- Артикул:00-01048788
- Автор: Носов Ю.Р., Шилин В.А.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Наука (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 320
- Формат: 84х108/32
- Год: 1986
- Вес: 534 г
Развернуть ▼
В книге изложены физические основы новых перспективных элементов микроэлектроники и оптоэлектроники полупроводниковых приборов с зарядовой связью. Приведены результаты теоретического анализа и экспериментального исследования статических, динамических, фотоэлектрических, шумовых характеристик этих приборов. Рассмотрена зависимость основных параметров приборов с зарядовой связью от электрофизических свойств исходного полупроводникового материала. Проведена оценка предельных возможностей нового направления интегральной электроники, в основе которого лежит использование полупроводниковых приборов с зарядовой связью.
Для физиков и инженеров, занимающихся исследованием, разработкой, применением полупроводников и полупроводниковых приборов, а также для студентов старших курсов.
Оглавление
Предисловие
Глава 1. Приборы с зарядовой связью. Основные положения и определения
§ 1.1. Принцип действия ППЗ
§ 1.2. Динамика переноса зарядов
§ 1.3. Применение ППЗ
§ 1.4. Разновидности ППЗ
§ 1.5. Историческая справка
Глава 2. Основы теории ПЗС (поверхностный канал)
§ 2.1. Квазистационарное состояние МДП-структуры
§ 2.2. Термогенерация
§ 2.3. Передача зарядовых пакетов
§ 2.4. Передача при управлении двухступенчатыми импульсами
§ 2.5. Передача при управлении трапецеидальными импульсами
§ 2.6. Аналитические оценки
§ 2.7. Особенности асимметричных ПЗС-структур
§ 2.8. Асимметричные структуры с управлением трапецеидальными импульсами
§ 2.9. Двухмерные эффекты
§ 2.10. Учет поверхностных состояний
§ 2.11. Некоторые экспериментальные результаты
Глава 3. Теория объемных ПЗС
§ 3.1. МДП-структура с объемным каналом (ступенчатый профиль распределения примесей)
§ 3.2. Структуры с произвольным профилем распределения примесей
§ 3.3. Двухмерные эффекты
§ 3.4. Передача зарядов в объемных ПЗС
§ 3.5. Влияние объемных ловушек
§ 3.6. Экспериментальные результаты
Глава 4. Фотоэлектрические характеристики
§ 4.1. Поглощение света в МДП-структурах
§ 4.2. Спектральные характеристики
§ 4.3. Частотно-контрастная характеристика
§ 4.4. ЧКХ приборов с произвольной апертурой
§ 4.5. Фотоэлектрические свойства различных типов ФПЗС
§ 4.6. Экспериментальные результаты
§ 4.7. ФПЗС в ИК-диапазоне
Глава 5. Шумы ПЗС
§ 5.1. Источники шума и его расчет
§ 5.2. Влияние шумов на характеристики ПЗС-устройств
§ 5.3. Экспериментальные результаты
§ 5.4. Неоднородности в элементах ПЗС
Глава 6. Прикладные вопросы
§ 6.1. ПЗС - изделие функциональной электроники
§ 6.2. Применение ПЗС
§ 6.3. Автоматизация проектирования ПЗС
§ 6.4. Расчеты квазистатического состояния цепей ПЗС
§ 6.5. Оптимальное проектирование ПЗС
Заключение
Список литературы
Рекомендуем
