- Артикул:00-01056598
- Автор: Костылев С.А., Шкут В.А.
- Тираж: 1600 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Наукова Думка (все книги издательства)
- Город: Киев
- Страниц: 203
- Формат: 60х90/16
- Год: 1978
- Вес: 388 г
Развернуть ▼
В монографии описаны физические основы явления переключения в аморфных полупроводниках - одного из наиболее перспективных для фундаментальных и прикладных исследований эффектов. Приведены новые данные о зонной структуре аморфных полупроводников и физических принципах разработки электронных устройств, использующих явления S-ОДС, переключения и процессы, протекающие в областях с высокой плотностью тока.
Рассчитана на физиков и инженеров, работающих в области полупроводниковой электроники, а также на аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
Оглавление
Предисловие
Глава 1. Некоторые физико-химические свойства аморфных материалов
§ 1. Стеклообразование в халькогенидных системах
§ 2. Физические особенности полупроводниковых стекол
§ 3. Свойства аморфных полупроводников с тетраэдрической атомной структурой
Глава 2. Элементы зонной структуры
§ 1. Локализованные состояния
§ 2. Модель энергетической структуры
Глава 3. Перенос носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках
§ 1. Основные результаты экспериментов по электрическим свойствам
§ 2. Проводимость по нелокализованным состояниям
§ 3. Проводимость по локализованным состояниям
§ 4. Частотная зависимость проводимости
§ 5. Влияние сильных электрических полей
Глава 4. Отрицательное дифференциальное сопротивление
§ 1. Общие представления о поведении системы с S-ОДС
§ 2. Электронно-фазовые переходы
§ 3. Инжекция в диэлектрик с ловушками
§ 4. Концентрационная S-ОДС в условиях эффекта Френкеля - Пула
§ 5. Лавинные процессы и S-ОДС
§ 6. Полевая ионизация при инжекции объемного заряда в релаксационный полупроводник
§ 7. Появление S-ОДС при изменении времени жизни носителей
§ 8. Диффузионное S-ОДС
§ 9. Механизмы, основанные на изменении дрейфовой скорости носителей заряда
Глава 5. Электрические неустойчивости
§ 1. Среда с положительной дифференциальной проводимостью
§ 2. Однородная среда с S-ОДС
§ 3. Шнуровые моды
§ 4. Формирование электрических неустойчивостей
§ 5. Исчезновение электрических неустойчивостей
Глава 6. Влияние геометрических размеров образцов на электронные процессы
§ 1. Экспериментальные сведения
§ 2. Среда с перегревной S-ОДС
§ 3. Среда с S-ОДС и заряженными неустойчивостями
Глава 7. Физические принципы создания микроэлектронных приборов на аморфных полупроводниках
§ 1. Материалы для переключающих устройств
§ 2. Технологические аспекты изготовления тонких пленок
§ 3. Методика получения пленок ХСП
§ 4. Конструирование и изготовление экспериментальных образцов
§ 5. Влияние параметров внешней схемы на элемент с ОДС
§ 6. Возможности практического применения аморфных полупроводников
Приложение
Литература
Рекомендуем
