- Артикул:00-01036041
- Автор: Концевой Ю.А., Кудин В.Д.
- Обложка: Мягкий переплет
- Издательство: Энергия (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 144
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1973
- Вес: 181 г
- Серия: Библиотека радиотехнолога (все книги серии)
Развернуть ▼
Репринтное издание
В книге описываются электрические, оптические, рентгеновские и электронномикроскопические методы контроля технологии изготовления полупроводниковых приборов. Рассматриваются принципы организации технологического контроля при разработках и в производстве приборов.
Книга рассчитана на инженеров и технологов, занимающихся разработкой и производством полупроводниковых приборов и интегральных схем, а также на студентов, специализирующихся в области физики и технологии полупроводниковых приборов.
Оглавление
Предисловие
Глава первая. Объекты, методы контроля и его организация
1. Основные виды контроля при производстве полупроводниковых приборов
2. Особенности контроля технологических операций при изготовлении полупроводниковых приборов
3. Объекты и методы контроля
4. Организация контроля
5. Статистический контроль
6. Автоматизированные системы управления технологическими процессами (АСУТП) на основе встроенных систем контроля с применением ЭВМ
Глава вторая. Электрические методы контроля
7. Измерение вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур
8. Теоретические соотношения для вольт-фарадных характеристик р-п переходов и МДП-структур
9. Контроль свойств границы раздела диэлектрик—полупроводник
10. Особенности методики измерений и аппаратура контроля вольт-фарадных характеристик
11. Контроль вольт-амперных характеристик р-п переходов
12. Методы контроля сопротивления омических контактов
Глава третья. Оптические методы контроля
13. Контроль качества полированных поверхностей по картинам отражения когерентного света лазера
14. Контроль качества полированной поверхности и толщин прозрачных диэлектрических пленок на ней по интенсивности отраженного монохроматического света
15. Контроль плоскостности поверхности и равнотолщинности полупроводниковых пластин интерференционными методами
16. Контроль плоскостности стекол и пластин с фото-эмульсией, применяющихся при изготовлении фотошаблонов
17. Эллипсометрические методы контроля параметров
структур диэлектрик—полупроводник
18. Контроль инфракрасного излучения полупроводниковых структур
Глава четвертая. Рентгеновские и электронно-микроскопические методы контроля
19. Характеристика рентгеновских методов контроля
20. Ориентировка монокристаллов
21. Определение дефектов структуры в полупроводниковых пластинах методами рентгеновской топографии
22. Просвечивание полупроводниковых структур и приборов рентгеновскими лучами
23. Методы растровой электронной микроскопии
24. Просвечивающая электронная микроскопия
Список литературы
Рекомендуем
