Развернуть ▼
Изложены физические основы элементной базы современной полупроводниковой оптоэлектроники, параметры оптоэлектронных приборов, устройств и систем, в которых процессы взаимодействия оптического излучения с веществом используются для генерации, передачи, обработки, хранения и отображения информации. Приведены методы их расчета и контроля, конструктивно-технологические особенности приборов и устройств. Рассмотрены основные оптоэлектронные устройства и системы для отображения и передачи информации.
Рекомендовано студентам высших учебных заведений, обучающихся по специальности "
Микроэлектроника и полупроводниковые приборы" и направлению "Электроника и микроэлектроника", а также для научно-технических работников в области оптоэлектронной техники.
ОглавлениеПредисловие
Введение
Глава 1. Фундаментальные физические основы полупроводниковых источников излучения
1.1. Рекомбинационное излучение полупроводников
1.2. Самопоглощение люминесценции
1.3. Внутренний квантовый выход рекомбинационного излучения полупроводниковых материалов
1.4. Оптическое усиление света и генерация лазерного излучения в полупроводниках
1.5. Возбуждение спонтанной и лазерной люминесценции в полупроводниках и полупроводниковых структурах
Глава 2. Полупроводниковые источники некогерентного излучения
2.1. Общие положения
2.2. Основные физические параметры полупроводниковых светоизлучающих приборов
2.3. Общие физико-технологические принципы конструирования светоизлучающих приборов
2.4. Способы повышения эффективности светоизлучающих приборов
2.5. Система параметров и характеристик полупроводниковых излучателей и полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов
2.6. Основные полупроводниковые материалы, применяемые в производстве излучающих диодов
2.7. Индикаторные светоизлучающие диоды
2.8. Излучающие диоды для ВОЛС
2.9. Измерение параметров излучающих диодов
Глава 3. Полупроводниковые лазеры
3.1. Общие положения
3.2. Параметры, характеристики и устройство полупроводниковых лазеров
3.3. Инжекционные гетеролазеры на односторонней и двухсторонней гетероструктурах
3.4. Одномодовые канальные лазеры для волоконно-оптических линий связи
3.5. Полупроводниковые лазеры, излучающие в области 1300.1600 нм
3.6. Полупроводниковые лазеры, работающие на квантоворазмерных эффектах
3.7. Инжекционные полупроводниковые лазеры, выпускаемые отечественной промышленностью
3.8. Полупроводниковые лазеры с накачкой пучком ускоренных электронов
3.9. Основные тенденции совершенствования пороговых и спектральных характеристик инжекционных полупроводниковых лазеров и проблемы при разработке инжекционного полупроводникового лазера непрерывного режима работы без охлаждения
3.10. Лазерные полупроводниковые материалы
3.11. Вопросы надежности лазерных диодов
Глава 4. Фотоэлектронные полупроводниковые приемники. Классификация и система параметров
4.1. Классификация полупроводниковых фотоприемников
4.2. Параметры и характеристики полупроводниковых фотоприемников
Глава 5. Фоторезистор
5.1. Принцип действия и выбор материала
5.2. Фоторезисторы на собственной проводимости
5.3. Фоторезисторы с примесной фотопроводимостью
5.4. Фоторезисторы с областью пространственного заряда на поверхности
Глава 6. Фотовольтаические приемники излучения
6.1. Основные параметры и характеристики фотовольтаических приемников. Выбор материала и конструкции
6.2. Фотодиоды с р-л-переходом
6.3. Фотодиод с р-1-л-структурой
6.4. Фотодиоды с барьером Шоттки
6.5. Фотодиоды с гетеропереходом
6.6. Фотодиоды с лавинным размножением
6.7. Фотоприемники со структурой металл - диэлектрик - полупроводник
Глава 7. Фотоэлектрические преобразователи энергии
7.1. Основные параметры фотопреобразователей
7.2. Фотопреобразователи с барьером Шоттки, МДП-структурой и гетеропереходом
7.3. Материалы, используемые при создании фотопреобразователей
7.4. Повышение коэффициента полезного действия фотопреобразователей с помощью концентрации излучения и применения комбинированных солнечных элементов
Глава 8. Фототранзисторы. Принцип действия. Основные параметры и характеристики
8.1. Расчет параметров и конструирование биполярного фототранзистора (БФТ)
8.2. МДП - фототранзисторы
8.3. Полевые фототранзисторы с затвором типа металл - полупроводник (барьер Шоттки)
Глава 9. Многоэлементные полупроводниковые знаковые индикаторы
9.1. Общие положения
9.2. Классификация и параметрические ряды полупроводниковых индикаторов
9.3. Конструкции полупроводниковых индикаторов
9.4. Полупроводниковые соединения АтВ и их твердые растворы для полупроводниковых индикаторов. Некоторые вопросы технологии производства индикаторов
9.5. Номенклатура многоэлементных полупроводниковых индикаторов и модулей экрана
9.6. Основные проблемы развития полупроводниковых индикаторов
Глава 10. Волоконно-оптические линии связи
10.1. Принцип построения волоконно-оптических линий связи и их особенности
10.2. Распространение оптического сигнала по волоконному световоду и расчет дисперсии световода
10.3. Компоненты ВОЛ С
10.4. Перспективные направления технических разработок ВОЛС
Задачи
Рекомендательный библиографический список
