- Артикул:00-01043944
- Автор: Ю.Г. Глодкин, Т.Г. Чикуров, Ю.В. Данилов
- ISBN: 978-5-7695-7149-7
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Академия (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 320
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 2011
- Вес: 476 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все книги серии)
- Бакалавриат
Развернуть ▼
Учебное пособие создано в соответствии с Федеральным государственным образовательным стандартом по направлению подготовки «Конструирование и технология электронных средств» (квалификация «бакалавр»).
В т. 2 рассмотрены элементная база и применение электронных устройств в приборостроении. Принципы создания элементной базы современных электронных устройств изложены на основе физики контактных явлений и ранее изученных разделов электротехники. Создание и применение электронных устройств описаны с позиций разработчика электронных средств. Теоретические сведения сопровождаются примерами практической реализации радиотехнических и электронных устройств с использованием характеристик и параметров реальных электронных компонентов. Многие расчеты выполнены в MathCAD.
Изложение учебного материала ориентировано на формирование профессиональных знаний, что облегчает студентам старших курсов изучение специальных дисциплин, а выпускникам - адаптацию к производственной деятельности.
Для студентов учреждений высшего профессионального образования. Предназначено для студентов, обучающихся по направлениям «Приборостроение», «Информатика и вычислительная техника», а также «Электроника и наноэлектроника», «Радиотехника», «Автоматизация технологических процессов и производств», «Мехатроника и робототехника», «Техническая физика», «Радиофизика». Может быть полезно аспирантам и разработчикам электронной техники.
См. также Том 1. Электротехника
Содержание
Список сокращений
Раздел VI Теоретические основы электроники и элементная база современных электронных устройств
Глава 26. Теоретические основы электроники. Контактные явления
26.1. Физические основы электроники
26.2. Формирование электронно-дырочного перехода
26.3. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
26.4. Вывод уравнения вольт-амперной характеристики р-n-перехода
26.5. Воздействие на р-n-переход переменных напряжений
26.6. Контакт металл-полупроводник
26.7. Гетеропереходы
Глава 27.Полупроводниковые диоды
27.1. Выпрямительные диоды
27.2. Стабилитроны
27.3. Варикапы
27.4. Особенности диодов высоких и сверхвысоких частот
27.5. Генераторные диоды СВЧ
Глава 28. Выпрямители и фильтры
28.1. Выпрямитель гармонического напряжения при работе на резистивную нагрузку
28.2. Параметры выпрямителя. Выбор элементов схемы
28.3. Выпрямители с резистивно-емкостной нагрузкой
28.4. Сглаживающие фильтры. Их характеристики
28.4. Представление об удвоении и умножении напряжения
Глава 29. Биполярные транзисторы и интегральные микросхемы
29.1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора
29.2. Анализ факторов, влияющих на статический коэффициент передачи
29.3. Модуляция толщины базы
29.4. Физические параметры областей транзистора
29.5. Особенности создания и применения микросхем
29.6. Конструктивные особенности интегральных микросхем
29.7. Элементы интегральных микросхем
Глава 30. Характеристики и параметры биполярных транзисторов
30.1. Модель Эберса-Молла
30.2. Схема с общей базой
30.3. Схема с общим эмиттером
30.4. Схема с общим коллектором
Глава 31. Взаимосвязь физических и h-параметров транзисторов
31.1. Физические модели транзистора
31.2. h-параметры биполярных транзисторов
31.3. Работа биполярных транзисторов на высоких частотах. Переходные процессы в ключевом режиме
Глава 32. Полевые транзисторы. Электровакуумные приборы
32.1. Принцип действия ПТ с управляющим р-n-переходом
32.2. Характеристики и параметры ПТУП
32.3. Составной полевой с управляющим р-n-переходом - биполярный транзистор
32.4. Полевые транзисторы с изолированным затвором
32.5. Особенности характеристик МДП-транзисторов
32.6. Краткие сведения об электровакуумных приборах
Глава 33. Элементы с отрицательным сопротивлением. Тиристорные преобразователи
33.1. Однопереходный транзистор
33.2. Четырехслойная структура. Тиристоры
33.3. Принципы управления тиристорными преобразователями
33.4. Способы управления тиристорами
33.5. Многослойные структуры. Симисторы
33.6. Сравнительная оценка приборов с отрицательным сопротивлением и транзисторов
Глава 34.Оптоэлектронные преобразователи
34.1. Основные понятия и определения
34.2. Источники оптического излучения
34.3. Излучающие диоды
34.4. Полупроводниковые лазеры
34.5. Фотоэлектрические приемники
34.6. Оптопары
Глава 35. Электронные устройства записи, хранения и сдвига информации
35.1. Особенности применения МДП-структур в устройствах хранения записи и сдвига информации
35.2. Элементы длительного хранения
35.3. Перенос заряда
35.4. Приборы с зарядовой связью
35.5. Фоточувствительные приборы с зарядовой связью
Глава 36.Температурные и магнитные преобразователи
36.1. Термопреобразователи
36.2. Варисторы
36.3. Магниточувствительные элементы
Раздел VII Особенности создания и применения электронных устройств
Глава 37. Классификация, основные характеристики и принципы построения усилителей
37.1. Характеристики и параметры усилителей. Особенности классификации усилителей
37.2. Обратные связи в усилителях
37.3. Принципы усиления
37.4. Реализация принципа усиления с использованием БПТ
37.5. Принципы и схемы обеспечения заданного режима работы биполярного транзистора
37.6. Установка рабочей точки смещением от общего источника
Глава 38. Обзор основных усилительных устройств
38.1. Основная схема усилителя напряжения на БПТ
38.2. Эмиттерный повторитель
38.3. Коллекторная стабилизация режима работы усилителя
38.4. Усилитель по схеме с общей базой
38.5. Особенности включения усилителей на БПТ р-n-р-типа
38.6. Усилитель на ПТУП
38.7. Особенности ламповых усилителей
38.8. Особенности усилителей на МДП-транзисторах
38.9. Параметры резистивных усилителей на униполярных приборах, управляемых напряжением
38.10. Классы усиления
Глава 39.Операционный усилитель - основа современной аналоговой схемотехники
39.1. Дифференциальные усилители. Вычитание сигналов
39.2. Краткая характеристика ОУ
39.3. Применение ОУ для масштабного преобразования сигналов
39.4. Реализация управляемых источников
Глава 40. Решающие устройства
40.1. Суммирование и вычитание сигналов с использованием ОУ
40.2. Интегрирование и дифференцирование сигналов с использованием ОУ
40.3. Логарифмирование сигналов
40.4. Экспоненциальный преобразователь
40.5. Аналоговые перемножители
40.6. Перенос спектра
40.7. Обзор способов модуляции и детектирования
Глава 41. Авто генераторные и импульсные устройства
41.1. Алгебраические критерии устойчивости
41.2. Частотные критерии устойчивости
41.3. Триггер Шмитта
41.4. Мультивибратор
41.5. Генераторы гармонических колебаний
Глава 42. Основы цифровой электроники
42.1. Общие сведения о цифровых электронных устройствах
42.2. Логические операции и способы их аппаратной реализации
42.3. Цифровые триггеры, регистры и счетчики импульсов
42.4. Устройства комбинационной логики
42.5. Цифроаналоговые и аналого-цифровые преобразователи
42.6. Индикация цифровой информации
Глава 43. Микропроцессор
43.1. Краткая характеристика микропроцессорной системы
43.2. Структура микропроцессора
43.3. Особенности функционирования центрального процессора
43.4. Понятие о программном обеспечении МП-системы
43.5. Организация интерфейсов. Способы передачи данных
43.6. Примеры использования МП для контроля и управления технологическими процессами
Глава 44. Электрические измерения и приборы
44.1. Основные определения, используемые при измерениях электрических и неэлектрических величин
44.2. Аналоговые электроизмерительные приборы прямого преобразования
44.3. Измерение электрических величин
44.4. Преобразователи неэлектрических величин
44.5. Краткая характеристика цифровых электронных измерительных приборов
44.6. Основные характеристики цифровых приборов
44.7. Понятие об автоматических регистрирующих измерительных приборах и АСУ ТП
Заключение
Список литературы
Рекомендуем
