- Артикул:00-01098444
- Автор: Г.И. Катаев, С.А. Никитин
- ISBN: 5-211-01401-4
- Тираж: 1500 экз.
- Обложка: Мягкая обложка
- Издательство: Московского Университета (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 72
- Формат: 60 90/16
- Год: 1989
- Вес: 85 г
- Серия: Учебное пособие для ВУЗов (все книги серии)
Развернуть ▼
Пособие содержит теоретическое введение по теме "Физика полупроводников", достаточное для понимания физической сути следующих ниже описаний лабораторных работ и включающее изложение основ зонных представлений о структуре твердых тел, понятий о собственной и примесной проводимости полупроводников, о явлениях при р-n = переходе, эффекте Холла, устройстве и работе полупроводникового диода и транзистора.
Для студентов естественных факультетов.
Оглавление
Предисловие
Введение
§ 1. Образование энергетических зон при движении электрона проводимости в кристаллической решетке
§ 2. Зонная структура твердых тел
§ 3. Два вида носителей тока в полупроводниках
§ 4. Примесные центры и локальные уровни
§ 5. Доноры и электронная проводимость
§ 6. Акцепторы и дырочная проводимость
§ 7. Контакт полупроводников р - и n - типа
§ 8. Конструкции полупроводниковых диодов
§ 9. Полупроводниковые триоды (транзисторы)
§ 10. Интегральные схемы
§ 11. Температурная зависимость концентрации и подвижности носителей заряда
§ 12. Определение концентрации и подвижности носителей тока с помощью эффекта Холла
Задача 70. Исследования температурной зависимости электросопротивления полупроводников
Задача 90. Определение концентрации, подвижности и типа носителей тока с помощью эффекта Холла
Задача 60. Изучение работы транзистора
Рекомендуем
