- Артикул:00-01052032
- Автор: И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Высшая школа (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 416
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1987
- Вес: 653 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
В книге рассмотрены особенности разработки, принципы расчета и проектирования различных классов ИМС и БИС, дан анализ элементной базы современной микроэлектроники и важнейших видов ИМС, приведена методика расчета надежности ИМС.
Во 2-м издании (1-е - 1978 г ) излагаются последние достижения в области проектирования топологии ИМС, рассмотрена схемотехника современных цифровых и аналоговых ИМС и др.
Содержание
Предисловие
Введение
Глава I. Особенности разработки изделий микроэлектроники
§ 1.1. Комплексная микроминиатюризация изделий микроэлектроники
§ 1.2 Особенности конструирования и требования, предъявляемые к изделиям микроэлектроники
§ 1.3 Методы оптимального статистического расчета ИМС
§ 1.4 Этапы инженерного проектирования и разработки топологии ИМС
Глава 2. Проектирование полупроводниковых биполярных интегральных микросхем
§ 2.1 Конструктивно-технологические особенности и исходные данные для проектирования
§ 2.2. Расчет и построение профилей примесных распределений в транзисторных структурах
§ 2.3. Расчет усилительных и частотных параметров биполярного транзистора
§ 2.4. Проектирование биполярных транзисторов
§ 2.5. Расчет и проектирование диодов
§ 2.6. Расчет и проектирование диффузионных резисторов
§ 2.7. Расчет и проектирование полупроводниковых конденсаторов
Глава 3. Проектирование МДП-ИМС
§ 3.1. Схемотехнические и конструктивно-технологические особенности
§ 3.2. Принцип работы и основные параметры МДП-транзисторов
§ 3.3. Проектирование и оптимизация топологии
§ 3.4. Особенности проектирования ИМС на приборах с зарядовой связью
Глава 4. Проектирование гибридных интегральных микросхем
§ 4.1. Конструктивно-технологические особенности
§ 4.2. Особенности и этапы проектирования
§ 4.3. Определение функциональной сложности
§ 4.4. Оптимизация ИМС по критерию функциональной точности
§ 4.5. Исходные данные для проектирования топологии
§ 4.6 Расчет и проектирование пленочных резисторов
§ 4.7. Расчет и проектирование пленочных конденсаторов
§ 4.8. Расчет и проектирование пленочных проводников и контактных площадок
§ 4.9. Принципы практического проектирования и компоновки топологической структуры гибридных ИМС
§ 4.10. Разработка топологии и конструкции гибридных ИМС
Глава 5. Проектирование БИС и микросборок
§ 5.1 Особенности проектирования БИС и МСБ
§ 5.2. Ограничения и проблемы при проектировании БИС
§ 5.3. Основные, этапы расчета и проектирования БИС
§ 5.4. Методы и автоматизация проектирования ВИС
§ 5.5. Определение функционального состава БИС
§ 5.6. Проектирование топологии БИС
§ 5.7. Системы автоматизированного проектирования БИС
Глава 6. Цифровые интегральные микросхемы
§ 6.1. Общие сведения
§ 6.2. Классификация цифровых ИМС и их основные электрические параметры
§ 6.3 Схемотехническая реализация основных логических функций ИМС
§ 6.4. ИМС транзисторно-транзисторной логики
§ 6.5. ИМС эмиттерно-связанной логики
§ 6.6. ИМС на МДП-транзисторах
§ 6.7. ИМС на элементах инжекционной логики
§ 6.8. ИМС запоминающих устройств
§ 6.9. Микропроцессоры и микроЭВМ
Глава 7. Аналоговые интегральные микросхемы и БИС
§ 7.1. Основные функции, выполняемые аналоговыми ИМС
§ 7.2. Номенклатура и схемотехника построения аналоговых ИМС
§ 7.3. ИМС операционных усилителей
§ 7.4. Интегральные компараторы
§ 7.5. Интегральные аналоговые перемножители
§ 7.6. ИМС для радиоприемных и телевизионных устройств
§ 7.7. Аналоговые коммутаторы и ключи
§ 7.8. БИС цифроаналоговых и аналого-цифровых преобразователей
§ 7.9. Интегральные стабилизаторы напряжения
Глава 8. Интегральные микросхемы диапазона СВЧ
§ 8.1. Основные определения и методы интеграции
§ 8.2. Элементы СВЧ-ИМС
§ 8.3. Подложки СВЧ-ИМС
§ 8.4. Микрополосковые линии передачи СВЧ-ИМС
§ 8.5. Пассивные элементы с сосредоточенными параметрами для СВЧ-ИМС
§ 8.6. Активные элементы для СВЧ-ИМС
§ 8.7. Некоторые вопросы конструирования СВЧ-ИМС
§ 8.8. Характеристики некоторых типов СВЧ-ИМС
Глава 9. Функциональная микроэлектроника
§ 9.1. Основные направления функциональной микроэлектроники
§ 9.2. Оптоэлектроника
§ 9.3. Акустоэлектроника
§ 9.4. Магнетоэлектроника
§ 9.5. Приборы на эффекте Ганна
§ 9.6. Диэлектрическая электроника
§ 9.7. Криоэлектроника
§ 9.8. Хемотроника
§ 9.9. Приборы с зарядовой связью
§ 9.10. Молекулярная электроника и биоэлектроника
Заключение
Литература
Предметный указатель
Рекомендуем
