- Артикул:00-01102117
- Автор: Курносов А.И.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Вышая школа (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 327
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1980
- Вес: 543 г
Развернуть ▼
В книге рассмотрены электрофизические свойства материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Описаны полупроводниковые материалы: германий, кремний, арсенид галлия и др. Приведены сведения по материалам, применяемым для механической и химической обработки полупроводников, а также в процессах фотолитографии, сборки и герметизации.
Второе издание дополнено новыми материалами, используемыми в производстве интегральных микросхем, цифрознаковых индикаторов и запоминающих устройств.
Содержание
Введение
Глава первая. Полупроводниковые материалы и их свойства
§ 1. Основные, требования
§ 2. Классификация полупроводниковых материалов
§ 3. Характеристика кристаллических тел
§ 4. Селен
§ 5. Германий
§ 6. Кремний
§ 7. Карбид кремния
§ 8. Арсенид галлия
§ 9. Фосфид галлия
§ 10. Арсенид индия
§ 11. Антимонид индия
§ 12. Антимонид галлия
§ 13. Сульфиды, селениды и теллуриды металлов
§ 14. Окисные полупроводники
§ 15. Стеклообразные полупроводники
§ 16. Органические полупроводники
Глава вторая. Полупроводниковые эпитаксиальные структуры
§ 17. Физические основы эпитаксии
§ 18. Эпитаксиальные структуры кремния
§ 19. Эпитаксиальные структуры германия
§ 20. Эпитаксиальные структуры интерметаллических соединений
Глава третья. Материалы для механической обработки полупроводников
§ 21. Свойства абразивных материалов и требования, предъявляемые к ним
§ 22. Методы испытания абразивных материалов
§ 23. Абразивные материалы
§ 24. Алмазные порошки и пасты
§ 25. Полировочные материалы
§ 26. Материалы для изготовления шлифовальников и полировальников
§ 27. Материалы для наклейки слитков, пластин и кристаллов
Глава четвертая. Химические материалы для обработки полупроводников
§ 28. Основные требования
§ 29. Кислоты
§ 30. Основания
§ 31. Соли
§ 32. Травильные смеси
§ 33. Материалы для промывки полупроводниковых пластин и кристаллов
Глава пятая. Материалы для фотолитографии
§ 34. Основные сведения по фотолитографии
§ 35. Критерии оценки фоторезистов
§ 36. Фоторезисты
§ 37. Светочувствительные эмульсии
§ 38. Проявители для фоторезистов и светочувствительных эмульсий
§ 39. Растворители для фоторезистов и светочувствительных эмульсий
§ 40. Материалы для удаления фоторезистов и светочувствительных эмульсий
§ 41. Фотошаблоны
Глава шестая. Материалы для проведения диффузионных процессов в полупроводниках
§ 42. Основные требования к диффузантам
§ 43. Свойства диффундирующих примесей
§ 44. Твердые диффузанты
§ 45. Стеклообразные диффузанты
§ 46. Жидкие диффузанты
§ 47. Газообразные диффузанты
Глава седьмая. Электродные материалы
§ 48. Основные требования
§ 49. Акцепторные элементы
§ 50. Донорные элементы
§ 51. Элементы для основы электродных сплавов
§ 52. Электродные сплавы для р-п-переходов
§ 53. Электродные сплавы для омических контактов
Глава восьмая. Материалы для защиты р-п-переходов от внешних воздействий
§ 54. Основные требования к защите поверхности р-п-переходов от внешних воздействий
§ 55. Лаки, эмали и. компаунды
§ 56. Вазелины и цеолиты
§ 57. Защита р-п-переходов пленками окислов металлов
§ 58. Защита р-п-переходов легкоплавкими стеклами
Глава девятая. Материалы для пластмассовой герметизации полупроводниковых приборов
§ 59. Основные требования
§ 60. Эпоксидные смолы
§ 61. Компаунды на основе эпоксидных смол
§ 62. Кремнийорганические смолы и компаунды
§ 63. Полиэфирные смолы и компаунды
Глава десятая. Материалы для конструктивных элементов корпусов полупроводниковых приборов
§ 64. Основные требования
§ 65. Металлы и сплавы
§ 66. Стекло
§ 67. Керамические материалы
§ 68. Материалы для металлизации керамики
§ 69. Припои
§ 70. Клеи
Глава одиннадцатая. Материалы для изготовления пассивных элементов интегральных микросхем
§ 71. Основные требования
§ 72. Материалы для подложек
§ 73. Материалы для резисторов
§ 74. Материалы для токопроводящих коммутационных дорожек, обкладок конденсаторов и индуктивностей
Глава двенадцатая. Вспомогательные материалы
§ 75. Основные требования
§ 76. Асбестовые материалы
§ 77. Графит
§ 78. Полимерные материалы
§ 79. Кварц, алунд, органическое стекло, резина
§ 80. Газы
§ 81. Масла, жидкости и замазки для вакуумной техники
§ 82. Материалы для окраски и маркировки
§ 83. Материалы для упаковки полупроводниковых приборов
Глава тринадцатая. Электролиты для осаждения металлических пленок
§ 84. Основные требования
§ 85. Электролиты для меднения
§ 86. Электролиты и растворы для никелирования
§ 87. Электролиты для серебрения
§ 88. Электролиты для золочения
§ 89. Электролиты для осаждения сплавов золото - серебро
§ 90. Электролиты для лужения
§ 91. Электролиты для цинкования
§ 92. Электролиты для кадмирования
§ 93. Электролиты и растворы для палладирования
§ 94. Электролиты для родирования
§ 95. Электролиты для индирования
§ 96. Электролиты для хромирования
§ 97. Электролиты для. свинцевания
§ 98. Электролиты для осаждения сплавов олово - свинец
§ 99. Электролиты для осаждения сплавов олово - висмут
§ 100. Электролиты для создания контактных выступов на полупроводниковых пластинах
Глава четырнадцатая. Контроль качества материалов
§ 101. Определение типа проводимости полупроводниковых материалов
§ 102. Измерение удельного сопротивления полупроводниковых материалов
§ 103. Измерение времени жизни неосновных носителей заряда
§ 104. Выявление дислокаций
§ 105. Определение внутренних напряжений в полупроводниковых материалах
§ 106. Определение удельного сопротивления изоляционных материалов
§ 107. Определение диэлектрической проницаемости изоляционных материалов
§ 108. Определение тангенса угла диэлектрических потерь изоляционных материалов
§ 109. Определение температурного коэффициента диэлектрической проницаемости изоляционных материалов
§ 110. Определение твердости полупроводниковых и изоляционных материалов
§ 111. Определение кинематической вязкости
§ 112. Определение показателя концентрации ионов водорода (pH) растворов и электролитов
Литература
Рекомендуем
