- Артикул:00-01055750
- Автор: Ф. Г. Амелин, В. Б. Братолюбов, И. В. Грехов, Ю. А. Евсеев, Ю. М. Иньков, Н. Н. Крюкова, И. А. Линийчук, А. Ф. Свиридов, Н. X. Ситник, И. А. Тепман, В. Е. Челноков, А. Л. Чернов С. Б. Юдицкий, Н. И. Якивчик
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Энергия (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 304
- Формат: 84х108 1/32
- Год: 1968
- Вес: 456 г
Развернуть ▼
В книге излагаются основы теории полупроводников, принципы действия, конструкции, характеристики и параметры силовых кремниевых вентилей, тиристоров, симметричных тиристоров и стабилитронов. Излагаются также рекомендации по параллельному и последовательному включению вентилей, испытанию вентилей, приводятся характеристики управления тиристоров.
Книга написана на основе данных отечественной и иностранной литературы и производственного опыта по выпуску современных полупроводниковых приборов.
Книга рассчитана на инженеров и техников, работающих в области силовой полупроводниковой техники, а также студентов высших и средних технических учебных заведений.
Содержание
Предисловие редактора
Введение
Глава первая. Основы теории полупроводников
1-1. Кристаллическая решетка кремния
1-2. Примесная проводимость кремния
1-3. Основные и неосновные носители заряда в полупроводнике
1-4. Выражение для потока носителей заряда в полупроводнике
1-5. Идеальный электронно-дырочный переход в кремнии
1-6. Инжекция неосновных носителей заряда
1-7. Вольт-амперная характеристика р-n-перехода
Глава вторая. Неуправляемые кремниевые вентили
2-1. Прямая ветвь вольт-амперной характеристики кремниевого вентиля
а) Влияние рекомбинационно-генерационных процессов в слое объемного заряда
б) Влияние толщины базовой области и свойства базового контакта
в) Высокие уровни инжекции
г) Влияние тока утечки р-н-перехода
2-2. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики кремниевого вентиля
2-3. Пробой электронно-дырочного перехода
Глава третья. Вентили с контролируемым лавинообразованием
3-1. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики вентиля с контролируемым лавинообразованием
3-2. Прямая ветвь вольт-амперной характеристики вентиля с контролируемым лавинообразованием
3-3. Кремниевые стабилитроны
Глава четвертая. Тиристоры
4-1. Принцип действия переключателей и тиристоров
4-2. Вольт-амперные характеристики тиристора
4-3. Полупроводниковые приборы на основе пятислонных кремниевых структур типа n-p-n-p-n
а) Симметричный переключатель
б) Обращенный тиристор
в) Тиристор с инжектирующим управляющим электродом
г) Симметричный тиристор
4-4. Переходные процессы п четырехслойных структурах типа p-n-p-n
Глава пятая. Конструкция и технология производства силовых полупроводниковых приборов
5-1. Способы создания электронно-дырочных переходов силовых полупроводниковых приборов
5-2. Конструкция силовых полупроводниковых приборов
5-3. Конструкция охладителей силовых полупроводниковых приборов
5-4. Вентили таблеточного типа
Глава шестая. Высокочастотные силовые кремниевые вентили
6-1. Частотные свойства силовых кремниевых вентилей
6-2. Частотный диапазон
6-3. Методы уменьшения времени восстановления
6-4. Метод создания силовых высокочастотных полупроводниковых вентилей
6-5. Конструкция вентилей типа ВКЧ
6-6. Испытание вентилей
6-7. Параметры вентилей типа ВКЧ-50
Глава седьмая. Основные параметры и характеристики силовых полупроводниковых приборов
7-1. Вольт-амперные характеристики
7-2. Параметры силовых полупроводниковых приборов
а) Допустимые температуры
б) Параметры вентилей и тиристоров по току
в) Параметры вентилей и тиристоров по напряжению
7-3. Динамические характеристики тиристоров
а) Включение тиристоров
б) Допустимая скорость нарастания прямого тока при включении тиристора и переключателя (допустимая величина di/dt)
в) Допустимая скорость нарастания прикладываемого к тиристору анодного напряжения (допустимая величина di/dt)
г) Выключение тиристоров и переключателей
7-4. Характеристики и параметры управляющего электрода тиристора
Глава восьмая. Граничные параметры силовых полупроводниковых приборов
Глава девятая. Тепловые характеристики и охлаждение вентилей и тиристоров
9-1. Мощность потерь и нагрев приборов
9-2. Тепловое сопротивление
9-3. Теплоотдача от вентильного элемента или структуры к окружающей среде. Требования к радиаторам Тепловой расчет радиаторов
Глава десятая. Испытания вентилей и тиристоров
10-1. Объем испытании
10-2. Внешний осмотр и проверка на соответствие чертежам
10-3. Проверка класса, обратного тока, тока утечки, тока и напряжении управления и прямого падения напряжения
10-4. Проверка вибропрочности, ударопрочности и механической прочности выводов
10-5. Проверка на устойчивость к циклическим изменениям температуры, проверка коррозиестойкости и герметичности
10-6. Проверка работоспособности при пониженной температуре охлаждающей среды, нагрузочной и перегрузочной способности и стабильности параметров
10-7. Измерение времени включения и времени выключения тиристоров
10-8. Определение допустимой скорости нарастания прямого тока
10-9. Определение критической скорости нарастания при кладываемего к тиристору прямого напряжения du/dt
10-10. Испытания тиристоров импульсным током, определение теплового сопротивления и тока выключения
Глава одиннадцатая. Последовательное и параллельное включение приборов
11-1. Последовательное включение приборов
11-2. Параллельное включение приборов
Глава двенадцатая. Надежность силовых полупроводниковых приборов
Глава тринадцатая. Силовые кремниевые вентили тиристоры зарубежных фирм
13-1. Особенности технологии изготовления вентилей и тиристоров и их конструкция
13-2. Параметры и характеристики вентилей и тиристоров
13-3. Новые типы силовых кремниевых вентилей
Глава четырнадцатая. Перспективы развития силовой полупроводниковой техники
Приложение. Основные технические данные наиболее распространенных тиристоров
Литература
Рекомендуем
Артикул 00-00002163
