- Артикул:00-01098730
- Автор: под ред. А.А. Харламова
- Тираж: 12340 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Издательство Московского университета (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 376
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1977
- Вес: 1092 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
Вторая часть издания - переработанное и расширенное руководство к практическим занятиям по современной электронике. В книге собраны описания практических работ по электронной оптике. по газовой, эмиссионной и полупроводниковой электронике и физике плазмы, составляющие экспериментальную основу для теоретических курсов по этим разделам.
Содержание
Предисловие
I. Электронная оптика
1. Электронная пушка
2. Исследование структуры электронного луча методом вибрирующего зонда
3. Автоматический траектограф и исследование устройств, фокусирующих интенсивный электронный лучок
4. Просвечивающий электронный микроскоп
5. Электронограф
6. Растровый электронный микроскоп
II. Газовая электроника
1. Электрические зонды Ленгмюра
2. Исследование свойств плазмы с помощью СВЧ-радиоволн
3. Деионизация плазмы
4. Измерение концентрации возбужденных атомов в плазме спектральным методом
5. Винтовая неустойчивость положительного столба разряда н аномальная диффузия и продольном магнитном поле
6 Эффективные сечения возбуждения энергетических уровней гелия
7. Резонанс ограниченной плазмы
8. Плотная нестационарная плазма импульсного разряда
9. Высотно-частотные характеристики ионосферы
III. Полупроводниковая электроника. Равновесные концентрации и подвижности носителей заряда
1. Определение ширины запрещенной зоны германия
2. Исследование температурного хода подвижности электронов в германии с малым содержанием примесей
3. Определение энергии ионизации основной примеси и концентрации разнозаряженных центров
Рекомбинация, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда
4. Определение времени жизни и дрейфовой подвижности неравновесных носителей заряда импульсным методом
5. Измерение параметров дрейфа и рекомбинации неравновесных носителей заряда, возбужденных светом
р-n - переходы в полупроводниках и некоторые приборы на их основе
6. Исследование электрических свойств р- n -переходов
7. р- n -переходы в вырожденных полупроводниках и характеристики туннельных диодов
8. Исследование электрических характеристик транзисторов с р- n - переходами
9. Излучательная рекомбинация в р- n -переходах и характеристики светодиодов
IV. Эмиссионная электроника
1. Изучение энергетической структуры полупроводников с помощью внешнего фотоэффекта
2. Термоэлектронная эмиссия металлов
Приложение
Изучение газового разряда
Рекомендуем
