- Артикул:00-01102122
- Автор: Готра З.Ю.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Каменяр (все книги издательства)
- Город: Львов
- Страниц: 287
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1986
- Вес: 436 г
Развернуть ▼
В справочнике приводятся данные о материалах, которые применяются при производстве микроэлектронных устройств, о способах очистки, механической, химической и электромеханической обработки. Рассмотрены вопросы диффузии, эпитаксии, выращивания монокристаллов полупроводников, вакуумного напыления, литографии и сборки в производстве микроэлектронных устройств. Для специалистов, работающих в области технологии микроэлектронных устройств, может быть полезен учащимся профтехучилищ соответствующего профиля.
Содержание
Предисловие
Глава 1. Основные материалы для полупроводниковых микроэлектронных устройств
1.1. Структура кристаллического твердого тела
1.2. Полупроводниковые материалы
1.3. Электродные материалы
Глава 2. Методы получения, очистки и легирования полупроводниковых материалов
2.1. Методы направленной кристаллизации из расплавов
2.2. Методы получения равномерно легированных монокристаллов полупроводников
2.3. Программирование кристаллизационного процесса (изменение условий роста монокристаллов)
2.4. Маркировка и основные свойства поликристаллических и монокристаллических полупроводников
Глава 3. Механическая обработка полупроводниковых материалов
3.1. Кристаллографическая ориентация полупроводниковых слитков
3.2. Материалы для наклейки слитков, пластин и кристаллов
3.3. Виды резки полупроводниковых материалов
3.4. Материалы для механической шлифовки и полировки полупроводниковых материалов
3.5. Шлифовка и полировка пластин
3.6. Разделение пластин
Глава 4. Полупроводниковые подложки и физико-химические методы обработки их поверхности
4.1. Требования к полупроводниковым подложкам
4.2. Методы контроля качества полупроводниковых подложек
4.3. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников
4.4. Геттерирование примесей и дефектов в полупроводниковых подложках
4.5. Методы получения окисных пленок кремния
Глава 5. Диффузия в полупроводниках
5.1. Физические основы процесса диффузии
5.2. Материалы для проведения диффузионных процессов в полупроводниках
5.3. Способы проведения диффузии
Глава 6. Технология эпитаксиальных слоев
6.1. Физические основы процесса эпитаксии
6.2. Методы проведения эпитаксии
6.3. Легирование в процессе эпитаксии
6.4. Контроль параметров эпитаксиальных слоев
Глава 7. Фотошаблоны и технология их изготовления
7.1. Классификация фотошаблонов и общая технологическая схема их изготовления
7.2. Основное технологическое оборудование для изготовления фотошаблонов
7.3. Металлизированные фотошаблоны
7.4. Цветные фотошаблоны
Глава 8 литографические процессы в технологии микроэлектронных устройств
8.1. Фотолитография
8.2. Электронно-лучевая литография (ЭЛЛ)
8.3. Рентгеновская литография
8.4. Ионно-лучевая и голографическая литография
8.5. Процессы травления в литографии
Глава 9. Методы и средства получения тонких пленок
9.1. Термовакуумный метод получения тонких пленок
9.2. Методы осаждения пленок из ионизированных потоков многоатомных частиц
9.3. Метод ионного покрытия
9.4. Осаждение пленок из ионных пучков
9.5. Катодное, ионно-плазменное и магнетронное распыление
9.6. Технология и параметры проводящих, резистивных тонких пленок
Глава 10. Сборка микроэлектронных устройств
10.1. Крепление кристаллов и контактирование выводов
10.2. Ультразвуковая сварка
10.3. Технология термокомпрессионной и УЗ сварки
10.4. Припои и технология пайки при сборке МЭУ
10.5. Беспроволочный монтаж элементов МЭУ
Литература
Рекомендуем
