- Артикул:00-01057122
- Автор: Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков
- ISBN: 5-283-00554-2
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Энергоатомиздат (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 576
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1990
- Вес: 852 г
- Серия: Учебник для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
Приведены физические свойства, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов, применяемых в устройствах промышленной электроники. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей предельных режимов эксплуатации, методов управления и зашиты полупроводниковых приборов.
Для студентов вузов, обучающихся по специальности «Промышленная электроника».
Содержание
Предисловие
Обозначения основных величин и параметров
Введение. Общие вопросы применения полупроводниковых приборов
Глава первая. Основы физики полупроводников и электронно-дырочных переходов. Полупроводниковые диоды
1.1. Основы физики полупроводников
1.2. Переходы металл - полупроводник
1.3. Диоды на основе электронно-дырочных переходов
1.4. Разновидности и классификация полупроводниковых диодов
Глава вторая. Биполярные транзисторы
2.1. Принцип действия и классификация биполярных транзисторов
2.2. Основы физики биполярных транзисторов
2.3. Система параметров и режимы эксплуатации транзисторов
Глава третья. Тиристоры
3.1. Основные особенности и классификация тиристоров
3.2. Выходная вольт-амперная характеристика тиристора
3.3. Переходные процессы в тиристорах
3.4. Построение цепи управления тиристоров
3.5. Симметричные тиристоры (симисторы)
3.6. Запираемые тиристоры
3.7. Тиристоры-диоды
3.8. Сравнительная характеристика тиристора и транзистора
Глава четвертая. Полевые полупроводниковые приборы
4.1. Классификация и система обозначений полевых полупроводниковых приборов
4.2. МДП-структура х индуцированным каналом
4.3. МДП-транзистор с индуцированным каналом
4.4. Параметры и характеристики МДП-транзистора
4.5. Полевой транзистор с управляющим р-n переходом
4.6. Мощные полевые транзисторы
4.7. Полевые приборы с зарядовой связью
Глава пятая. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы
5.1. Оптическое излучение
5.2. Некогерентные излучатели - излучающие диоды
5.3. Когерентные излучатели - полупроводниковые лазеры
5.4. Фотоприемники
5.5. Оптопары
Глава шестая. Модели полупроводниковых приборов
6.1. Модели полупроводниковых приборов в системе проектирования электронных устройств
6.2. Модели полупроводниковых диодов
6.3. Модели биполярных транзисторов
6.4. Модели полевых транзисторов
6.5. Модели тиристоров
6.6. Модели оптоэлектронных приборов
Глава седьмая Тепловые режимы работы полупроводниковых приборов
7.1. Основные особенности тепловых режимов полупроводниковых приборов
7.2. Тепловой расчет в режиме постоянного тока
7.3. Тепловой расчет в импульсном высокочастотном режиме
7.4. Импульсные неодномерные тепловые режимы полупроводниковых приборов
Глава восьмая. Последовательное и параллельное соединение полупроводниковых приборов
8.1. Особенности эксплуатации модулей с последовательным и параллельным соединением приборов
8.2. Выравнивание распределения напряжения в последовательном соединении приборов
8.3. Выравнивание распределения напряжения в переходном режиме
8.4. Особенности параллельного соединения полупроводниковых приборов
Приложение 1. Частотные свойства и характеристические частоты биполярного транзистора
Приложение 2. Теплофизические и электрические свойства некоторых металлов, полупроводников и диэлектриков при 300К
Приложение 3. Свойства собственного Si, Ge и GaAs при 300К
Приложение 4. Фундаментальные физические постоянные и соотношения
Список сокращений
Список литературы
Предметный указатель
Рекомендуем
