- Артикул:00-01053159
- Автор: В.И. Капустин, А.С. Сигов
- ISBN: 978-5-16-008966-9
- Тираж: 200 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Инфра-М (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 427
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 2014
- Вес: 609 г
- Серия: Учебник для ВУЗов (все книги серии)
- Бакалавриат
Развернуть ▼
Рассмотрены основные вопросы физического материаловедения, включая классификацию свойств материалов, зависимость свойств материалов от их структуры, химического и фазового состава. Рассмотрены свойства основных конструкционных и функциональных материалов электроники, базовые технологии электронной техники, а также методы исследования структуры, химического и фазового состава материалов, включая методы электронной, ионной и фотонной спектроскопии.
Учебник предназначен для студентов, обучающихся по специальностям «Электроника и наноэлектроника», «Нанотехнологии и микросистемная техника», «Оптотехника», «Электронные и оптико-электронные приборы и системы специального назначения», «Управление качеством», «Стандартизация и метрология», «Конструирование и технология электронных средств», «Приборостроение», «Техносферная безопасность». Учебник может быть полезен аспирантам и научным сотрудникам, работающим в области электронной техники.
Содержание
Предисловие
Часть 1. Основы физического материаловедения
Глава 1. Основы физико-химического анализа материалов
1.1. Предмет и задачи материаловедения
1.2. Классификация свойств материалов
1.3. Диаграммы состояния материалов
1.4. Законы Курнакова и диаграммы «состав - свойство»
Глава 2. Атомная структура твердых тел
2.1. Симметрия кристаллов
2.2. Кристаллические структуры твердых тел
2.3. Координационное число атомов и междоузлия решетка
Глава 3. Дефекты кристаллической структуры
3.1. Классификация дефектов твердого тела
3.2. Типы точечных дефектов
3.3. Линейные дефекты. Упрочнение кристалла
3.4. Структура границ зерен кристалла, сегрегация
Глава 4. Межатомная связь в материалах
4.1. Классификация типов межатомной связи
4.2. Связь Ван-дер-Ваальса
4.3. Ионная связь
4.4. Ковалентная связь
4.5. Металлическая связь
4.6. Водородная и резонаненая связь
Глава 5. Физикохимия свойств материалов
5.1. Энергия связи и структурно-нечувствительные свойства
5.2. Элементы теории абсолютных скоростей реакций
5.3. Объемная и поверхностная концентрация точечных дефектов
5.4. Эмиссионные свойства оксидных материалов
Глава 6. Структура твердых растворов
6.1. Основные типы твердых растворов
6.2. Правила Юм-Розери
6.3. Закон Вегарда
6.4. Упорядочение в твердых растворах
Глава 7. Структура промежуточных фаз
7.1. Электронные соединения и фазы Лавеса
7.2. Фазы со структурой Р-вольфрама
7.3. Соединения типа Cu5Ca
7.4. Промежуточные фазы внедрения
7.5. Полупроводниковые промежуточные фазы
Глава 8. Процессы диффузии в материалах
8.1. Феноменологическая теория диффузии
8.2. Атомные механизмы диффузии в твердых телах
8.3. Структурные несовершенства кристалла и диффузия
Глава 9. Фазовые превращения в материалах
9.1. Основные типы фазовых превращений
9.2. Кинетика фазовых превращений. Уравнение Аврами
9.3. Превращения на границе раздела твердой и газовой фаз
9.4. Превращения на границе раздела твердых фаз
Глава 10. Методы управления структурой и свойствами материалов
10.1. Возврат
10.2. Рекристаллизация
10.3. Закалка и старение
Часть 2. Материалы электронной техники
Глава 11. Классификация материалов электронной техники
11.1. Основные типы материалов электронной техники
11.2. Структура технических условий на материал
11.3. Порядок сертификации материала
Глава 12. Основные типы конструкционных материалов
12.1. Стали
12.2. Сплавы на основе алюминия и магния
12.3. Сплавы на основе меди, олова и титана
Глава 13. Материалы физической электроники
13.1. Тугоплавкие металлы и сплавы
13.2. Материалы катодов электронных приборов
13.3. Материалы термоэмиттеров ионов
Глава 14. Материалы микроэлектроники
14.1. Элементарные полупроводники
14.2. Полупроводниковые соединения
14.3. Аморфные полупроводниковые материалы
Глава 15. Материалы с особыми свойствами
15.1. Магнитные материалы
15.2. Керамические материалы
15.3. Стеклообразные материалы
Глава 16. Методы исследования материалов
16.1. Методы исследования микроструктуры
16.2. Методы изучения фазового состава
16.3. Методы изучения химического состава
16.4. Методы построения диаграмм состояния
Глава 17. Методы испытания материалов
17.1. Испытания механических свойств материалов
17.2. Специальные виды испытаний материалов
17.3. Испытания сварных и паяных соединений
Часть 3. Базовые технологии электроники
Глава 18. Технологии металлических материалов
18.1. Технологии выращивания монокристаллов
18.2. Технологии получения поликристаллов металлов и сплавов
Глава 19. Технологии порошковых материалов
19.1. Распыление расплава инертным газом
19.2. Распыление «вращающегося электрода»
19.3. Электронно-лучевое распыление
19.4. Плазменные технологии получения нанопорошков
Глава 20. Технологии диэлектрических материалов
20.1. Технологии керамических материалов
20.2. Технологии стеклообразных материалов
Глава 21. Технологии обработки материалов
21.1. Обработка металлов давлением
21.2. Компактирование порошковых материалов
21.3. Технологии соединения металла с керамикой
Глава 22. Микроволновые технологии
22.1. СВЧ-плазменная технология синтеза нанопорошков оксидов
22.2. СВЧ-плазменная технология напыления гидроксиапатита
22.3. СВЧ-плазменная технология зашиты оптоволокна
22.4. СВЧ-технология обеззараживания питьевой воды
22.5. СВЧ-технология очистки сточных вод от тяжелых металлов
Глава 23. Планарные технологии микроэлектроники
23.1. Технологии молекулярной, газовой и жидкостной эпитаксии
23.2. Технологии диэлектрических пленок
23.3. Технологии ионного распыления и ионной имплантации
23.4. Технологии магнетронного напыления пленок
23.5. Технологии фотолитографии
23.6. Технологии сегнетоэлектрических пленок
Глава 24. Обеспечение планарных технологий
24.1. Газо-вакуумное обеспечение технологий
24.2. Методы контроля полупроводниковых структур
Часть 4. Аналитические методы исследования материалов
Глава 25.3начение аналитических методов в электронике
25.1. Основные задачи аналитических методов
25.2. Краткая история развития аналитических методов
25.3. Современный подход к развитию аналитических методов
Глава 26. Взаимодействие электронов с поверхностью твердого тела
26.1. Вторичная электронная эмиссия
26.2. Электрон-фотонная эмиссия
26.3. Электронно-стимулированная десорбция
Глава 27. Электронная Оже-спектроскопия
27.1. Физические основы Оже-спектроскопии
27.2. Качественный и количественный анализ материалов
Глава 28. Другие методы электронной спектроскопии
28.1. Ионизационная электронная спектроскопия
28.2. Спектроскопия «потенциалов появления»
28.3. Истинно-вторичная электронная спектроскопия
Глава 29. Спектроскопия упруго отраженных электронов
29.1. Спектроскопия характеристических потерь энергии
29.2. Дифракция медленных электронов
Глава 30. Приборы электронной спектроскопии
30.1. Общие характеристики энергоанализаторов
30.2. Анализаторы энергии заряженных частиц
30.3. Источники первичных электронов
Глава 31. Спектроскопия обратно рассеянных ионов низких энергий (СОРИНЭ)
31.1. Механизм рассеяния ионов низких энергий
31.2. Методика исследования материалов методом СОРИНЭ
31.3. Области применения метода СОРИНЭ
Глава 32. Вторично-ионная масс-спектроскопия (ВИМС)
32.1. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой
32.2. Методика анализа материалов методом ВИМС
32.3. Области применения метода ВИМС
32.4. Послойный анализ твердых тел
Глава 33. Аппаратура вторично-ионной масс-спектроскопии
33.1. Магнитные масс-анализаторы ВИМС
33.2. Квадрупольные масс-анализаторы
33.3. Источники ионов - «ионные пушки»
Глава 34. Другие методы ионной спектроскопии
34.1. Резерфордовское рассеяние ионов
34.2. Ионно-фотонная спектроскопия
34.3. Ионная Оже-спектроскопия
Глава 35. Спектроскопия при фотонном возбуждении электронов
35.1. Спектроскопия для химического анализа (ЭСХА)
35.2. Фотоэлектронная спектроскопия (УФЭС)
35.3. Синхротронное возбуждение спектров
Список литературы
Рекомендуемая литература
Рекомендуем
