- Артикул:00-01103124
- Автор: Штерн Л.
- Тираж: 12000 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Энергия (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 328
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1973
- Вес: 486 г
Развернуть ▼
В книге освещены вопросы проектирования и современной технологии производства интегральных схем. Дана установившаяся к настоящему времени классификация интегральных схем, в доступной для широкого круга читателей форме рассмотрены различные типы интегральных схем, их элементы и характеристики, указаны особенности проектирования электронной аппаратуры на таких схемах и возможные области их применения. Значительное место отведено вопросам проектирования электронной аппаратуры с использованием стандартных монолитных, тонкопленочных и гибридных интегральных схем.
Книга рассчитана на широкий круг инженерно-технических работников, занимающихся проектированием и эксплуатацией интегральных схем и полупроводниковых приборов.
Содержание
Предисловие к русскому изданию
Предисловие автора
Глава первая. Новая эра в электронике
1-1. Интегральная техника
1-2. Тонкопленочные схемы
1-3. Полупроводниковые монолитные схемы
1-4. Совместимые интегральные схемы
1-5. Составные многоэлементные(гибридные)интегральные схемы
1-6. Монолитные схемы на изолирующей подложке
1-7. Преимущества интегральных схем
1-8. Влияние интегральных схем на промышленность
1-9. Современное состояние интегральной техники
Глава вторая. Основы теории полупроводников
2-1. Атом кремния
2-2. Кристаллическая структура
2-3. Электроны и дырки
2-4. Удельное сопротивление
2-5. Электрическое сопротивление
2-6. Концентрация примесей в кремнии
2-7. Кремний р-типа
2-8. Кремний n-типа
2-9. Удельное сопротивление материалов с примесями
2-10. Концентрация неосновных носителей в кремнии, содержащем примеси
2-11. Выводы
Глава третья. Характеристики р-n переходов
3-1. Выпрямление
3-2. Действие выпрямителя
3-3. Емкостное действие р-n переходов
3-4. Электрический пробой в р-n переходах
3-5. Выводы
3-6. Заключение
Глава четвертая. Транзисторы
4-1. Действие транзистора
4-2. Усиление сигнала
4-3. Общие сведения о частотных характеристиках транзисторов
4-4. Частотная характеристика схемы с общим эмиттером
4-5. Влияние физических характеристик транзистора на его электрические параметры
4-6. Некоторые итоги
4-7. Эволюция транзисторов
4-8. Сплавные транзисторы
4-9. Мезатранзисторы
4-10. Эпитаксиальный мезатранзистор
4-11. Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор
4-12. Кольцевой транзистор
4-13. Интегральный транзистор
Глава пятая. Монолитные интегральные схемы
5-1. Диффузия — важный процесс
5-2. Селективная диффузия
5-3. Последовательность процессов при изготовлении
5-4. Конструктивное оформление
5-5. Активные элементы монолитных схем
5-6. Транзисторы монолитных интегральных схем
5-7. Монолитные диоды
5-8. Пассивные полупроводниковые элементы
5-9. Диффузионные кремниевые резисторы
5-10. Диффузионные резисторы в монолитных схемах
5-11. Диффузионные конденсаторы
5-12. Характеристики монолитных полупроводниковых схем
Глава шестая. Тонкопленочные схемы и их характеристики
6-1. Тонкопленочные элементы
6-2. Резисторы
6-3. Конденсаторы
6-4. Процесс изготовления
6-5. Присоединение активных элементов
6-6. Преимущества и недостатки
Глава седьмая. Гибридные и другие структуры интегральных схем
7-1. Гибридные схемы
7-2. Диффузионные резисторы для гибридных схем
7-3. Конденсаторы на основе диффузионного перехода для гибридных схем
7-4. Тонкопленочные конденсаторы и резисторы для гибридных схем
7-5. Конструкция гибридных схем
7-6. Применение гибридных схем
7-7. Совместимые интегральные схемы
7-8. Изготовление совместимых схем
7-9. Надежность
7-10. Монобридные интегральные схемы
7-11. Схемы с изолирующей подложкой
Глава восьмая. Корпуса интегральных схем
8-1. Корпуса схем
8-2. Корпус типа СО
8-3. Плоский корпус
8-4. Пластмассовый корпус
8-5. Практические соображения по применению корпусов
8-6. Испытания корпусов
8-7. Корпуса систем
8-8. Перспективы развития корпусов интегральных схем
Глава девятая. Анализ стандартных интегральных схем
9-1. Принципы проектирования интегральных схем
9-2. Стандартные цифровые схемы
9-3. Переключатель, работающий в режиме насыщения
9-4. Описание основных типов логических устройств, работающих в режиме насыщения
9-5. Токовые логические устройства
9-6. Стандартные линейные схемы
9-7. Основная схема
9-8. Работа основной схемы дифференциального усилителя
9-9. Важнейшие характеристики дифференциального усилителя
9-10. Целесообразность применения линейных интегральных схем
9-11. Простой дифференциальный усилитель
9-12. Полная схема дифференциального усилителя
9-13. Схема Дарлингтона
9-14. Температурная компенсация
9-15. Операционный усилитель
9-16. Стандартный операционный усилитель
9-17. Стабилизированный операционный усилитель
9-18. Усилитель высокой и промежуточной частоты
9-19. Одноваттный интегральный усилитель мощности
9-20. Широкополосный видео усилитель
9-21. Заключение
Глава десятая. Практические вопросы проектирования интегральных схем
10-1. Экономические соображения
10-2. Технические факторы
10-3. Основы проектирования монолитных устройств
10-4. Предварительные соображения по проектированию
10-5. Какие устройства могут быть выполнены в интегральной форме
10-6. Типы корпусов
10-7. Проектирование схем. Возможности и ограничения
10-8. Применяемые номиналы элементов
10-9. Макетирование и испытания схем
10-10. Пример проектирования
10-11. Процесс проектирования
Глава одиннадцатая. Принципы расположения элементов монолитных схем
11-1. Разработка макета
11-2. Исходные соображения по размещению элементов
11-3. Геометрическая форма элементов
11-4. Размещение изолированных областей
11-5. Расположение элементов схемы
11-6. Сводка основных правил проектирования
Глава двенадцатая. Большие интегральные схемы
12-1. Методы подхода к проектированию БИС
12-2. Метод дискреционного монтажа
12-3. Полиэлементный метод построения БИС
12-4. Проектирование с помощью вычислительных машин
12-5. Технические аспекты БИС
Словарь терминов
Список литературы
Рекомендуем
