- Артикул:00-01039921
- Автор: Гавриленко В.И., Грехов А.М., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г.
- Обложка: Твердый переплет
- Издательство: Наукова Думка (все книги издательства)
- Город: Киев
- Страниц: 698
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1987
- Вес: 1003 г
Развернуть ▼
Представлены данные по оптическим свойствам элементарных полупроводников, различного типа полупроводниковых соединений, включая некристаллические материалы, широко используемые для научных и прикладных целей. Систематизированы сведения по зонной структуре, оптическим константам, люминесцентным свойствам полупроводников, охватывающие широкий спектральный диапазон. Описаны наиболее распространенные методы исследования оптических свойств полупроводников.
Рассчитан на научных работников и инженеров, занимающихся изучением физических свойств полупроводников и разработкой различных приборов интегральной электроники и оптоэлектроники. Может быть полезен преподавателям, аспирантам и студентам университетов и физико-технических вузов.
Оглавление
Предисловие
Список условных обозначений
Введение. Полупроводниковые материалы
Глава 1. Электронная структура полупроводников
I.1. Моноатомные полупроводники
I.1.1. Кремний и германий
Кристаллическая структура
Пространственная симметрия решетки алмаза
Критические точки зоны Бриллюзна
Структура энергетических зон кремния и германия (решетка алмаза)
Спин-орбитальное расщепление энергетических зон кремния и германия
Правила отбора
Электронная энергетическая структура сложных решеток кремния и германия
Аморфные кремний и германий
I.1.2. Алмаз и графит
Зонная структура алмаза
Кристаллическая структура двухмерного графита
Зонная структура двухмерного графита
Правила отбора
Электронные состояния графита в трехмерном случае
I.1.3. Серое олово
Зонная структура серого олова
I.1.4. Селен и теллур Кристаллическая структура и свойства симметрии решетки селена и теллура
Зонная структура селена и теллура
I..2. Двойные полупроводники
I..2.1. Полупроводники типа АП1ВУ
Кристаллическая структура Свойства симметрии решетки цинковой обманки
Зонная структура полупроводников AIIBV
Модель Кейна для узкозонных полупроводников
Правила отборе
Эмпирические закономерности для взаимосвязи параметров соединений АIIBVI
Гексагональный нитрид бора
I.2.2. Полупроводники типа AIIBVI
Кристаллическая структура Свойства симметрии решеток Зонная структура полупроводников
Правила отбора
I.2.3. Другие двойные полупроводники
I.3. Многокомпонентные полупроводники
I.3.1. Тройные полупроводники
I.3.2. Четверные полупроводники
Глава II. Оптические константы полупроводников
II. I. Моноатомные пату проводники
II.1.1. Кремний
II.1.2. Германий
II.1.3. Углерод
II.1.4. Алмаз
II.1.5. Серое (a-Sn) и белое (P-Sn) олово
II.1.6. Селен и теллур
II.2. Соединения AIIBV
II.2.1. Арсенид галлия
II.2.2. Фосфид галлия
II.2.3. Антимония галлия
II.2.4. Фосфид индия
II.2.5. Арсенид индия
II.2.6. Антимония индия
II.3. Соединения AIIBVI
II.3.1. Сульфид кадмия
II.3.2. Селения кадмия
II.3.3. Теллурид кадмия
II.3.4. Оксид цинка
II.3.5. Сульфид цинка
II.3.5. Селенид цинка
II.3.7. Теллурия цинка
II.3.6. Теллурид ртути
II.3.9. Селения ртути
II.3.10. Сульфид ртути
II. 4. Другие бинарные соединения
II.4.1. Соединения на основе свинца
II.4.2. Соединения на основе олова
II.4.3. Соединения на основе германии
II.4.4. Соединения группы AMBV
II.4.5. Соединения группы AVBIV. Карбид кремния
II.4.6. Соединения группы AIIIBVI
II.4.7. Соединения группы AIII BV и другие слоистые бинарные полупроводники
II.5. Многокомпонентные полупроводники
II.5.1. Классификация многокомпонентных полупроводников и области их применения
II.5.2. Твердые растворы на основе соединений AII BV
II.5.3. Твердые растворы на основе соединений AII BV
II.5.4. Соединения группы AIIBV C2 и другие многокомпонентные полупроводники
Глава III. Люминесцентные свойства полупроводников
III.1. Моноатомные полупроводники
III.1.1. Германий
III. 1.2. Кремний
III. 1.3. Алмаз
III.2. Соединения AIIBV
III.2.1. Арсенид галлия
III.2.2. Фосфид галлия
III.2.3. Фосфид индия
III.3. Соединения AIIBV
III.3.1. Сульфид кадмия
III.3.2. Селенид кадмия
III.3.3. Теллур ид кадмия
III.3.4. Сульфид цинка
III.3.5. Селенид цинка
III.3.6. Теллурид цинка
III.3.7. Оксид цинка
III.4. Многокомпонентные соединения (GalnAsP)
Глава IV. Оптические свойства кремнеземных соединений и аморфных полупроводников
IV. 1. Общие свойства кремнеземов и силикатов
IV.2. Электронная структура (зонный спектр) кремнеземов
IV.3. ИК-оптические спектры и структура кремнеземов
IV.3.1. Теоретические основы
IV.3.2. Экспериментальные исследования ИК-колебательных спектров
IV.3.3. ИК-спектры в пленках слоистых структур диэлектрик (Si02) - полупроводник (Si)
IV.4. Оптические спектры поглощения в УФ и рентгеновской областях
IV.5. Структурная конфигурация пленок оксида кремния. Слоистая модель
IV.6. Энергетическая структура локальных центров SI02
IV.7. Оптические константы аморфных полупроводников
IV.7.1. Аморфный кремний
IV.7.2. Другие элементарные аморфные полупроводники
IV.7.3. Аморфные полупроводники группы АIIIВV
Приложения
Список литературы
Предметный указатель
Рекомендуем
