- Артикул:00-01047551
- Автор: Маллер Р., Кейминс Т.
- ISBN: 5-03-001100-5
- Обложка: Твердый переплет
- Издательство: МИР (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 630
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1989
- Вес: 919 г
Развернуть ▼
В книге американских специалистов изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а также математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе. Большое внимание уделяется математическим моделям элементов ИС, предназначенным для систем автоматизированного проектирования. Рассмотрен ряд специфических для ИС элементов: биполярные транзисторы с оксидной изоляцией, КМОП-структуры и т. д.
Для специалистов по проектированию полупроводниковых ИС, инженеров-технологов полупроводникового производства, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.
Оглавление
От переводчиков
Предисловие к первому изданию
Предисловие ко второму изданию
Глава 1. Полупроводники
1.1. Физика полупроводниковых материалов
Зонная модель твердых тел
Дырки
Модель электронных связей
Доноры и акцепторы
Статистика теплового равновесия
1.2. Свободные носители заряда в полупроводниках
Дрейфовая скорость
Подвижность и рассеяние
Диффузионный ток
1.3. Пример прибора: магнитный датчик, основанный на эффекте Холл
Физические основы эффекта Холла
Интегральный магнитный датчик, основанный на эффекте Холл
Заключение
Литература
Задачи
Глава 2. Технология изготовления кремниевых приборов
2.1. Планарная технология на кремнии
2.2. Выращивание монокристаллов
2.3. Термическое окисление
Кинетика окисления
2.4. Фотолитография и перенос рисунков
2.5. Введение примесей и диффузия
Ионное легирование
Диффузия
2.6. Химическое осаждение из газовой фазы
Эпитаксиальное выращивание
Неэпитаксиальные пленки
2.7. Создание межсоединений и окончательная сборка
Проверка параметров и сборка в корпус
2.8. Моделирование технологических процессов
2.9. Пример прибора: интегральный резистор
Заключение
Литература
Задачи
Глава 3. Контакты металл - полупроводник
З.Т. Равновесие в электронных системах
Система металл - полупроводник
Неоднородно легированный полупроводник
3.2. Идеальные переходы металл - полупроводник
Зонная диаграмма
Заряд, обедненная область и емкость
3.3. Вольт-амперные характеристики
Барьер Шотки+
Барьер Мотта+
3.4. Невыпрямляющие (омические) контакты
Туннельные контакты
Омические контакты Шотки+
3.5. Поверхностные эффекты
Поверхностные состояния
Поверхностные явления на контактах металл - полупроводник +
3.6. Приборы со структурой металл - полупроводник: диоды Шотки
Заключение
Литература
Задачи
Глава 4. рn-переходы
4.1. Плавное распределение примеси
4.2. рn-переход
Резкий переход
Плавный переход с линейным распределением примеси
4.3. рn-переходы при обратном смещении
4.4. Пробой переходов
Лавинный пробой
Туннельный (зенеровский) пробой
4.5. Пример прибора: полевой транзистор с управляющим рn-переходом
Заключение
Литература
Задачи
Глава 5. Токи в рn-переходах
5.1. Уравнение непрерывности
5.2. Генерация и рекомбинация
Локализованные состояния: захват и эмиссия
Рекомбинация Шокли-Холла - Рида+
Время жизни избыточных носителей
5.3. Вольт-амперные характеристики рn-переходов
Граничные значения концентраций неосновных носителей
Теория идеального диода
Токи, обусловленные областью объемного заряда
5.4. Накопление заряда и переходные процессы в диоде
Накопление неосновных носителей
Моделирование схемы
5.5. Примеры приборов: диоды в НС
Заключение
Литература
Задачи
Глава 6. Биполярные транзисторы. Основные свойства и характеристики
6.1. Работа транзистора
Транзистор-прототип
Транзисторы для интегральных схем
6.2. Активный режим
Усиление по току
6.3. Переключательные процессы в транзисторе
Режимы работы транзистора
6.4. Модель Эберса - Молла
Обратимость
6.5. Примеры приборов: планарные биполярные усилительные и переключающие транзисторы
Заключение
Литература
Задачи .
Глава 7. Биполярные транзисторы. II. Ограничения и модели
7.1. Эффект изменения коллекторного напряжения (эффект Эрли)
7.2. Эффекты низкого и высокого эмиттерных напряжений
Токи при малых эмиттерных напряжениях
Высокий уровень инжекции
Сопротивление базы
7.3. Время пролета через базу
7.4. Модель управления зарядом
Применение модели управления зарядом
7.5. Малосигнальная модель транзистора
Эквивалентность моделей
7.6. Модель биполярного транзистора для автоматизированного моделирования
7.7. Примеры приборов: рnр-транзисторы
Вертикальные рnр-транзисторы с коллектором в подложке
Горизонтальные рnр-транзисторы
Заключение
Литература
Задачи
Глава 8. Свойства структуры металл - окисел - полупроводник
8.1. МОП-структура
Энергетическая зонная диаграмма при тепловом равновесии Влияние напряжения смещения
8.2. Емкость МОП-структуры
8.3. Теоретический анализ МОП-структуры
Анализ при тепловом равновесии
Анализ неравновесного состояния
8.4. Заряд в окисле и на границе раздела
Источники заряда в окисле
8.5. Поверхностные эффекты в рn-переходах +
8.6. МОП-конденсаторы и приборы с зарядовой связью (ПЗС)
Заключение
Литература
Задачи
Глава 9. МОП-транзисторы. Основы теории и модели
9.1. Упрощенная теория
Анализ по методу управления зарядом
9.2. Параметры МОП-транзистора
9.3. Проектирование МОП-транзисторов и ИС
Пороговое напряжение и управление им
Развитие МОП-технологии
Запоминающие устройства на МОП-транзисторах
9.4. Пример прибора: комплементарные МОП-схемы
Заключение
Литература
Задачи
Глава 10. МОП-транзисторы. Ограничения и перспективы развития
10.1. Предпороговый ток
10.2. Ограничение дрейфовой скорости в канале
Усовершенствованная модель МОП-транзистора+
10.3. Особенности МОП-транзисторов с малыми геометрическими размерами
Влияние размеров на пороговое напряжение
Эффекты горячих носителей
Пробой в МОП-транзисторах
10.4. Масштабная миниатюризация МОП-транзисторов
10.5. Численное моделирование
10.6. Примеры приборов: ионно-легированные МОП-транзисторы, обедненные МОП-транзисторы
Заключение
Литература
Задачи
Ответы к некоторым задачам
Приложение
Список некоторых обозначений
Предметный указатель
Рекомендуем
