- Артикул:00-01095060
- Автор: А.М. Калашников, Я.В. Степук
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Военное издательство министерства обороны Союза CCP (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 292
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1973
- Вес: 441 г
- Серия: Учебное пособие для СПО (все книги серии)
- Основы радиотехники и радиолокации
Развернуть ▼
Курс учебного пособия «Основы радиотехники и радиолокации» состоит на четырех самостоятельных книг:
Колебательные системы.
Электровакуумные и полупроводниковые приборы.
Радиопередающие и радиоприемные устройства.
Радиолокация.
Курс рассчитан на курсантов радиотехнических училищ, в которых радиотехника и радиолокация являются профилирующими дисциплинами. Курс представляет интерес для офицеров, связанных с эксплуатацией радиотехнических средств, а также для учащихся гражданских учебных заведений, занимающихся изучением радиотехники и радиолокации.
В данной книге описаны электровакуумные приборы, электроннолучевые приборы, полупроводниковые приборы. Большое внимание уделяется физической стороне происходящих явлений. Математический аппарат в основном использован в объеме средней школы.
Глава 1 написана Калашниковым А, М., глава 2 - Фогельсоном Б. И., глава 3 - Степуком Я. В.
Содержание
Глава 1. Электровакуумные приборы
§ 1. Общие сведения об электровакуумных приборах
1. Принцип устройства и работы электронной лампы
2. Движение электронов в электрическом поле
§ 2. Катоды электровакуумных приборов
1. Электронная эмиссия
2. Способы накала катода
3 Параметры катода
4. Типы катодов
5. Конструкция катодов
6. Эксплуатация катодов
§ 3. Двухэлектродная лампа
1. Принцип работы двухэлектродной лампы
2. Пространственный заряд
3. Характеристики двухэлектродной лампы
4. Сопротивление дампы постоянному и переменному токам
5. Нагрузочный режим диода
6. Мощность, выделяемая на аноде
7. Конструкция и применение двухэлектродных ламп
§ 4. Трехэлектродная лампа
1. Устройство и принцип работы триода
2. Характеристики триода
3. Статические параметры триода
4. Определение параметров триода
5. Понятие о сопротивлении триода постоянному току
6. Нагрузочный режим триода
7. Построение нагрузочной управляющей характеристики
8. Область допустимых режимов работы
9. Междуэлектродные емкости триода
§ 5. Принцип усиления переменного напряжения лампой
1. Схема резисторного усилителя и физические процессы в нем
2. Эквивалентная схема усилительного каскада
3. Коэффициент усиления каскада
4. Графический метод расчета усилительного каскада
§ 6. Четырехэлектродная лампа
1. Основные требования, предъявляемые к усилительным лампам, и недостатки триода
2. Устройство четырехэлектродной лампы. Роль экранирующей сетки
3. Характеристики и параметры тетрода
4. Динатронный эффект
§ 7. Пятиэлектродная лампа
1. Устройство пятиэлектродной лампы. Роль защитной сетки
2. Характеристики пентода
3. Параметры пентода
4. Пентод с удлиненной характеристикой
5. Виды пентодов
§ 8. Лучевой тетрод
§ 9. Специальные лампы
1. Малогабаритные лампы
2. Лампы для сверхвысоких частот
3. Широкополосные лампы
4. Лампы для преобразования частоты
5. Комбинированные лампы
§ 10. Электрический разряд в газах
1. Физические процессы, возникающие при прохождении электрического тока через газ. Ударная ионизация
2. Напряжение возникновения электрического разряда
3. Вольт-амперная характеристика электрического разряда в газе
4. Высокочастотный разряд
§ 11. Газоразрядные (ионные) приборы
1. Неоновая лампа
2. Стабилитрон
3. Газонаполненные (ионные) разрядники
4. Тиратрон
5. Цифровой индикатор
Глава 2. Электроннолучевые приборы
§ 1. Электроннолучевые трубки с электростатическим управлением
1. Назначение и типы электроннолучевых трубок
2. Устройство электроннолучевой трубки с электростатическим управлением
3. Фокусировка электронов электрическим полем
4. Отклоняющая система трубки с электростатическим управлением
5. Параметры электроннолучевых трубок
6. Схема питания электроннолучевой трубки
§ 2. Электроннолучевые трубки с магнитным управлением
1. Устройство, принцип действия и схема питания
2. Движение электронов в однородном магнитном поле
3. Фокусировка электронов неоднородным магнитным полем
4. Отклоняющая система трубки с магнитным управлением
§ 3. Специальные типы электроннолучевых трубок
1. Электроннолучевые трубки с центральным электродом
2. Двухлучевые трубки
3. Электроннолучевые трубки с ионными ловушками
4. Электроннолучевые трубки с послеускорением электронов
5. Характрон
§ 4. Электроннолучевые приборы с накоплением заряда
1. Классификация электроннолучевых приборов с накоплением заряда
2. Иконоскоп
3. Видикон
4. Потенциалоскоп
5. Тайпотрон и графекон
Глава 3. Полупроводниковые приборы
§ 1. Электропроводность полупроводников
1. Кристаллические структуры полупроводников
2. Основные понятия зонной теории
3. Носители зарядов в полупроводниках
4. Уровень Ферми в полупроводниках
5. Концентрация свободных носителей зарядов в полупроводниках
6. Электропроводность полупроводников
7. Рекомбинация и время жизни неравновесных носителей
8. Наклон энергетических зон в электрическом поле
§ 2. Контактные явления в полупроводниках
1. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии
2. р-n-переход при обратном смещении
3. р-n-переход при прямом смещении
4. Пробой перехода
5. Контакт металл - полупроводник. Омический контакт
§ 3. Полупроводниковые диоды
1. Вольт-амперная характеристика и основные параметры диодов
2. Выпрямительные диоды
3. Стабилитроны
4. Высокочастотные и сверхвысокочастотные диоды
5. Импульсные диоды
6. Туннельные диоды
7. Лавинно-пролетные диоды
8. Диоды на гетеропереходах
§ 4. Принцип действия транзистора. Токи транзистора
1. Типы транзисторов. Схема включения и режимы
2. Токи транзистора
§ 5. Вольт-амперные характеристики транзисторов
1. Назначение и типы характеристик
2. Характеристики транзисторов с общей базой
3. Характеристики транзисторов с общим эмиттером
§ 6. Параметры и эквивалентные схемы транзисторов
1. Параметры транзисторов
2. Эквивалентные схемы
3. Транзистор как линейный активный четырехполюсник
4. Зависимость параметров транзистора от частоты,температуры и режима
5. Шумы транзистора
§ 7. Другие типы транзисторов
1. Транзистор типа р-n-i-р
2. Дрейфовый транзистор
3. Канальный транзистор
4. Четырехслойные р-n-р-n-структуры
§ 8. Работа транзистора с нагрузкой
1. Принцип действия усилителя с общей базой
2. Принцип действия усилителя с общим эмиттером
3. Принцип действия усилителя с общим коллектором
4. Температурная стабилизация исходного режима транзистора
§ 9. Работа транзистора в импульсном режиме
1. Переходные процессы в транзисторе с общим эмиттером
2. Переходные процессы в транзисторе с общей базой
§ 10. Методы изготовления р-n-переходов
1. Электрическая формовка точечного контакта
2. Метод сплавления
3. Метод вытягивания электронно-дырочных переходов из расплава
4. Электрохимический метод
5. Диффузионный метод
Рекомендуем
