- Артикул:00-01043986
- Автор: Орешкин П.Т.
- Обложка: Твердый переплет
- Издательство: Высшая школа (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 448
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1977
- Вес: 490 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
В книге изложены элементы зонной теории твердых тел; статистика электронов и дырок в полупроводниках; кинетические явления в полупроводниках; неравновесные носители заряда в полупроводниках и диэлектриках; контактные явления и физика р-n-переходов; поверхностные, оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках; некоторые вопросы физики неоднородных и неупорядоченных структур; явления в сильных электрических полях; ионная электропроводность и миграционная поляризация в полупроводниках и диэлектриках; поляризация в постоянном и переменном электрическом поле, диэлектрические потери, диэлектрическая дисперсия и др.
Оглавление
Предисловие
Глава I. Общие свойства микрочастиц
§ 1. Свободный электронный газ
§ 2. Потенциальные барьеры для микрочастиц
§ 3. Квантование в атомах
Глава II. Элементы зонной теории твердых тел
§ 4. Электронный газ в периодическом потенциальном поле
§ 5. Зоны Бриллюэна
§ 6. Эффективная масса
§ 7. Сложная структура энергетических зон полупроводников в к-пространстве
§ 8. Металлы, полупроводники, диэлектрики
Глава III. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
§ 9. Электронейтральность в полупроводниках и диэлектриках
§ 10. Распределение электронов и дырок по энергетическим состояниям в зонах и на дискретных уровнях
§ 11. Плотность состояний и равновесная концентрация носителей заряда в кристаллических полупроводниках
§ 12. Уровень Ферми и равновесная концентрация носителей заряда в невырожденных собственных полупроводниках. Закон действующих масс
§ 13. Уровень Ферми и равновесная концентрация носителей заряда в невырожденных полупроводниках, содержащих доноры
§ 14. Уровень Ферми и равновесная концентрация носителей заряда в невырожденных полупроводниках, содержащих акцепторы
§ 15. Уровень Ферми и равновесная концентрация носителей заряда в невырожденных полупроводниках, содержащих доноры и акцепторы
§ 16. Вырожденные полупроводники
Глава IV. Кинетические явления в полупроводниках
§ 17. Электропроводность полупроводников (общие понятия)
§ 18. Элементы теории электропроводности и рассеяния электронов проводимости
§ 19. Термоэлектрические явления
§ 20. Эффект Холла
§ 21. Различные гальваномагнитные и термомагнитные явления
§ 22. Диффузионные уравнения. Уравнение Эйнштейна
Глава V. Неравновесные носители заряда в полупроводниках и диэлектриках
§ 23. Максвелловская релаксация в полупроводниках и диэлектриках. Дебаевская длина экранирования
§ 24. Уравнение непрерывности (неразрывности)
§ 25. Механизмы рекомбинации неравновесных носителей заряда
§ 26. Квазиуровни Ферми и демаркационные уровни
Глава VI. Контактные явления в полупроводниках и диэлектриках
§ 27. Контактная разность потенциалов и в. а. х. для системы «металл - вакуумный зазор - металл»
§ 28. Явления на контакте полупроводник - металл
§ 29. Теория выпрямления на контакте полупроводник - металл
§ 30. Контакт электронного и дырочного полупроводников
§ 31. Вольт-амперная характеристика тонкого р-n-перехода
§ 32. Различные случаи контакта полупроводников
Глава VII. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках
§ 33. Поверхностные уровни и изгиб зон. Длина экранирования и электростатический потенциал
§ 34. Изменение поверхностной проводимости при изгибе зон
§ 35. Эффект поля и поверхностные состояния
§ 36. Поверхностная рекомбинация
Глава VIII. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках
§ 37. Поглощение света в полупроводниках и диэлектриках
§ 38.Фотопроводимость в полупроводниках и диэлектриках
§ 39. Фото- э. д. с. и фотомагнито- э. д. с.
§ 40. Возможности усиления и генерации света с помощью полупроводников и диэлектриков
Глава IX. Неоднородные и неупорядоченные структуры
§ 41. Поликристаллические полупроводники и диэлектрики
§ 42. Аморфные полупроводники и диэлектрики
Глава X. Явления в сильных электрических полях
§ 43. Концентрация и подвижность носителей заряда в твердых полупроводниках и диэлектриках в сильном электрическом поле
§ 44. Эффект Ганна
§ 45. Нелинейности в. а. х. в неоднородных полупроводниках и пленочных структурах
Глава XI. Ионная электропроводность и миграционная поляризация в полупроводниках и диэлектриках
§ 46. Дефекты Тю Френкелю и Шоттки
§ 47. Ионная электропроводность
§ 48. Ионно-релаксационная и миграционная поляризации
§ 49. Междуслойная и структурная поляризации
Глава XII. Поляризация в постоянном поле в диэлектриках без проводимости
§ 50. Среднее и локальное электрическое поле в диэлектриках без проводимости
§ 51. Уравнение Клаузиуса-Мосотти
§ 52. Дипольная поляризуемость
§ 53. Поляризация твердых ионных диэлектриков и гетерогенных смесей
Глава XIII. Поляризация диэлектриков и полупроводников в переменном поле и диэлектрические потери
§ 54. Изменение поляризации при изменении поляризущего (внешнего) электрического поля в однородных диэлектриках
§ 55. Диэлектрические потери в диэлектриках с релаксационной поляризацией и сквозной проводимостью
§ 56. Эквивалентные схемы замещения
§ 57. Диэлектрическая дисперсия в «сложных структурах»
Глава XIV. Особые состояния и виды диэлектриков
§ 58. Электреты
§ 59. Сегнетоэлектрики
§ 60. Пьезоэлектрики
Литература
Рекомендуем
