- Артикул:00-01103475
- Автор: Воробьев М.Д.
- ISBN: 978-5-383-01669-5
- Обложка: Мягкая обложка
- Издательство: МЭИ (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 169
- Формат: 60х84/16
- Год: 2023
- Вес: 214 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
Изложены основные разделы дисциплин, являющихся базовыми для обучающихся по специальностям приборного и схемотехнического профиля. Помимо физических основ рассмотрены вопросы прикладного характера, часто встречающиеся в практике применения полупроводниковых и вакуумных активных электронных элементов. Каждый из разделов пособия снабжен вопросами для самоконтроля.
Для студентов II и III курсов специальности "Электронные приборы и устройства".
Содержание
Предисловие
1. Свойства полупроводников
1.1. Металлы, полупроводники и диэлектрики
1.2. Кристаллическая решетка беспримесного (собственного) полупроводника
1.3. Кристаллическая решетка полупроводника при тепловом воздействии. Примесные полупроводники. Подвижные носители заряда
1.4. Элементы зонной теории твердого тела
1.5. Распределение электронов и дырок по энергетическим состояниям в зонах
1.6. Концентрация подвижных носителей заряда в полупроводниках
1.7. Дрейф и диффузия носителей заряда в полупроводниках
Контрольные вопросы
2. Контактные явления
2.1. Электронно-дырочный переход
2.2. Барьер Шоттки
2.3. Гетеропереходы
2.4. Омический контакт
Контрольные вопросы
3. Полупроводниковые диоды
3.1. Модели диодов
3.2. Выпрямительные диоды
3.3. Импульсные диоды
3.4. Варикапы
3.5. Стабилитроны
Контрольные вопросы
4. Биполярные транзисторы
4.1. Структура и принцип работы
4.2. Статические характеристики
4.3. Дифференциальные параметры
4.4. Особенности работы на высоких частотах
4.5. Работа транзистора в импульсном режиме
4.6. Модели биполярных транзисторов
4.7. Способы повышения быстродействия транзисторов
4.8. Параметры и конструктивные особенности различных типов транзисторов
4.9. Биполярный транзистор как элемент интегральных схем
Контрольные вопросы
5. Полевые транзисторы
5.1. Полевой транзистор с управляющим р-и-переходом
5.2. МДП-транзистор
5.3. Модели полевых транзисторов
5.4. Гетероструктурные полевые транзисторы
5.5. Электрические величины и параметры различных типов полевых транзисторов
Контрольные вопросы
6. Интегральные схемы
6.1. Цифровые интегральные схемы
6.2. Аналоговые интегральные схемы
Контрольные вопросы
7. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы
Контрольные вопросы
8. Вакуумная электроника
8.1. Термоэлектронная эмиссия и термокатоды
8.2. Автоэлектронная эмиссия и автоэлектронные катоды
8.3. Вторичная электронная эмиссия
8.4. Фотоэлектронная эмиссия. Эффективные фотокатоды
8.5. Управление электронным потоком в электровакуумных приборах с термокатодами
8.6. Формирование и пространственное перемещение электронного потока в электровакуумных приборах
Контрольные вопросы
Библиографический список
Содержание
Рекомендуем
