- Артикул:00-01029164
- Автор: Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т.
- ISBN: 5-256-00692-4
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Радио и связь (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 288
- Формат: 60х88/16
- Год: 1991
- Вес: 494 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
Рассматриваются технологические основы, структуры и параметры биполярных и полевых транзисторов, а также пассивных элементов интегральных микросхем. Анализируются важнейшие логические и запоминающие элементы на биполярных и полевых транзисторах, в том числе для сверхбольших и сверхскоростных интегральных микросхем. Описываются основные типы цифровых и аналоговых интегральных микросхем. Дается представление о приборах с зарядовой связью, элементах интегральной опто-, акусто- и магнитоэлектроники.
Для студентов вузов, обучающихся по специальности "Радиотехника".
Оглавление
Предисловие
Основные условные обозначения
Глава 1. Предмет микроэлектроники
1.1.Основные термины и определения
1.2.Конструктивно-технологические типы интегральных микросхем
Глава 2. Технологические основы микроэлектроники
2.1.Общие сведения о технологии изготовления полупроводниковых микросхем
2.2.Эпитаксия
2.3.Диффузия примесей
2.4.Ионное легирование
2.5.Термическое окисление и свойства пленки диоксида кремния
2.6.Травление
2.7.Нанесение тонких пленок
2.8.Методы получения структур типа Si - Si02 - Si
2.9.Проводники соединений и контакты в полупроводниковых микросхемах
2.10.Литография
2.11.Сборка полупроводниковых микросхем
2.12.Технология гибридных микросхем
Глава 3. Биполярные транзисторы интегральных микросхем
3.1.Особенности структур биполярных транзисторов
3.2.Транзисторы с комбинированной изоляцией
3.3.Многоэмиттерные транзисторы
3.4.Транзисторы с диодом Шотки
3.5.Новые структуры биполярных транзисторов
3.6.Транзисторы типа р-п-р
3.7.Диодное включение транзисторов
3.8.Модель интегрального биполярного транзистора
3.9.Биполярные и полевые транзисторы на одном кристалле
Глава 4. Мдп - транзисторы интегральных микросхем
4.1.Транзисторы с каналами n-типа и самосовмещенными затворами
4.2.Параметры и характеристики транзисторов с коротким каналом
4.3.Разновидности транзисторных структур СБИС
Глава 5. Полевые транзисторы с управляющим переходом металл - полупроводник
5.1.Простейшая структура МЕП - транзистора
5.2.Разновидности структур МЕП - транзисторов
5.3.Паразитная связь между элементами через полуизолирующую подложку
5.4.Полевые транзисторы с управляющим переходом металл-полупроводник и гетеропереходом
Глава 6. Пассивные элементы
6.1.Полупроводниковые резисторы
6.2.Пленочные резисторы
6.3.Конденсаторы и индуктивные элементы
6.4.Микрополосковые линии и элементы на их основе
Глава 7. Логические элементы на биполярных транзисторах
7.1.Классификация логических элементов
7.2.Основные характеристики и параметры логических элементов
7.3.Элементы транзисторно-транзисторной логики
7.4.Элементы эмиттерно-связанной логики
7.5. Логические элементы БИС с инжекционным питанием
7.6.Элементы Шотки - транзисторной логики и интегральной Шотки - логики
Глава 8. Логические элементы на полевых транзисторах
8.1.Инвертор на n-канальных МДП - транзисторах
8.2.Инвертор на комплементарных транзисторах
8.3.Логические элементы И-НЕ и ИЛИ-HE
8.4.Логические элементы динамического типа
8.5.Логические элементы сверхскоростных микросхем на МЕП - транзисторах
Глава 9. Элементы памяти
9.1.Элементы памяти статического типа на МДП - транзисторах
9.2.Элементы памяти динамического типа на МДП - транзисторах
9.3.Элементы микросхем репрограммируемых постоянных запоминающих устройств
9.4.Элементы памяти на биполярных транзисторах
Глава 10. Цифровые интегральные микросхемы
10.1.Триггеры
10.2.Полупроводниковые микросхемы памяти
10.3.Микропроцессоры и микроЭВМ
10.4.Логические БИС
Глава 11. Приборы с зарядовой связью
11.1.Устройство, принцип действия
11.2.Параметры элементов ПЗС
11.3.Разновидности конструкций
Глава 12. Аналоговые интегральные микросхемы
12.1.Общие сведения
12.2.Каскады формирователей тока
12.3.Дифференциальные усилительные каскады на биполярных транзисторах
12.4.Дифференциальные усилительные каскады на полевых транзисторах
12.5.Дифференциальные каскады с однофазным выходом
12.6.Выходные каскады
12.7.Устройство интегрирования аналоговых сигналов
12.8.Схемотехника операционных усилителей
Глава 13. Микроэлектроника и смежные направления
13.1.Оптоэлектроника и оптоэлектронные микросхемы
13.2.Элементы акустоэлектроники
13.3.Элементы магнитных СБИС постоянных запоминающих устройств
Контрольные вопросы и задачи
Список литературы
Предметный указатель
Рекомендуем
