- Артикул:00-01029244
- Автор: Аваев Н.А., Дулин В.Н., Наумов Ю.Е.
- Обложка: Твердая обложка
- Издательство: Советское радио (все книги издательства)
- Город: Москва
- Страниц: 248
- Формат: 84x108/32
- Год: 1977
- Вес: 387 г
Развернуть ▼
Книга посвящена одному из важнейших направлений развития больших интегральных схем (БИС) - цифровым схемам с инжекционным питанием.
Рассмотрены принцип действия, типовые конструкции, электрические характеристики, основные вопросы проектирования схем с инжекционным питанием. Подробно проанализированы физические процессы в многоэлектродных биполярных транзисторах - основных элементах БИС с инжекционным питанием. Приведены теоретические соотношения для электрических характеристик и параметров многоэлектродных транзисторов, рассмотрен вопрос их моделирования и методика измерения параметров. Описаны логические ячейки БИС, выполняющие элементарные логические операции, даны формулы для их основных электрических параметров. Рассмотрены инжекционные логические ячейки с диодами Шоттки и ячейки с управляемой инжекцией. Описаны цифровые устройства БИС, а также различные типы запоминающих ячеек для оперативных запоминающих устройств (субсистем памяти). Намечены пути дальнейшего совершенствования схем с инжекционным питанием и определены предельно достижимые значения их важнейших параметров.
Книга предназначена для инженеров, занимающихся разработкой и применением БИС, а также для студентов соответствующих специальностей.
Оглавление
Предисловие
Список основных обозначений
Глава 1. Принцип действия и конструкция схем с инжекционным питанием
1.1. Общие сведения
1.2. Устройство и принцип действия
1.3. Структуры многоэлектродных транзисторов
1.4. Основные достоинства схем с инжекционным питанием и области их применения
Глава 2. Физические процессы в транзисторах с инжекционным питанием
2.1. Основные предположения
2.2. Распределение неосновных носителей, их заряды токи через переходы
2.3. Коэффициенты усиления
2.4. Напряжение пробоя
2.5. Импульсные параметры структур
2.6. Пример расчета
2.7. Полупроводниковые структуры других типов
Глава 3. Характеристики многоэлектродного биполярного транзистора
3.1. Статические параметры эквивалентного трехэлектродного транзистора
3.2. Статические характеристики многоэлектродного транзистора в режиме насыщения
3.3. Транзисторы с объединенными инжекторами
3.4. Динамические параметры эквивалентного транзистора
3.5. Длительность переходных процессов
3.6. Моделирование многоэлектродного транзистора
3.7. Методика измерения параметров
Глава 4. Логические ячейки
4.1. Простейшие цифровые схемы
4.2. Передаточная характеристика логических ячеек
4.3. Статическая помехоустойчивость
4.4. Помехоустойчивость с учетом неидентичности пара метров транзисторов при одновременном действии запирающих и отпирающих помех
4.5. Коэффициент усиления и нагрузочная способность
4.6. Особенности переходных процессов в логических ячейках
4.7. Средняя задержка в цепочке логических ячеек
4.8. Расчет длительности переходных процессов
4.9. Логические ячейки с диодами Шоттки
4.10. Логические ячейки с управляемой инжекцией
Глава 5. Цифровые устройства БИС
5.1. Методы и примеры построения функциональных схем цифровых устройств на многоэлектродных транзисторах
5.2. Триггерные устройства
5.3. Схемы согласования с внешними устройствами
5.4. Двухтактные сдвигающие регистры
Глава 6. Запоминающие ячейки субсистем памяти
6.1. Организация оперативного запоминающего устройства и субсистемы памяти
6.2. Ячейка с записью по коллекторам
6.3. Ячейка с записью по инжекторам
6.4. Ячейка с записью по базам
Глава 7. Перспективы, прогнозы, проблемы
7.1. Уменьшение работы переключения
7.2. Фундаментальные физические ограничения работы переключения
7.3. Оценка минимальной работы переключения для схем с инжекционным питанием
7.4. Предельное быстродействие и степень интеграции
7.5. Проблемы
Заключение
Список литературы
Список дополнительной литературы
Рекомендуем
