- Артикул:00-01044164
- Автор: А.И. Курносов, Э.Н. Воронков
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Военное издательство Министерства обороны СССР (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 240
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1973
- Вес: 377 г
Развернуть ▼
В книге рассмотрены методы изготовления интегральных схем, вопросы разработки приборов на эффекте Ганна, возможности использования гетеропереходов и пленочной технологии. Описаны планарная, эпитаксиальная и электроннолучевая технологии изготовления интегральных схем. Дан анализ новых физических явлений, которые все шире используются в современной полупроводниковой электронике.
Оглавление
Предисловие
Часть I. Интегральные схемы
Введение
Глава I. Интегральные схемы, выпускаемые за рубежом
§ I. Классификация интегральных схем
§ 2. Типы интегральных схем
§ 3. Диодные матрицы
Глава 2. Области применения интегральных схем
Глава 3. Методы изготовления интегральных схем
§ 1. Планарная технология
§ 2. Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых пленок
§ 3. Электроннолучевая технология
Глава 4. Изоляция и конструктивное оформление интегральных схем
§ 1. Методы изоляции
§ 2. Конструкции корпусов интегральных схем
§ 3. Герметизация интегральных схем
Глава 5. Коммутация элементов интегральных схем
§ 1. Внутрисхемные соединения
§ 2. Получение тонких пленок для внутрисхемных соединений
§ 3. Получение микро соединений
§ 4. Компоненты интегральных схем
Глава 6. Методы измерения интегральных схем
Глава 7. Надежность интегральных схем
§ 1. Особенности эксплуатации интегральных схем
§ 2. Анализ надежности интегральных схем
§3, Виды отказов в интегральных схемах
Часть II. Новые физические принципы в полупроводниковой электронике
Глава 8. Эффект Ганна и его использование в полупроводниковых приборах
§ 1. Физические основы явления доменной неустойчивости в полупроводниках
§ 2. Конструкция приборов и технология их изготовления
§ 3. Основные характеристики и перспективы применения генераторов Ганна
Глава 9. Полупроводниковые гетеропереходы
§ 1. Физические особенности гетеропереходов
§ 2. Получение гетеропереходов
§ 3. Применение гетеропереходов
Глава 10. Приборы на основе тонких полупроводниковых пленок
§ 1. Особенности электропроводности тонких поликристаллических слоев
§ 2. Пленочные фотовольтаические элементы
§ 3. Тонкопленочный полевой транзистор
Рекомендуем
