- Артикул:00-01052942
- Автор: В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова
- Тираж: 4500 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Наука (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 368
- Формат: 84x108 1/32
- Год: 1981
- Вес: 593 г
- Серия: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов (все книги серии)
Развернуть ▼
В книге описаны результаты экспериментального изучения процессов образования радиационных дефектов в полупроводниках и диэлектриках, способы получения информации о микромеханизмах атомных смещений в неметаллических кристаллах. Экспериментальные данные обсуждаются на основе принятых теоретических моделей радиационного дефектообразования. Особое внимание уделяется процессам возникновения дефектов при сравнительно небольших энергиях воздействующей радиации. Приводится обзор современных данных о диффузионно-контролируемых реакциях в полупроводниках. Показано, что эти данные могут быть - согласованы благодаря единому подходу к процессам возникновения и миграции дефектов в полупроводниках.
Содержание
Предисловие
Принятые сокращения
Глава 1. Представления о простейших дефектах
§ 1. Точечные дефекты
§ 2. Методы расчета электронной структуры дефектов в кристаллах
Глава 2. Элементарный акт образования и миграции дефектов
§ 1. Дефектообразование (общие вопросы)
§ 2. Допороговое образование дефектов
§ 3. Термофлуктуационное смещение атомов
§ 4. Теоретические модели высокотемпературной диффузии
§ 5. Квантовые эффекты в диффузии атомов
§ 6. Понятие о низкотемпературной стимулированной диффузии (НСД)
Глава 3. Современные представления об образовании и миграции дефектов в кристаллах
§ 1. Новые конфигурации дефектов в алмазной решетке
§ 2. Эксперименты по низкотемпературной миграции и фотостимулированным процессам
§ 3. Радиационно - стимулированная диффузия
Глава 4. Допороговое дефектообразование в атомарных полупроводниках
§ 1. Допороговые эффекты в Ge и Si
§ 2. Общие закономерности допорогового эффекта
§ 3. Взаимодействие радиационных дефектов с примесями
Глава 5. Допороговое дефектообразование в бинарных полупроводниках
§ 1. Образование и миграция радиационных дефектов в CdS
§ 2. Радиационные изменения в CdS в процессе возбуждения когерентного излучения
§ 3. Допороговые эффекты в InSb и других бинарных материалах
§ 4. Фотостимулированные процессы образования и преобразования дефектов в CdS
§ 5. Допороговые эффекты в облучаемых ионами полупроводниках
Глава 6. Влияние излучения на диффузию в полупроводниках
§ 1. Влияние радиационных дефектов на термическую диффузию
§ 2. Экспериментальные проявления стимулированной излучением диффузии атомов
§ 3. Низкотемпературная миграция атомов в Si
§ 4. Влияние электронных возбуждений на низкотемпературную миграцию атомов
§ 5. Низкотемпературная миграция при воздействии ионов малой и средней энергии
§ 6. Особенности низкотемпературной миграции атомов
Глава 7. Активационные процессы при ионной имплантации
§ 1. Физические основы ионно-лучевого легирования полупроводников
§ 2. Дефекты структуры в полупроводниках, подвергнутых ионной бомбардировке, и явление аморфизации
§ 3. Синтез полупроводниковых соединений и структур с использованием ускоренных ионов
§ 4. Электрические свойства ионно-легированных полупроводников
§ 5. Лазерный и электронно-лучевой отжиг имплантированных слоев в полупроводниках
Глава 8. Образование и миграция атомных дефектов в некоторых прикладных задачах
§ 1. Деградация полупроводниковых излучателей оптического диапазона
§ 2. Влияние ударной волны на полупроводниковые материалы
§ 3. Микромеханизмы естественного старения полупроводниковых материалов и приборов
§ 4. Низкотемпературная стимулированная адгезия
§ 5. Вопросы радиационной стойкости при воздействии низкоэнергетических излучений
Заключение
Литература
Дополнение при корректуре
Рекомендуем
Артикул 00-01031905
