- Артикул:00-01029698
- Автор: О.К. Мокеев, А.С. Романов
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Высшая школа (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 272
- Формат: 84x108/32
- Год: 1979
- Вес: 417 г
Развернуть ▼
Репринтное издание
В книге рассмотрены технологические процессы химической обработки, фотолитографии и изготовления фотошаблонов в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Приведены основы теории этих процессов, методы и средства контроля качества обработки технологических операций и оборудования.
Содержание
Введение
Глава первая. Химические материалы. Основы процессов химической обработки полупроводников
§ 1. Вода
§ 2. Органические растворители
§ 3. Поверхностно-активные вещества и эмульсии
§ 4. Основные сведения о химических реакциях
§ 5. Гетерогенные реакции
§ 6. Состояние и свойства поверхности полупроводников
§ 7. Методы очистки поверхности полупроводников
§ 8. Механизм загрязнения поверхности полупроводников
§ 9. Адсорбция газов и парой воды
§ 10. Адсорбция металлических примесей из промывочных растворов и травителей
§ 11. Десорбция адсорбированных примесей с поверхности германия и кремния
§ 12. Основы электрохимического формирования диэлектрических и проводящих пленок
§ 13. Электрохимическое осаждение проводящих пленок
§ 14. Химическое осаждение проводящих пленок
§ 15. Технология осаждения металлических пленок химическим восстановлением ионов металлов
§ 16. Химическое и электрохимическое окисление
§ 17. Основы химического и электрохимического травления поверхности полупроводников
§ 18. Химическое травление полупроводников
§ 19. Электрохимическое травление полупроводников
§ 20. Струйное электрохимическое травление полупроводников
Глава вторая. Методы химической и электролитической отмывки полупроводников
§ 21. Отмывка в растворителях
§ 22. Отмывка в кислотах и щелочах
§ 23. Отмывка водой
§ 24. Отмывка в ультразвуковых ваннах
§ 25. Отмывка в водных растворах поверхностно-активных веществ
§ 26. Электролитическая отмывка
§ 27. Метод иодидной обработки кремниевых пластин
§ 28. Методы определения чистоты поверхности
Глава третья. Технология химического и электрохимического травления
§ 29. Технология химического травления
§ 30. Способы химического травления
§ 31. Химическое травление германия
§ 32. Химическое травление кремния
§ 33. Электрохимическое травление германия и кремния
§ 34. Выявление дефектов кристаллической структуры
§ 35. Определение кристаллографической ориентации полупроводников
Глава четвертая. Химическая обработка в технологическом цикле изготовления полупроводниковых приборов и микросхем
§ 36. Назначение процессов химической обработки
§ 37. Детали и оснастка
§ 38. Очистка металлических деталей
§ 39. Очистка стеклянных и кварцевых изделий
§ 40. Химическая обработка полупроводниковых пластин после механической обработки
§ 41. Отмывка полупроводниковых пластин перед эпитаксией
§ 42. Отмывка полупроводниковых пластин перед первым термическим окислением
§ 43. Химическая обработка полупроводниковых пластин на операциях диффузии
§ 44. Химическая обработка в пленочной технологии
§ 45. Защита поверхности полупроводниковых структур
§ 46. Методы защиты поверхности полупроводниковых пластин и кристаллов
§ 47. Герметизация полупроводниковых приборов и микросхем
Глава пятая. Фотолитография
§ 48. Основные этапы процесса фотолитографии
§ 49. Фоторезисты
§ 50. Подготовка поверхности подложек
§ 51. Формирование слоев фоторезиста
§ 52. Совмещение фотошаблона с подложкой и экспонирование
§ 53. Формирование рельефа в слое фоторезиста
§ 54. Формирование рельефа в диэлектрических и металлических тонкопленочных покрытиях
§ 55. Удаление фоторезиста
§ 56. Виды дефектов фотолитографии
§ 57. Перспективные методы фотолитографии
Глава шестая. Изготовление фотошаблонов
§ 58. Назначение фотошаблонов и предъявляемые к ним требования
§ 59. Методы изготовления фотошаблонов
§ 60. Изготовление оригиналов фотошаблонов
§ 61. Изготовление промежуточных фотошаблонов
§ 62. Изготовление эталонных фотошаблонов
§ 63. Изготовление рабочих фотошаблонов
§ 64. Погрешности рабочих фотошаблонов
Рекомендуем
