- Артикул:00-01095881
- Автор: И.М. Викулин, В.И. Стафеев
- ISBN: 5-256-00565-0
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Радио и связь (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 264
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1990
- Вес: 464 г
Развернуть ▼
Рассмотрены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, приборов с отрицательным сопротивлением с зарядовой связью, с инжекционным питанием, полупроводниковых датчиков, приборов на основе эффекта сверхпроводимости. Даны выводы основных теоретических соотношений, определяющих их параметры. В отличие от первого издания (1980 г.) расширены главы по гетеропереходам, сверхпроводящим контактам. Добавлены материалы по действию радиации на полупроводниковые приборы. Рассмотрены эффекты, возникающие при приближении к субмикронным размерам активных элементов.
Для инженерно-технических работников, занимающихся применением и разработкой элементов микроэлектроники.
Содержание
Предисловие
Глава 1. Электронно-дырочные переходы
1.1. Образование электронно-дырочного перехода. Контактная разность потенциалов
1.2. Ширина p-n-перехода. Зарядная емкость
1.3. Инжекция и экстракция неосновных носителей заряда
1.4. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода с широкой базой при малых уровнях инжекции
1.5. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода с широкой базой при больших уровнях инжекции
1.6. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода с узкой базой при малых уровнях инжекции
1.7. Невыпрямляющие контакты
1.8. Вольт-амперная характеристика р-i-n-структуры
1.9. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода с рекомбинацией и генерацией носителей в слое объемного заряда
1.10. Гетеропереходы
1.11. Пробой p-n-перехода
1.12. Диффузионная емкость
1.13. Эквивалентная схема p-n-перехода для малого сигнала
1.14. Переходные процессы в p-n-переходах
Глава 2. Полупроводниковые диоды
2.1. Выпрямительные диоды
2.2. Стабилитроны
2.3. Импульсные, высокочастотные и СВЧ-диоды
2.4. Диоды с накоплением заряда
2.5. Диоды Шотки
2.6. Варикапы и параметрические диоды
2.7. Фотоэлектрические приемники
2.8. Полупроводниковые источники излучения
2.9. Варисторы
2.10. Шумы в полупроводниковых диодах
2.11. Действие реакции на характеристики диодов
Глава 3. Биполярные транзисторы
3.1. Принцип действия и основные параметры
3.2. Влияние режимов работы на параметры транзисторов
3.3. Эквивалентная схема транзистора
3.4. Зависимость параметров транзистора от частоты
3.5. Статистические характеристики транзисторов. Влияние температуры
3.6. Граничная и предельная частота усиления по току в схеме с общим эмиттером. Импульсные свойства
3.7. Пробои транзисторов
3.8. Системы малосигнальных параметров транзисторов
3.9. Дрейфовый транзистор
3.10. Гетероструктурные транзисторы
3.11. Фототранзисторы, оптоэлектронные транзисторы, оптопары
3.12. Работа транзистора в режиме экстракции
3.13. Влияние радиации на параметры транзисторов
Глава 4. Полевые транзисторы
4.1. Полевые транзисторы с p-n-переходом или барьером Шотки в качестве затвора
4.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором - МДП-транзисторы
4.3. Влияние внешних воздействий на параметры полевых транзисторов
Глава 5. Полупроводниковые приборы с вольт-амперной характеристикой S-типа
5.1. Общая характеристика приборов с отрицательным сопротивлением
5.2. S-диод
5.3. Однопереходный транзистор
5.4. Лавинный транзистор
5.5. Транзистор с утечкой тока в коллекторе
5.6. Инжекционно-полевой транзистор
5.7. Модуляционный транзистор
5.8. Четырехслойные p-n-p-n-структуры
5.9. Тиристоры
5.10. Применение приборов с вольт-амперной характеристикой S-типа
Глава 6. СВЧ-диоды с отрицательным сопротивлением
6.1. Туннельные диоды
6.2. Диоды Ганна
6.3. Лавинно-пролетные диоды
Глава 7. Полупроводниковые датчики
7.1. Датчики температуры
7.2. Тензодатчики
7.3. Датчики магнитного поля
Глава 8. Приборы с объемной связью и другие новые приборы
8.1. Функциональные схемы с объемной связью
8.2. Функциональные схемы с использованием плазменной объемной связи на основе приборов с отрицательным сопротивлением
8.3. Биполярные транзисторы в схемах с инжекционным питанием
8.4. Приборы с зарядовой связью
8.5. Акустоэлектронные приборы
8.6. Транзисторы на горячих электронах
8.7. Приборы на основе сверхпроводящих материалов
8.8. Приборы на основе полупроводниковых алмазов
Приложение 1. Основные электрофизические параметры полупроводников при Т=300 К
Приложение 2. Работа выхода для некоторых материалов А, эВ
Список литературы
Рекомендуем
