- Артикул:00-01052517
- Автор: В.В. Горбачев, Л.Г. Спицына
- Тираж: 7600 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Металлургия (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 368
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1976
- Вес: 593 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
Учебное пособие для студентов металлургических вузов по специальности «Технология материалов электронной техники». Может быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии полупроводников.
Систематически изложены основные понятия физики полупроводников и металлов. На основе современных представлений рассмотрены вопросы теории проводимости, зонной теории твердого тела, поведения электронов в полупроводниках и металлах, взаимодействия носителей заряда. Описаны различные физические свойства полупроводников и металлов, определяющиеся поведением электронов.
Содержание
Предисловие
Условные обозначения
1. Основы электронной теории электропроводности
1.1. Классификация веществ по величине и температурной зависимости проводимости
1.2. Модель Друде-Лоренца для электропроводности твердых тел
1.3. Модельные представления об электропроводности полупроводников. Электроны и дырки в полупроводниках
2. Основы зонной теории твердого тела
2.1. Уравнение Шредингера. Электроны в идеальном кристалле
2.2. Решение уравнения Шредингера для электрона в кристалле. Адиабатическое и одноэлектронное приближения
2.3. Периодическое поле решетки кристалла. Волна Блоха
2.4. Свойства волнового вектора электрона в кристалле. Обратная решетка. Зоны Бриллюэна
2.5. Квазиимпульс
2.6. Анализ формы изоэнергетической поверхности вблизи экстремальных точек. Эффективная масса электрона в кристалле
2.7. Обзор основных приближенных методов решения одноэлектронного уравнения Шредингера в кристалле
2.8. Металлы и диэлектрики. Полупроводники и полуметаллы в зонной теории
2.9. Элементарная теория локальных и примесных состояний
2.10. Зонная структура основных полупроводниковых материалов
2.11. Ферми-поверхности металлов
3. Статистика электронов и дырок, в металлах и полупроводниках
3.1. Функция распределения электронов и дырок по состояниям
3.2. Функция плотности состояний для электронов и дырок
3.3. Вычисление концентрации электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне
3.4. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике. Температурная зависимость уровня Ферми
3.5. Нахождение ширины запрещенной зоны по температурной зависимости концентрации носителей заряда в собственном полупроводнике
3.6. Статистика примесных состоянии в полупроводниках
3.7. Концентрация электронов и температурная зависимость уровня Ферми в полупроводниках с одним типом примеси
3.8. Температурная зависимость концентрации носителей заряда и уровня Ферми в реальных полупроводниках
3.9. Вырожденные примесные полупроводники
4. Явления в полупроводниках, содержащих избыточные носители заряда
4.1. Характеристики неравновесного состояния электронов и дырок в полупроводниках
4.2. Основные механизмы рекомбинации носителей заряда в полупроводниках
4.3. Основные механизмы генерации неравновесных носителей заряда в полупроводниках. Максвелл обо время релаксации
4.4. Уравнение непрерывности для полупроводников
4.5. Статистика рекомбинации Холла-Шокли-Рида. Зависимость времени жизни от положения уровня Ферми
4.6. Температурная зависимость времени жизни носителей заряда. Определение энергетического положения рекомбинационных уровней
4.7. Электрические токи дрейфа и диффузии носителей заряда в полупроводниках. Соотношение Эйнштейна
4.8. Движение неравновесных носителей заряда в слабых электрических полях
4.9. Движение неравновесных носителей заряда в сильных электрических полях
4.10. Совместное движение неравновесных электронов и дырок. Биполярный коэффициент диффузии и биполярная подвижность
5. Контактные явления в металлах и полупроводниках
5.1. Искривление энергетических зон во внешнем электрическом поле
5.2. Работа выхода. Контактная разность потенциалов
5.3. Явления на контакте металл-полупроводник. Выпрямляющие свойства контакта
5.4. Электронно-дырочный переход в полупроводниках
5.5. Вольт-ампер пая характеристика р-n-перехода
5.6. Другие виды контактов. Гетеропереходы
5.7. Поверхностные состояния и их влияние на контактные явления
6. Рассеяние электронов в кристаллах
6.1. Механизмы рассеяния. Эффективное сечение рассеяния
6.2. Тепловые колебания атомов решетки
6.3. Рассеяние носителей заряда на фононах
6.4. Рассеяние на атомах примеси и дислокациях
6.5. Другие виды рассеяния носителей в полупроводниках. Температурная зависимость подвижности
7. Явления переноса в полупроводниках и металлах
7.1. Кинетическое уравнение Больцмана. Время релаксации
7.2. Электропроводность. Электропроводность по примесной зоне. Прыжковая электропроводность
7.3. Теплопроводность. Различные механизмы теплопереноса
7.4. Термоэлектрические явления. Увлечение электронов фононами
7.5. Гальваномагнитные эффекты. Эффект Холла
7.6. Термомагнитные явления
7.7. Явления переноса в сильных электрических полях
8. Оптические явления в полупроводниках и металлах
8.1. Оптические коэффициенты и связь их с диэлектрической проницаемостью кристалла
8.2. Обзор основных механизмов поглощения света в кристаллах
8.3. Коэффициент поглощения для межзонных переходов. Сила осциллятора. Приведенная плотность состояний. Особые точки Ван-Хова
8.4. Форма края собственного поглощения в полупроводниках. Определение ширины запрещенной зоны по краю собственного поглощения
8.5. Экситонное поглощение. Учет электронно-дырочного взаимодействия в области края собственного поглощения
8.6. Оптическое поглощение с участием примесей. Примесное и межпримесное поглощение
8.7. Поглощение свободными носителями заряда
8.8. Плазменный резонанс в спектрах отражения вырожденных полупроводников и металлов
8.9. Фононное поглощение и поглощение локальными колебаниями примесных атомов
8.10. Дифференциальные методы исследования оптических свойств полупроводников
8.11. рекомбинационное излучение в полупроводниках
8.12. Спонтанное и вынужденное излучение. Полупроводниковые лазеры
8.13. Фотопроводимость
8.14. Фотовольтаические эффекты в полупроводниках
8.15. Магнетооптические явления в полупроводниках и металлах
Рекомендуем
