- Артикул:00-01047528
- Автор: Бобровский Ю.Л., Корнилов С.А., Кратиров И.А., Овчинников К.Д., Пышкина Н.И., Федоров Д.Н., Федоров Н.Д.
- ISBN: 5-256-01169-3
- Тираж: 2000 экз.
- Обложка: Мягкий переплет
- Издательство: Радио и связь (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 560
- Формат: 60х90/16
- Год: 1998
- Вес: 700 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
Изложены принципы действия, основные физические процессы, характеристики, параметры и модели основных полупроводниковых приборов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, тиристоры) и электровакуумных приборов (лампы, электронно-лучевые трубки), а также полупроводниковых и электровакуумных приборов сверхвысоких частот (транзисторы, диоды Ганна, лавинно-пролетные диоды, клистроны, лампы бегущей волны). Даются сведения по квантовым приборам СВЧ и приборам оптического диапазона.
Для студентов вузов связи и информатики и радиотехнических факультетов вузов.
Оглавление
Предисловие
Глава 1 . Общие сведения об электронных приборах
1.1. Классификация
1.2. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
1.3. Модели электронных приборов
Глава 2 . Электрофизические свойства полупроводников
2.1. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника
2.1.1. Общие сведения
2.1.2. Метод расчета концентраций
2.1.3. Условие электрической нейтральности
2.1.4. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках
2.1.5. Положение уровня Ферми в полупроводниках
2.1.6. Распределение носителей заряда по энергии
2.2. Неравновесное состояние полупроводника
2.2.1. Неравновесная и избыточная концентрации носителей заряда
2.2.2. Плотность тока в полупроводнике
2.2.3. Уравнение непрерывности
Глава 3. Электрические переходы в полупроводниковых приборах
3.1. Электрические переходы
3.2. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии
3.2.1. Структура р-n-перехода
3.2.2. Образование р-n-перехода
3.2.3. Энергетическая диаграмма р-n-перехода в состоянии равновесия. Формула для контактной разности потенциалов
3.2.4. Распределение напряженности электрического поля и потенциала в р-n-переходе
3.3. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
3.3.1. Потенциальный барьер
3.3.2. Толщина р-n-перехода
3.3.3 Энергетические диаграммы р-n-перехода
3.4. Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода
3.5. Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода
3.5.1. Учет генерации и рекомбинации носителей заряда в обедненном слое
3.5.2. Учет сопротивлений областей
3.5.3. Пробой р-n-перехода
3.6. Параметры и модель р-n -перехода в динамическом режиме
3.6.1. Дифференциальное сопротивление
3.6.2. Барьерная емкость
3.6.3. Диффузионная емкость
3.6.4. Малосигнальная модель р-n -перехода
3.7. Частотные свойства p-n-перехода
3.8. Импульсные свойства р-n-перехода
3.8.1. Переходные процессы при скачкообразном изменении полярности напряжения
3.8.2. Переходные процессы при воздействии импульса прямого тока
3.9. Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы
3.9.1. Контакты металл - полупроводник
3.9.2. Гетеропереходы
Глава 4. Разновидности полупроводниковых диодов
4.1. Классификация
4.2. Выпрямительные диоды
4.3. Стабилитроны и стабисторы
4.4. Универсальные и импульсные диоды
4.5. Варикапы
4.6. Туннельные и обращенные диоды
4.7. Шумы полупроводниковых диодов
Глава 5 . Биполярные транзисторы
5.1. Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы
5.1.1. Общие сведения
5.1.2. Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе
5.1.3. Влияние режимов работы БТ на токи электродов
5.2. Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла)
5.3. Статические характеристики биполярных транзисторов
5.3.1. Схема с общей базой
5.3.2. Схема с общим эмиттером
5.3.3. Влияние температуры на статические характеристики БТ
5.3.4. Зависимость коэффициентов передачи тока от электрического режима работы БТ
5.4. Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме
5.5. Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде
5.5.1. Графоаналитическое рассмотрение при большом сигнале
5.5.2. Биполярный транзистор в квазистатическом режиме как линейный четырехполюсник
5.6. Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора
5.6.1. Нелинейная динамическая модель биполярного транзистора
5.6.2. Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора.
5.7. Частотные свойства биполярного транзистора
5.7.1. Постановка задачи
5.7.2. Зависимость коэффициента инжекции от частоты
5.7.3. Зависимость коэффициента переноса от частоты
5.7.4. Частотная зависимость эффективности коллекторного перехода
5.7.5. Частотная зависимость коэффициента передачи тока в схеме с общей базой
5.7.6. Частотная зависимость коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
5.7.7. Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов
5.8. Переходные процессы в биполярном транзисторе и простейшем ключе на его основе
5.8.1. Переходные процессы в биполярном транзисторе при скачке входного тока
5.8.2. Статический режим ключевой схемы на биполярном транзисторе
5.8.3. Переходные процессы в простейшем ключе в схеме с ОЭ
5.9. Шумы биполярных транзисторов
Глава 6. Тиристоры
6.1. Транзисторная модель диодного тиристора (динистора)
6.2. Вольт-амперная характеристика динистора
6.3. Тринистор
6.4. Симметричные тиристоры (симисторы)
6.5. Переходные процессы и динамические параметры
Глава 7 . Полевые транзисторы
7.1. Общие сведения
7.2. Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом
7.2.1. Устройство и принцип действия
7.2.2. Статические характеристики
7.3. Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл - полупроводник
7.4. Идеализированная структура металл - диэлектрик - полупроводник
7.4.1. Общие сведения о МДП-структуре
7.4.2. Физические процессы в идеализированной МДП-структуре
7.4.3. Особенности реальной МДП-структуры
7.5. Полевой транзистор с изолированным затвором
7.5.1. Уравнение тока стока и статические характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом
7.5.2. МДП-транзистор со встроенным каналом
7.5.3. Параметры МДП-транзисторов
7.5.4. Особенности МДП-транзисторов с коротким каналом
7.6. Электрические модели полевых транзисторов
7.6.1. Статическая модель полевого транзистора с управляющим р-n-переходом
7.6.2. Нелинейная динамическая модель полевого транзистора с управляющим переходом
7.6.3. Малосигнальная модель полевого транзистора с управляющим р-n-переходом
7.6.4. Нелинейная динамическая модель МДП-транзистора
7.6.5. Малосигнальная модель МДП-транзистора
7.7. Шумы полевых транзисторов
7.7.1. Шумы полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом
7.7.2. Шумы МДП-транзисторов
Глава 8 . Конструктивно-технологические особенности интегральных схем
8.1. Классификация изделий микроэлектроники. Термины и определения
8.2. Типовые технологические процессы и операции создания полупроводниковых ИС
8.2.1. Подготовительные операции
8.2.2. Эпитаксия
8.2.3. Термическое окисление
8.2.4. Легирование
8.2.5. Травление
8.2.6. Литография
8.2.7. Нанесение тонких пленок
8.2.8. Пленочные проводниковые соединения и контакты
8.2.9. Разделение пластин на кристаллы и сборочные операции
8.3. Способы электрической изоляции элементов полупроводниковых ИС
8.3.1. Общие сведения
8.3.2. Изоляция р-n-переходом
8.3.3. Изоляция коллекторной диффузией
8.3.4. Изоляция диэлектрическими пленками
8.3.5. Совместная изоляция р-n-переходом и диэлектрическими пленками
8.3.6. Интегральные схемы на непроводящих подложках
Глава 9 . Интеграль-активные элементы и пассивные элементы полупроводниковых и пленочных гибридных схем
9.1. Особенности интегральных n-р-n-транзисторов
9.1.1. Структура интегрального n-р-n-хранзистора
9.2. Разновидности интегральных n-р-n-транзисторов
9.2.1. Транзистор с тонкой базой (супербета-транзистор)
9.2.2. Интегральный транзистор с барьером Шотки (транзистор Шотки)
9.2.3. МногоэмиТтерные транзисторы
9.2.4. Многоколлекторные транзисторы
9.2.5. Интегральный р-n-р-транзистор
9.3. Интегральные диоды
9.4. Особенности интегральных МДП-транзисторов
9.5. Пассивные элементы полупроводниковых ИС
9.5.1. Интегральные резисторы
9.5.2. Интегральные конденсаторы
9.6. Пассивные элементы и компоненты гибридных ИС и микросборок
Глава 10. Основы аналоговых интегральных схем
10.1. Усилительные каскады ИС
10.1.1. Особенности аналоговых ИС
10.1.2. Усилительный каскад на биполярном транзисторе в схеме с общим эмиттером
10.1.3. Усилительный каскад на МДП-транзисторе в схеме с общим истоком
10.1.4. Усилительный каскад на составном биполярном транзисторе
10.2. Повторители напряжения
10.2.1. Эмиттерный повторитель
10.2.2. Истоковый повторитель
10.3. Усилительный дифференциальный каскад
10.4. Источники стабильного тока
10.5. Каскады сдвига потенциальных уровней
10.6. Операционный усилитель
10.6.1. Структурная схема и параметры
10.6.2. Два основных включения операционного усилителя
Глава 11. Основы цифровых интегральных схем
11.1. Основные параметры и характеристики логических элементов
11.1.1. Общие сведения и классификация логических элементов
11.1.2. Основные параметры и характеристики логических элементов
11.1.3. Особенности работы цепочки логических элементов
11.1.4. Общие сведения о цифровых интегральных схемах
11.2. Инверторы в интегральных схемах
11.2.1. Инверторы на биполярных транзисторах
11.2.2. Инверторы на МДП-транзисторах
11.3. Базовый элемент диодно-транзисторной логики
11.4. Базовый элемент транзисторно-транзисторной логики
11.5. Базовый элемент эмиттерно-связанной логики
11.6. Базовый элемент интегральной инжекционной логики
11.7. Базовые логические элементы на МДП-транзисторах
11.7.1. Логические элементы на МДП-транзисторах с одинаковым типом канала
11.7.2. Логические элементы на комплементарных МДП-транзисторах
11.8. Общие сведения об элементах полупроводниковых запоминающих устройств
11.8.1. Классификация полупроводниковых запоминающих устройств
11.8.2. Общие сведения о триггерных элементах памяти
Глава 12. Повышение степени интеграции и направление функциональной электроники
12.1. Проблемы повышения степени интеграции
12.2. Матричные БИС
12.3. Функциональная электроника - перспективное направление в микроэлектронике
12.4. Элементы функциональной электроники на поверхностных акустических волнах
12.5. Элементы функциональной электроники на цилиндрических магнитных доменах
12.6. Устройство и принцип действия прибора с зарядовой связью
Глава 13. Электронные лампы
13.1. Принцип электростатического управления плотностью электронного тока
13.1.1. Общие понятия
13.1.2. Вакуумный диод
13.2. Принцип действия сеточных электронных ламп
13.2.1. Обобщенная электронная лампа
13.2.2. Связь действующего напряжения с напряжениями электродов
13.2.3. Условия получения токов в лампах
13.3. Развитие электронных ламп и их особенности
13.4. Статические характеристики и параметры электронных ламп
13.4.1. Статические характеристики
13.4.2. Дифференциальные параметры электронных ламп
13.5. Особенности триодов и тетродов СВЧ
13.5.1. Общие сведения
13.5.2. Полный ток в промежутке между электродами и во внешней цепи электровакуумных приборов
13.5.3. Принцип действия и особенности триодов и тетродов СВЧ
13.5.4. Применение триодов и тетродов СВЧ
13.6. Особенности мощных электронных ламп
Глава 14. Электронные приборы для отображения информации и фотоэлектрические приборы
14.1. Электронно-лучевые приборы
14.1.1. Классификация
14.1.2. Устройство и принцип действия ЭЛТ с электростатическим управлением
14.1.3. Электронный прожектор с электростатической фокусировкой
14.1.4. Электронный прожектор с магнитной фокусировкой
14.1.5. Электростатическая отклоняющая система ЭЛТ
14.1.6. Магнитная отклоняющая система ЭЛТ
14.1.7. Экраны электронно-лучевых трубок
14.1.8. Основные типы электронно-лучевых трубок
14.2. Электросветовые приборы
14.3. Оптоэлектронные индикаторы
14.3.1. Классификация
14.3.2. Активные индикаторы
14.3.3. Пассивные индикаторы
14.4. Фотоэлектрические приборы
14.4.1. Электровакуумные фотоэлектрические приоры
14.4.2. Фотопроводимость полупроводников
14.4.3. Фоторезисторы
14.4.4. Фотодиоды
14.4.5. Фотоэлементы
14.4.6. Р-i-n-фотодиоды и лавинные фотодиоды
14.4.7. Фототранзисторы
14.4.8. Полевые фототранзисторы
14.4.9. Фототиристоры
14.5. Оптопары
Глава 15. Клистроны
15.1. Общие сведения
15.2. Принцип действия двухрезонаторного пролетного клистрона
15.3. Элементы кинематической теории клистрона
15.3.1. Модуляция электронов по скорости
15.3.2. Группировка электронов в клистроне
15.3.3. Мощность взаимодействия потока электронов и СВЧ-поля
15.4. Характеристики двухрезонаторного пролетного усилительного клистрона
15.4.1. Амплитудная характеристика. Коэффициент усиления
15.4.2. КПД пролетного двухрезонаторного клистрона
15.5. Многорезонаторные клистроны
15.6. Генераторные клистроны
15.6.1. Генераторный пролетный клистрон
15.6.2. Отражательный клистрон
Глава 16 . Лампы бегущей волны
16.1. Общие сведения
16.2. Замедляющие системы
16.2.1. Принцип действия и типы замедляющих систем
16.2.2. Параметры замедляющих систем
16.3. Конструкция и принцип действия ЛБВ
16.4. Элементы линейной теории ЛБВ
16.5. Характеристики и параметры ЛБВ
16.5.1. Амплитудная характеристика
16.5.2. Коэффициент усиления
16.5.3. Коэффициент полезного действия
16.5.4. Амплитудно-частотная характеристика
16.5.5. Фазовые и шумовые характеристики
16.6. Тенденции развития электровакуумных приборов с длительным взаимодействием и их применение в технике связи
Глава 17. Особенности транзисторов на СВЧ
17.1. Биполярные СВЧ-транзисторы
17.1.1. Общие сведения
17.1.2. Основные характеристики СВЧ-транзисторов
17.1.3. Типы биполярных СВЧ-транзисторов
17.2. Полевые СВЧ-транзисторы
17.2.1. Общие сведения
17.2.2. Основные характеристики ПТШ
17.3. Полевые транзисторы на гетероструктурах
17.4. Перспективные биполярные СВЧ-транзисторы
Глава 18. Лавинно-пролетные диоды
18.1. Взаимодействие носителей заряда с кристаллической решеткой в сильном электрическом поле
18.2. Статический режим работы ЛПД. Лавинный пробой р-n-перехода
18.3. Принцип действия генератора на ЛПД
18.4. Элементы нелинейной теории ЛПД
18.4.1. Процессы в слое умножения
18.4.?. Процессы в области дрейфа
18.4.3. Эквивалент наема и высокочастотное сопротивление ЛПД
18.4.4. Высокочастотна мощность и КПД автогенератора на ЛПД
18.5. Конструкции, параметры и применение генераторов на ЛПД
18.6. СВЧ-усилители и умножители частоты на ЛПД
18.6.1. Регенеративные усилители на ЛПД
18.6.2. Усиление мощности в режиме синхронизации
18.6.3. Умножители частоты на ЛПД
Глава 19 . Диоды Ганна
19.1. Физические основы эффекта Ганна
19.1.1. Отрицательная дифференциальная проводимость двухдолинных полупроводников
19.1.2. Доменная неустойчивость тока в диодах Ганна
19.2. СВЧ-генераторы на диодах Ганна
19.2.1. Общие сведения
19.2.2. Режим ограниченного накопления объемного заряда (ОНОЗ)
19.2.3. Конструкция, параметры и применение генераторов на диодах Ганна
19.3. СВЧ-усилители на диодах Ганна
Глава 20. Физические основы квантовой электроники
20.1. Квантовые переходы и вероятности излучательных переходов
20.2. Ширина спектральной линии
20.3. Возможность усиления электромагнитного поля в квантовых системах
Глава 21. Квантовые приборы СВЧ
21.1. Квантовые парамагнитные СВЧ-усилители
21.2. Квантовые стандарты частоты
Глава 22. Лазеры
22.1. Общие сведения
22.2. Газовые лазеры
22.3. Лазеры на твердом теле
22.4. Полупроводниковые лазеры
22.5. Лазеры в технике связи и системах обработки информации
Приложение 1
Шумы в электронных и квантовых приборах
Приложение 2
Надежность электронных приборов. Основные понятия и термины
Приложение 3
Основные параметры германия, кремния и арсенида галлия (при температуре 300 К)
Приложение 4
Физические постоянные
Список литературы
Предметный указатель
Рекомендуем
