- Артикул:00-01052973
- Автор: Д. Вудраф, Т. Делчар
- ISBN: 5-03-001129-3
- Тираж: 5000 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: МИР (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 564
- Формат: 60 90/16
- Год: 1989
- Вес: 836 г
- Серия: Учебник для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
В книге английских ученых излагаются физические основы более двадцати современных методов исследования поверхности (дифракция медленных электронов, ионная и электронная спектроскопия и т. д.). Дается сравнение и сопоставление методов друг с другом в зависимости от исследуемой проблемы физики поверхности. Для студентов и аспирантов физических, химических и материаловедческих специальностей, и также для широкого круга исследователей в области физики поверхности.
Содержание
Предисловие редактора перевода
Предисловие
Сокращения
Глава 1. Введение
1.1. Почему поверхность?
1.2. Сверхвысокий вакуум, загрязнения и очистка
1.3. Адсорбция на поверхности
1.4. Аналитические методы исследования поверхности
Глава 2. Кристаллография поверхности и дифракция электронов
2.1. Симметрия поверхности
2.2. Описание структур верхних слоев
2.3. Обратная решетка и дифракция электронов
2.4. Дифракция электронов; качественное рассмотрение
2.5. Домены, ступеньки и дефекты
2.6. Определение структуры поверхности с помощью ДМЭ
2.6.1. Общее рассмотрение и недостатки методов однократного рассеяния и фурье - преобразования
2.6.2. Основные теории многократного рассеяния
2.6.3. Применение расчетов многократного рассеяния
2.7. Тепловые эффекты
2.8. Дифракция отраженных быстрых электронов (ДОБЭ)
Глава 3. Методы электронной спектроскопии
3.1. Общие замечания
3.1.1. Введение
3.1.2. Неупругое рассеяние электронов и поверхностная чувствительность
3.1.3. Электронные спектрометры
3.1.4. Распределение - электронов по энергии в методах электронной спектроскопии
3.1.5. Методы электронной спектроскопии: спектроскопия остовных уровней атомов
3.2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС)
3.2.1. Введение
3.2.2. Источники фотонов
3.2.3. Форма и сдвиги фотоэлектронных пиков
3.2.4. РФЭС - спектроскопия остовных уровней
3.2.5. Использование синхротронного излучения
3.2.6. Структурные эффекты в РФЭС
3.3. Электронная оже - спектроскопия (ЭОС)
3.3.1. Введение: основные процессы
3.3.2. Энергетические уровни, сдвиги и форма пиков
3.3.3. ЭОС как метод анализа состава поверхности
3.3.4. ЭОС и РФЭС - некоторые сопоставления
3.4. Пороговые методы
3.4.1. Спектроскопия потенциала появления (СПП)
3.4.2. Спектроскопия ионизационных потерь (СИП)
3.4.3. Структурные эффекты в пороговых методах
3.5. Ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия (УФЭС)
3.5.1. Введение
3.5.2. Использование УФЭС для изучения зонной структуры
3.5.3. Применение УФЭС для изучения адсорбированных молекул
Глава 4. Методы ионной спектроскопии
4.1. Введение
4.2. Обмен зарядом между ионами и поверхностью
4.2.1. Ионно - нейтрализационная спектроскопия (ИНС)
4.2.2. Ионно - нейтрализационная спектроскопия с участием метастабильных атомов
4.2.3. Экспериментальное оборудование для ИНС
4.2.4. Экспериментальные результаты, полученные при нейтрализации ионов на поверхности металлов
4.2.5. Информация, получаемая при ИНС металлов
4.3. Методы, основанные на изучении рассеяния ионов
4.3.1. Рассеяние медленных ионов (РМИ): основные положения
4.3.2. Структурные эффекты в РМИ
4.3.3. Оборудование, проблемы и перспективы РМИ
4.3.4. Рассеяние быстрых ионов (РБИ)
4.4. Распыление и послойный анализ
4.5. Вторично-ионная масс-спектрометрия (ВИМС)
Глава 5. Десорбционная спектроскопия
5.1. Введение
5.2. Термодесорбция
5.2.1. Введение
5.2.2. Качественный анализ зависимостей давления от времени
5.2.3. Экспериментальное оборудование для импульсной десорбции и ТПД
5.2.4. Спектры импульсной десорбции и ТПД
5.3. Электронно-стимулированная десорбция
5.3.1. Основные механизмы
5.3.2. Оборудование и измерения
5.3.3. Некоторые приложения и результаты
Глава 6. Полевые методы
6.1. Полевая эмиссия
6.2. Полевой электронный микроскоп
6.2.1. Факторы, определяющие работу микроскопа
6.2.2. Устройство микроскопа
6.2.3. Экспериментальные результаты, полученные с помощью полевой электронной микроскопии (ПЭМ)
6.3. Полевая ионизация
6.4. Испарение и десорбция полем
6.5. Полевой ионный микроскоп
6.6. Полевой ионный микроскоп с атомным зондом
Глава 7. Методы измерения работы выхода
7.1. Введение
7.2. Монокристаллические поверхности
7.3. Поликристаллические поверхности
7.4. Диодный метод измерения работы выхода
7.5. Измерения работы выхода, основанные на КРП
7.6. Методы полевой эмиссии
7.7. Фотоэлектрические измерения
7.8. Экспериментальные результаты
Глава 8. Рассеяние молекулярных и атомных пучков
8.1. Введение
8.2. Взаимодействие нейтральной частицы с поверхностью
8.3. Неупругое рассеяние, классическая точка зрения
8.3.1. Неупругое рассеяние, квантовомеханическая точка зрения
8.4. Упругое рассеяние
8.5. Получение и использование молекулярных пучков
8.6. Детекторы
8.7. Экспериментальные установки
8.8. Исследования, проводимые на основе изучения рассеяния атомных и молекулярных пучков
Глава 9. Методы колебательной спектроскопии
9.1. Введение
9.2. ОАИКС
9.3. Спектроскопия потерь энергии электронов
9.4. Экспериментальные методы ОАИКС
9.4.1. Применения ОАИКС
9.5. Экспериментальная методика СХПЭЭВР
9.5.1. Экспериментальные результаты по СХПЭЭВР
Литература
Именной указатель
Указатель химических соединений
Предметный указатель
Рекомендуем
