- Артикул:00-01069138
- Автор: М.М. Ристич
- Тираж: 1500 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Наукова Думка (все книги издательства)
- Город: Киев
- Страниц: 152
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1984
- Вес: 325 г
Развернуть ▼
В книге изложены принципы современного материаловедения. Даны основные модели атома; особое внимание уделено анализу электронного строения элементов и количественному списанию периодичности, приведены данные о строении кристаллических материалов и рассмотрены вопросы различных типов связей и их энергии. Обсуждены особенности дефектов кристаллической решетки и твердофазной диффузии. Описаны электронное строение твердого тела с точки зрения конфигурационной модели, структура материалов и диаграммы состояния. Изложены современные взгляды на теорию и практику спекания. Проанализированы образование и структура некристаллических материалов.
Для научных и инженерно-технических работников в области материаловедения и физики твердого тела, а также студентов технических вузов.
Содержание
Предисловие к русскому изданию
Введение
Глава 1. Вещество и материалы
1.1. Газообразное состояние
1.2. Жидкое состояние
1.3. Твердое состояние
1.4. Плазменное состояние
Глава 2. Структура атомов
2.1. Модель атома Бора
2.2. Уравнение Шредингера и строение атома
2.3. Принцип неопределенности
2.4. Квантовые числа
2.5. Пространственное распределение электронной плотности
2.6. Электронное строение элементов
2.7. Периодическая система элементов Д. И. Менделеева и количественная интерпретация периодичности
Глава 3. Строение кристаллических тел
3.1. Кристаллические системы и упаковка атомов
3.2. Плоскости решетки
3.3. Полиморфизм
3.4. Классификация твердых тел по характеру сил связи
3.5. Исследование структуры кристаллов
Глава 4. Энергия кристаллической решетки
4.1. Ионная связь в кристалле
4.2. Цикл Борна - Хабера
4.3. Упрощенная формула энергии решетки
4.4. Ковалентная связь
4.5. Металлическая связь в кристалле
Глава 5. Зонная теория твердых тел
5.1. Энергетические зоны кристалла
5.2. Зоны Бриллюэна
5.3. Эффективная масса электрона
Глава 6. Конфигурационная модель вещества
6.1. Основные принципы модели
6.2. Концепция конфигурационной локализации валентных электронов
6.3. Концепция стабильности электронных конфигураций
Глава 7. Дефекты в кристаллах и движение атомов
7.1. Точечные дефекты
7.2. Дислокации (линейные дефекты)
7.3. Границы (двухмерные дефекты)
7.4. Диффузия в твердых телах
Глава 8. Поликристаллические и многофазные материалы
8.1. Кристаллизация
8.2. Спекание
8.3. Твердофазные реакции
8.4. Рост зерен
8.5. Фазовый состав материалов
8.6. Термический анализ и кривые время - температура
8.7. Диаграммы состояний бинарных систем
8.8. Диаграммы состояний, строение и свойства сплавов
8.9. Диаграммы состояний трехкомпонентных систем
Глава 9. Некристаллические твердые тела
9.1. Характеристики некристаллических материалов
9.2. Склонность к стеклообразованию
9.3. Строение стекла
9.4. Основные свойства стекол
Глава 10. Теплофизические свойства материалов
10.1. Характер теплового движения в кристаллах
10.2. Теплопроводность
10.3. Теплоемкость
10.4. Термическое расширение
10.5. Термостойкость
Глава 11. Влияние механических напряжений на поведение материала
11.1. Упругая деформация
11.2. Прочность материала
11.3. Хрупкое разрушение
11.4. Кинетика процесса механического разрушения материала
11.5. Влияние микроструктуры на механические свойства
11.6. Возврат и рекристаллизация
11.7. Твердость материалов
11.8. Поведение материалов при высоких давлениях
Глава 12. Электропроводность твердых тел
12.1. Электрическая проводимость
12.2. Поведение свободных электронов в металле
12.3. Связь электропроводности и теплопроводности
12.4. Проводимость пату проводников
12.5. Ионная электропроводность кристаллов
Глава 13. Диэлектрические и магнитные свойства твердых тел
13.1. Поляризация диэлектриков
13.2. Диэлектрические потери
13.3. Магнитные свойства твердых тел
Список литературы
Рекомендуем
