Развернуть ▼
Приведены сведения о принципе действия, схемотехнике и особенностях использования полупроводниковых постоянных запоминающих устройств, допускающих запись информации электрическим способом. Рассмотрены элементы и устройства, основанные на принципе пережигания плавких перемычек, хранения заряда в двухслойной структуре МНОП-транзистора и в изолированном затворе лавинно-инжекционного МОП-транзистора, на применении аморфных полупроводников. Приведены характеристики промышленных образцов схем памяти и программаторов.
Для инженеров и техников, занимающихся вычислительной техникой и
радиоэлектроникой. Может быть полезна студентам вузов.
СодержаниеПредисловие
Глава первая. Электрически программируемые ПЗУ в вычислительной технике
1. Классификация
2. ЭППЗУ в ЭВМ и микропроцессорных системах
Глава вторая. Однократно программируемые ПЗУ
3. Принцип действия ППЗУ
4. Микросхемы и блоки ППЗУ
Глава третья. Репрограммируемые ПЗУ НА основе МОП-структур
5. Принцип действия лавинно-инжекционного МОП ЗУ с плавающим затвором
6. Микросхемы и блоки РПЗУ с УФ-стиранием
7. Микросхемы РПЗУ с электрическим стиранием
Глава четвертая. Репрограммируемые ПЗУ на основе МНОП-структур
8. Принцип действия МНОП ЗУ
9. Микросхемы и блоки МНОП РПЗУ
Глава пятая. Репрограммируемые ПЗУ на основе аморфных полупроводников
10. Физическая основа приборов на аморфных полупроводниках
11. Микросхемы и блоки памяти
Глава шестая. Программирование ЭППЗУ
12. Программирование БИС
13. Программирование блоков РПЗУ
14. Стирание информации УФ-облучением
Глава седьмая. Перспективы разработки и применения ЭППЗУ
Список литературы