- Артикул:00-01097967
- Автор: В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин, А.Д. Шинков
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Высшая школа (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 432
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1981
- Вес: 673 г
- Серия: Учебник для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
В книге изложена физика полупроводниковых приборов и элементов интегральных микросхем, рассмотрены их основные свойства, характеристики и параметры, в отличие от первых двух изданий включены вопросы конструктивно-технологических особенностей полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники.
Предназначается для студентов специальности «Полупроводники и диэлектрики».
Содержание
Предисловие
Введение
1. Основные сведения по физике полупроводников
§1.1. Энергетические зоны полупроводников
§ 1.2. Генерация и рекомбинация носителей заряда
§ 1.3. Концентрация носителей заряда в полупроводнике при термодинамическом равновесии
§ 1.4. Собственные полупроводники
§ 1.5. Примесные полупроводники
§ 1.6. Время жизни неравновесных носителей заряда
§ 1.7. Процессы электропроводности в полупроводниках
§ 1.8. Температурные зависимости концентрации носителей заряда и положения уровня Ферми
§ 1.9. Температурные зависимости подвижности носителей заряда и
удельной проводимости
§ 1.10. Полупроводники в сильных электрических полях
§ 1.11. Оптические свойства полупроводников
§ 1.12. Обедненные, инверсные и обогащенные поверхностные слои
§ 1.13. Поверхностная рекомбинация
§ 1.14. Проводимость канала поверхностной электропроводности
2. Контактные явления
§ 2.1. Электронно-дырочный переход
§ 2 2. Токи через электронно-дырочный переход
§ 2.3. Концентрация неосновных носителей заряда у границ электронно-дырочного перехода
§ 2.4. Методы формирования и классификация электронно-дырочных переходов
§ 2.5. Распределение напряженности электрического поля и потенциала в электронно-дырочном переходе
§ 2.6. Аналитический расчет резкого электронно-дырочного перехода
§ 2.7. Аналитический расчет плавного электронно-дырочного перехода с линейным распределением концентрации примесей
§ 2.8. Барьерная емкость электронно-дырочного перехода
§ 2.9. Контакт полупроводников с одним типом электропроводности
§ 2.10. Контакт металл—полупроводник
§ 2.11. Гетеропереходы
§ 2.12. Свойства и параметры невыпрямляющих контактов
3. Полупроводниковые диоды
§ 3.1. Структура и основные элементы
§ 3.2. Вольт-амперная характеристика диода при инжекции и экстракции носителей заряда
§ 3.3. Расчет распределения неосновных носителей заряда в базе диода
§ 3.4. Расчет постоянных токов, проходящих через диод и связанных с инжекцией и экстракцией носителей заряда
§ 3.5. Частные случаи расчета распределения неосновных носителей заряда и тока насыщения
§ 3.6. Расчет переменных токов и полной проводимости диода
§ 3.7. Графики частотных зависимостей параметров диода
§ 3.8. Физический смысл параметров диода
§ 3.9. Пределы применимости частных случаев расчета параметров диода
§ 3.10. Генерация и рекомбинация носителей заряда в электронно-дырочном переходе
§ 3.11. Лавинный пробой
§ 3.12. Туннельный пробой
§ 3.13. Тепловой пробой
§ 3.14. Влияние поверхностных состояний на вольт-амперную характеристику диода
§ 3.15. Процессы в диодах при больших прямых токах
§ 3.16. Расчет вольт-амперной характеристики диода при больших прямых токах
§ 3.17. Вольт-амперная характеристика диода в полулогарифмических координатах
§ 3.18. Переходные процессы в диодах
§ 3.19. Выпрямительные плоскостные диоды
§ 3.20. Селеновые выпрямители
§ 3:21. Выпрямительные точечные высокочастотные диоды
§ 3.22. Импульсные диоды
§ 3.23. Плоскостные диоды с выпрямлением на контакте металл-полупроводник
§ 3.24. СВЧ-диоды
§ 3.25. Стабилитроны
§ 3.26. Стабисторы
§ 3.27. Лавинно-пролетные диоды
§ 3.28. Туннельные диоды
§ 3.29. Обращенные диоды
§ 3.30. Варикапы
§ 3.31. Надежность диодов
4 Биполярные транзисторы
§ 4.1. Структура и основные режимы работы
§ 4.2. Распределение стационарных потоков носителей заряда
§ 4.3. Распределение носителей заряда
§ 4.4. Значения постоянных токов при активном режиме
§ 4.5. Явления в транзисторах при больших токах
§ 4.6. Статические параметры
§ 4.7. Пробой транзисторов
§ 4.8. Статические характеристики
§ 4.9. Работа транзистора на малом переменном сигнале
§ 4.10. Малосигнальные параметры
§ 4.11. Эквивалентные схемы
§ 4.12. Эквивалентная схема одномерной теоретической модели
§ 4.13. Барьерные емкости переходов и сопротивление базы
§ 4.14. Частотные характеристики
§ 4.15. Работа транзистора на импульсах
§ 4.16. Шумы в транзисторах
§ 4.17. Низкочастотные маломощные транзисторы
§ 4.18. Высокочастотные маломощные транзисторы
§ 4.19. Мощные транзисторы
§ 4.20. Однопереходный транзистор
§ 4.21. Надежность транзисторов
5. Тиристоры
§ 5.1. Структура и принцип действия
§ 5.2. Способы переключения
§ 5.3. Конструкция и технология изготовления
§ 5.4. Параметры и характеристики
6. Полевые транзисторы и приборы с зарядовой связью
§ 6.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
§ 6.2. Расчет выходных статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
§ 6.3. Эквивалентные схемы полевого транзистора с управляющим р-n-переходом
§ 6.4. Частотные свойства полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом
§ 6.5. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)
§ 6.6. Расчет выходных статических характеристик полевого транзистора с изолированным затвором
§ 6.7. Параметры и свойства полевых транзисторов с изолированным затвором
§ 6.8. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью
§ 6.9. Разновидности приборов с зарядовой связью
7. Полупроводниковые приборы как элементы интегральных микросхем
§ 7.1. Задачи и принципы микроэлектроники
§ 7.2. Классификация интегральных микросхем
§ 7.3. Методы изоляции элементов
§ 7.4. Активные элементы
§ 7.5. Пассивные элементы
8. Полупроводниковые приборы с использованием междолинного перехода носителей заряда
§ 8.1. Принцип действия генератора Ганна
§ 8.2. Технология изготовления генераторов Ганна
§ 8.3. Свойства и параметры генераторов Ганна
§ 8.4. Генераторы с ограничением накопления объемного заряда
9. Излучающие полупроводниковые приборы
§ 9.1. Светодиоды
§ 9.4. Электролюминесцентные пленочные излучатели
10. Полупроводниковые приемники излучения
§ 10.1. Фоторезисторы
§ 10.2. Фотодиоды
§ 10.3. Полупроводниковые фотоэлементы
§ 10.4. Фототранзисторы и фототиристоры
§ 10.5. Приемники проникающей радиации и корпускулярно-преобразовательные приборы
§ 10.6. Оптроны
11. Термисторы
§ 11.1. Термисторы прямого подогрева
§ 11.2. Болометры
§ 11.3. Термисторы косвенного подогрева
§ 11.4. Позисторы
12. Варисторы
§ 12.1. Принцип действия
§ 12.2. Характеристики
13. Полупроводниковые приборы на аморфных полупроводниках
§ 13.1. Переключатели
§ 13.2. Запоминающие устройства
§ 13.3. Надежность, стабильность и
14. Полупроводниковые термоэлектрические приборы
§ 14.1. Принцип действия
§ 14.2. Термоэлектрические генераторы
§ 14.3. Холодильники и тепловые
15. Полупроводниковые гальваномагнитные приборы
§ 15.1. Принцип действия
§ 15.2. Преобразователи Холла
§ 15.3. Магниторезисторы
§ 15.4. Магнитодиоды и магниторезисторы
16. Тензоэлектрические полупроводниковые приборы
§ 16.1. Тензорезисторы
§ 16.2. Тензодиоды и поликристаллические тензорезисторы
Список рекомендуемой литературы
Обозначения основных величин, принятых в книге
Универсальные физические постоянные
Алфавитный указатель
Рекомендуем
