- Артикул:00-01033498
- Автор: Горюнов Н.Н.
- Обложка: Твердый переплет
- Издательство: Энергия (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 104
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1970
- Вес: 250 г
- Серия: Библиотека по радиоэлектронике (все книги серии)
Свойства полупроводниковых приборов при длительной работе и хранении
Рассказывается о свойствах полупроводниковых диодов и транзисторов при их длительной работе и хранении. Описаны основные причины отказов приборов, связанные с явлениями на поверхности кристаллов, пробоем переходов, разрушением контактов. Приведены математические модели процессов отказов. Излагаются технические требования к качеству и надежности приборов, методы их проверки и обработки результатов испытаний. Даны сведения об ускоренных испытаниях и неразрушающем контроле качества. Приведены экспериментальные зависимости интенсивности отказов и изменения величин параметров приборов от времени и нагрузки. Даны рекомендации по проектированию надежной аппаратуры на диодах и транзисторах.
Книга предназначена для широкого круга лиц, занимающихся проектированием, изготовлением и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры на диодах и транзисторах, а также исследованиями надежности аппаратуры и приборов.
Содержание
Глава первая. Качество и надежность полупроводниковых приборов и их характеристики
1.1. Качество и надежность и методы их контроля
1.2. Планирование испытаний
1.3. Обработка результатов испытаний и измерений параметров приборов
Глава вторая. Физика отказов диодов и транзисторов
2.1. Модели процессов отказов
2.2. Конструкции диодов и транзисторов
2.3. Явления на поверхности кристаллов с переходами
2.4. Короткие замыкания и обрывы в диодах и транзисторах
Глава третья. Ускоренные испытания и неразрушающий контроль
3.1. Ускоренные испытания
3.2. Неразрушающий контроль качества полупроводниковых приборов
Глава четвертая. Свойства диодов и транзисторов при длительной работе и хранении
4.1. Проведение испытаний и получение экспериментальных результатов
4.2. Зависимость надежности от условий хранения и режима работы
4.3. Основные правила проектирования аппаратуры на диодах и транзисторах
Рекомендуем
