- Артикул:00-01057213
- Автор: В.П. Запорожский, Б.А. Лапшинов
- Обложка: Мягкая обложка
- Издательство: Высшая школа (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 184
- Формат: 60х88 1/16
- Год: 1988
- Вес: 231 г
- Серия: Учебное пособие для СПО (все книги серии)
Развернуть ▼
В книге приведены основные сведения о технологическом процессе производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. описаны режимы обработки, причины возникновения брака и способы его устранения; процессы механической обработки пластин, разделения их на кристаллы, изготовления фотошаблонов; устройство, наладка, правила эксплуатации типового оборудования и др.
Содержание
Предисловие
Введение
Глава I. Основные сведения о технологических процессах изготовления полупроводниковых приборов и микросхем
§ 1. Общая схема технологического процесса
§ 2. Характеристика технологических операций
Глава II. Строение, свойства и способы получения монокристаллов полупроводниковых материалов
§ 3. Строение монокристаллов полупроводниковых материалов
§ 4. Способы получения и свойства полупроводниковых монокристаллов
Глава III. Разрушение монокристаллов полупроводниковых материалов при механической обработке и методы исследования структурных нарушений
§ 5. Разрушение монокристаллов при механической обработке
§ 6. Методы исследования структурных нарушений
§ 7. Понятие о припусках на обработку
Глава IV. Изготовление подложек из полупроводниковых материалов
§ 8. Общие сведения об изготовлении подложек
§ 9. Калибровка слитков
§ 10. Разделение полупроводниковых слитков на пластины
§ 11. Формирование фасок на кромках пластин
§ 12. Шлифование пластин свободным и связанным абразивом
§ 13. Способы доводки полупроводниковых пластин полированием
§ 14. Очистка поверхности полупроводниковых пластин
Глава V. Разделение пластин полупроводниковых материалов на кристаллы
§ 15. Скрайбирование пластин и ломка на кристаллы
§ 16. Скрайбирование пластин лазерным излучением
§ 17. Вырезка круглых кристаллов
§ 18. Разделение пластин на кристаллы химическим травлением
§ 19. Резка пластин алмазными кругами
§ 20. Формирование фасок на кристаллах свободным абразивом
Глава VI. Фотолитографическая обработка полупроводниковых пластин
§ 21. Цель и назначение фотолитографии. Основные этапы процесса
§ 22. Физико-химические основы процесса. Фоторезисты и их свойства
§ 23. Формирование слоя фоторезиста
§ 24. Формирование защитного рельефа фоторезиста
§ 25. Формирование топологического рельефа на подложке
§ 26. Перспективные способы литографии
Глава VII. Изготовление фотошаблонов
§ 27. Назначение фотошаблонов и предъявляемые к ним требования
§ 28. Изготовление оригиналов фотошаблонов
§ 29. Изготовление промежуточных фотошаблонов
§ 30. Основные виды дефектов промежуточных фотошаблонов и причины их возникновения
§ 31. Изготовление эталонных фотошаблонов
§ 32. Изготовление рабочих фотошаблонов
Заключение
Рекомендуемая литература
Рекомендуем
