- Артикул:00-01057333
- Автор: Д. Ферри, Л. Эйкерс, Э. Гринич
- ISBN: 5-03-002018-7
- Тираж: 8000 экз.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: МИР (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 327
- Формат: 60х90 1/16
- Год: 1991
- Вес: 542 г
Развернуть ▼
Книга американских специалистов посвящена основным проблемам разработки микросхем с очень высокой степенью интеграции - ультрабольших интегральных схем (УБИС). Основное внимание уделяется отличительным особенностям процесса разработки таких схем: характеристикам элементов с учетом эффектов, вызываемых малыми геометрическими размерами, межсоединениям, взаимодействиям между элементами на кристалле, технологическим аспектам. Рассматриваются фундаментальные физические ограничения при масштабной миниатюризации элементов, устанавливающие предельные значения быстродействия.
Для разработчиков микроэлектронной техники, а также преподавателей, аспирантов и студентов вузов соответствующих специальностей.
Содержание
От переводчика
Предисловие
1. Введение
1.1. О калькуляторах и компьютерах
1.2. Потребность в УБИС
1.3. Микропроцессор
1.4. Перспективы роста
1.5. Параллельные архитектуры для будущих УБИС
Литература
2. МОП-транзисторы с малыми размерами элементов
2.1. МОП-структура
2.2. МОП-транзистор: качественная теория
2.3. Поведение классического МОП-транзистора
2.4. Параметры МОП-транзистора
2.5. Эффекты, связанные с малыми размерами
2.6. Горячие носители
2.7. Технология изготовления КМОП-структур с субмикронными размерами
2.8. Заключение
Литература
3. Биполярные транзисторы с малыми размерами элементов
3.1. Основные представления
3.2. Эффекты второго порядка
3.3. Эффекты, связанные с двумерностью
3.4. Эффекты, связанные с трехмерностью
3.5. Паразитные эффекты
3.6. Соображения, связанные с уменьшением размеров, и соответствующие ограничения
3.7. Технологические методы изготовления биполярных транзисторов и ИС с высоким быстродействием
Литература
4. МеП-Транзисторы с малыми размерами элементов
4.1. Полевые транзисторы с pn-переходом и МеП-транзисторы
4.2. Квазиодномерное приближение
4.3. Логические схемы
4.4. Уменьшение размеров МеП-транзисторов
4.5. Транзисторы на электронах с высокой подвижностью
4.6. Современный уровень технологии изготовления МеП-транзисторов
Литература
5. Схемы и соединения
5.1. Соединения
5.2. Выводы и провода-межсоединения
5.3. Переключение с высокими скоростями
5.4. Передача сигналов за пределы кристалла
5.5. Различные способы осуществления соединений
Литература
6. Взаимодействие приборов друг с другом
6.1. Доминирующая роль взаимодействия между ближайшими соседями
6.2. Схемно-теоретический подход
6.3. Примеры
6.4. Горизонтальные поверхностные сверхрешетки
6.5. Сотовые автоматы
Литература
7. Фундаментальные ограничения логических ИС
7.1. Требования к логическим элементам
7.2. Термодинамические ограничения на переключение
7.3. Заключительные замечания
Литература
Предметный указатель
Рекомендуем
Артикул 00-00002163
