ)
Глава 14. Травление микро- и наноструктур
14.1. Классификация методов травления
14.2. Жидкостное химическое травление
14.3. Вакуумно-плазменные (сухие) методы травления
Глава 15. Двойной дамасцен Процесс
Глава 16. Технология «Кремний на изоляторе»
Глава 17. Легирование п/п материалов
17.1. Легирование методом термической диффузии примесей
17.1.1. Диффузия из постоянного внешнего источника
17.1.2. Диффузия из конечного поверхностного источника
17.1.3. Рабочая камера диффузионной печи
17.2. Ионная имплантация
Глава 18. Получение пленок оксида и нитрида кремния
Глава 19. Быстрый термический отжиг
Глава 20. Основы толстопленочной технологии
Глава 21. Методы физического осаждения тонких пленок в вакууме.
21.1. Термическое вакуумное напыление
21.2. Электронно-лучевое испарение
21.3. Лазерное испарение
21.4. Ионно-лучевое распыление
21.5. Катодное распыление
21.6. Распыление в триодных устройствах
21.7. Высокочастотное распыление
21.8. Магнетронное распыление
Глава 22. Химическое осаждение из газовой фазы
Глава 23. Системы металлизации ИС, контактные и барьерные слои
23.1. Контактные слои в системах металлизации
23.2. Барьерные слои в системе металлизации
23.3. Высокопроводящие слои в системах металлизации
Глава 24. Технология сборки микросхем
24.1. Коммутационные платы микросборок
24.1.1. Тонкопленочные платы
24.1.2. Тонкопленочные платы на основе анодированного алюминия,
24.1.3. Толстопленочные платы
24.1.4. Платы на основе многослойной керамики
24.1.5. Платы на основе полиимидной пленки
24.2. Крепление подложек и кристаллов
24.3. Микросварка
24.4. Электрический монтаж кристаллов ИС на коммутационных платах
24.4.1. Проволочный монтаж
24.4.2. Ленточный монтаж
24.4.3. Монтаж с помощью жестких объемных выводов
24.5. Типы корпусов процессоров
24.6. Многокристальные сборки
Глава 25. Технологии изготовления СБИС
25.1. Основы технологии производства n-МОП СБИС
25.2. ЛОКОС-процесс и изоляция активных областей
25.3. Основы технологии производства КМОП СБИС
25.4. Технология производства биполярных СБИС
Список рекомендуемой литературы
Рекомендуем
