- Артикул:00-01056238
- Автор: Ю.А. Евсеев
- Обложка: Мягкая обложка
- Издательство: Энергия (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 192
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1978
- Вес: 240 г
Развернуть ▼
В книге содержатся сведения о разработанных в последние годы мощных таблеточных полупроводниковых приборах, предназначенных для работы в высоковольтных преобразовательных устройствах. Рассматриваются особенности высоковольтных р-п-переходов, конструкция и технология изготовления диодов, тиристоров и ограничителей напряжения.
Книга предназначена для инженерно-технических работников, специализирующихся в области изготовления и использования полупроводниковых приборов, она может быть полезна студентам старших курсов соответствующих специальностей.
Содержание
Предисловие
Глава первая. Силовые полупроводниковые приборы - элементы схем мощных высоковольтных устройств
Глава вторая. Влияние термической обработки и режимов диффузии на электрофизические свойства монокристаллического кремния
2-1. Основные требования к электронно-дырочным структурам высоковольтных диодов
2-2. Влияние термической обработки на сопротивление монокристаллического кремния
2-3. Восстановление времени жизни неосновных носителей заряда в электронно-дырочных структурах
а) Восстановление времени жизни дырок в процессе акцепторной диффузии
б) Влияние способа нанесения диффузанта и геттера и их концентрационных соотношений на время жизни дырок
в) Влияние режима термической обработки на время жизни дырок
г) Влияние исходных электрофизических параметров кремния на время жизни дырок в р+-р-n-структура
д) Восстановление времени жизни дырок в процессе донорной диффузии
е) Влияние низкотемпературного нагрева на время жизни неосновных носителей заряда
Глава третья. Конструкция и технология изготовления силовых высоковольтных таблеточных диодов
3-1. Особенности конструкции диодов
а) Электронно-дырочная структура и ее контур в месте выхода р-n-перехода на поверхность
б) Конструкция выпрямительного элемента и корпуса прибора
3-2. Особенности изготовления высоковольтных диодов
Глава четвертая. Анализ статических характеристик и расчет некоторых параметров р-n-р-n-структуры с учетом неодномерности физических процессов
4-1. Уравнения напряжений па электронно-дырочных переходах р-n-р-n-структуры
4-2. Расчет статических токов управления
4-3. Оценка площади первоначального включения р-n-р-n-структуры
Глава пятая. Нестационарные процессы в р-n-р-n-структурах
5-1. Переходный процесс включения в проводящее состояние (одномерное приближение)
5-2. Анализ процессов, протекающих в невключенной области р-n-р-n-структуры
5-3. Исследование процессов в начальной проводящей области р-n-р-n-структуры
Глава шестая. Анализ реальных р-n-р-n-структур
6-1. Структура с открытым участком л-эмиттера (с электрическим полем в л-эмиттере)
6-2. Структура с регенеративным управлением
6-3. Структура типа р-n-р-n с обратной проводимостью
6-4. Эффект du/dt в р-n-р-n-структурах
Глава седьмая. Мощные таблеточные тиристоры
7-1. Конструкция таблеточных тиристоров
7-2. Технология изготовления высоковольтных таблеточных тиристоров
Глава восьмая. Электрический пробой кремниевых электронно-дырочных переходов
8-1. Основные положения теории лавинного пробоя электронно-дырочных переходов
8-2. Влияние дефектов структуры монокристаллического кремния на электрический пробой р-л-переходов
8-3. Влияние свойств исходного кремния на параметры вольт-амперной характеристики р-л-перехода в режиме лавинного пробоя
Глава девятая. Особенности конструкции и технологии ограничителей напряжения
9-1. Импульсные и стабилитронные ограничители напряжения
9-2. Малоемкостные ограничители напряжения
Список литературы
Рекомендуем
Артикул 00-00002163
