- Артикул:00543219
- Автор: Дулин Н.В.
- Обложка: Мягкая обложка
- Издательство: Энергия (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 424
- Формат: А5
- Год: 1977
Развернуть ▼
В третьем, переработанном и дополненном издании кпаги. излагаются сведения об устройстве, принципе действия, характеристиках, параметрах и техническом применении большинства' современных электровакуумных и полупроводниковых приборок. По сравнению со вторым изданием, вышедшим в 1969 г., сокращены разделы по вакуумным приборам и значительно расширены пб полупроводниковым приборам.
Оглавление
Предисловие
Раздел первый. Электровакуумные цриборы
Глава первая Основные сведения об электровакуумных приборах и физические основы их работы
1-1. Классификация электровакуумных йриборов и их устрой
1-2. Основные понятая о режимах и параметрах электровакуумных приборов
1-3. Электронная эмиссия
1-4. Термоэлектронные катоды
1-5. Прохождение тока-в вакууме
Глава вторая. Двудэлектродйые лампы
2-1. Физические процессы в двужэлектродной лампе (диоде)
2-2. Зависимость анодного тока от анодного напряжения
2-3. Статические характеристики диода
2-4. Диод в режиме нагрузки
2-5. Параметры диодов .
2-6. Особенности диодов различного назначения.
Глава третья. Трехэлектродные лампы
3-1. Физические процессы в трехэлектродной лампе (триоде)
3-2 Статические характеристикитриода
3-3. Параметры триода
3-4. Работа триода с нагрузкой в анодной цепи
3-5. Особенности триодов различного назначения
Глава четвертая. Многоэлектродные и специальные лампы.
4-4. Тетроды и пентоды. Физические процессы в многоэлектродных дампах.
4-2. Статические характеристики многоэлектродных ламн
4-3. Параметры многоэлектродных ламп
4-4. Особенности тетродов и пентодов различного назначения
4-5. Электронные лампы для широкополосного усиления
4-6. Электронные лампы диапазона высоких частот
4-7. Специальные лампы
Глава пятая Вопросы применения электронных ламп
Эквивалентные схемы электродах дома.
5-3. Аппроксимация характеристик Ламп
5-4 Надежность электронных ламп и параметры эксплуатационных режимов.
Глава шестая. Электровакуумные фотоэлектронные приборы
6-1. Общие сведения
6-2. Фотоэлектронная эмиссия
6-3. Электровакуумные фотоэлементы
6-4. Фотоэлектронные умножители
Глава седьмая. Электронно-лучевые приборы
7-1. Устройство и принцип действия электронно-лучевых приборов
7-2. Модуляция электронного луча по плотности
7-3. Фокусирующие системы. Электронный прожектор
7-4. Отклоняющие системы
7-5. Экраны электронно-лучевых трубок
7-6. Особенности электронно-лучевых трубок различного назначения
Глава восьмая. Ионные приборы
8-1. Общие сведения
8-2. Электрический разряд в газе
8-3. Приборы дугового разряда
8-4. Приборы тлеющего и высокочастотного разрядов
Раздел второй. Полупроводниковые приборы
Глава девятая. Основные сведения о полупроводниковых приборах и физические основы их работы
9-1. Классификация полупроводниковых приборов и их устройство
9-2. Энергетические зонные диаграммы полупроводников
9-3. Генерация и рекомбинация свободных носителей заряда в полупроводниках
9-4. Основы статистики "частиц в полупроводниках
9-5. Концентрация свободных носителей заряда в. полупроводниках
9-6. Движение носителей заряда. Электропроводность полупроводников
Глава десятая. Физические явления при контакте твердых тел.
10-1. Электрические переходы
10-2. Симметричней электронно-дырочный" переход
10-3. Электронно-дырочный переход при подключении внешнего напряжения
10-4. Различные типы переходов
10-5. Пробой электронно-дырочного перехода
10-6. Емкости электронно-дырочного перехода
Глава одиннадцатая. Полупроводниковые диоды
11-1. Устройство' и классификация полупроводниковых диодов
11-2. Физические процессы в диоде
11-3. Вольтамиерная характеристика реального диода
11-4. Основные параметры диодов
11-5. Переходные процессы в полупроводниковых диодах
11-6. Выпрямительные Диоды
11-7. Импульсные диоды
11-8. Смесительные и детекторные диоды
11-9. Стабилитроны
11-10. Варикапы
Глава двенадцатая. Биполярные транзисторы.
12-1. Устройство и принцип действия
12-2. Физические процессы в транзисторе и его физические параметры
12-3. Транзистор как четырехполюсник
12-4. Статические характеристики транзистора
12-5. Статические параметры транзистора
12-6. Работа транзистора с сигналами малых амплитуд
12-7. Работа транзистора с высокочастотными и импульсными сигналами
12-8. Зависимость характеристик и параметров транзистора от режима работы и температуры
12-9. Особенности биполярных транзисторов различного назначения
Глава тринадцатая. Полевые транзисторы
13-1. Общие сведения
13-2. Полевые транзисторы с управляющим ходом
13-3. МДП транзисторы с изолированным затвором
13-4. Параметры; полевых транзисторов
Глава четырнадцатая. Фотоэлектрические и излучающие полупроводниковые приборы
14-1. Общие сведения
14-2. Поглощение света полупроводниками
14-3. Фоторезистивный эффект
14-4. Фоторезисторы
14-5. Фотогальванический эффект
14-6. Полупроводниковые фотоэлементы
14-7. Фотодиоды
14-8. Фототранзисторы
14-9. Излучающие полупроводниковые приборы
Глава пятнадцатая. Различные полупроводниковые приборы
15-1. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением
15-2. Однопереходные транзисторы
15-3. Тиристоры
15-4. Туннельные диоды
Глава шестнадцатая. Вопросы применения полупроводниковых приборов
16-1. Шумы в полупроводниковых приборах
16-2. Линейная аппроксимация характеристик диодов и их эквивалентные схемы
16-3. Эквивалентные схемы биполярных транзисторов
16-4. Линейная аппроксимация характеристик биполярного транзистора
16-5. Эквивалентные схемы полевых транзисторов
16-6. Надежность полупроводниковых приборов и параметры эксплуатапионных режимов
Список литературы
Алфавитный указатель
Рекомендуем
