- Артикул:00-01043785
- Автор: Быстров Ю.А., Колгин Е.А., Котлецов Б.Н.
- ISBN: 5-256-00006-3
- Обложка: Мягкий переплет
- Издательство: Радио и связь (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 168
- Формат: 60х90/16
- Год: 1988
- Вес: 213 г
Развернуть ▼
Рассматриваются различные методы и средства измерения линейных размеров, толщин и глубин топологических элементов интегральных микросхем с позиций их применимости для неразрушающего и оперативного контроля в процессе производства. Указаны пути совершенствования и оценены предельные возможности каждого из методов.
Приводятся рекомендации по выбору структурных схем и алгоритмов для решения задачи автоматизации процесса измерения.
Для инженерно-технических работников.
Оглавление
Предисловие
Введение
Глава 1. Визуальный метод контроля с помощью оптических микроскопов
1.1. Основные оптические схемы и характеристики
1.2. Точность измерений размеров элементов на приборах визуального контроля
Глава 2. Фотоэлектрические и телевизионные методы измерений
2.1. Фотоэлектрические методы
2.2. Телевизионные фотоэлектрические измерители линейных размеров
2.3. Рентгенотелевизионные методы
Глава 3. Дифракционные методы измерений
3.1. Измерение размеров одиночных элементов по дифракционной картине
3.2. Контроль размеров элементов топологических структур по тестовым дифракционным решеткам
Глава 4. Контроль качества полупроводниковых пластин
4.1. Измерение толщины пластин
4.2. Контроль фаски
4.3. Обнаружение поверхностных дефектов обработки пластин
4.4. Контроль шероховатости поверхности пластин
4.5. Контроль неплоскостности и прогиба
Глава 5. Контроль толщины и равномерности нанесения пленок
5.1. Пленочные слои, применяемые в производстве ИС
5.2. Контроль толщины диэлектрических пленок на этапах термического окисления и пиролитического осаждения
5.3. Контроль толщины эпитаксиальных слоев кремния
5.4. Контроль толщины диффузионных и ионно-имплантированных областей
5.5. Контроль толщины пленок в ходе вакуумного и ионно-плазменного осаждения
5.6. Контроль толщины и равномерности нанесения слоя резиста
Глава 6. Контроль глубины при ионно-плазменном и плазмохимическом травлении микроструктур
6.1. Особенности организации контроля при ионно-плазменном и плазмохимическом травлении
6.2. Масс-спектрометрическая регистрация начала и окончания травления
6.3. Контроль методами оптической спектрометрии
6.4. Контроль травления по электрическим потенциалам
6.5. Контроль с помощью лазерного интерферометра-рефлексометра
Заключение
Список литературы
Рекомендуем
